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Er^(3+)注入cdte薄膜的结构和光电性能研究

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物理学报 2006年第12期55卷 6684-6690页

作者：侯娟郑毓峰董有忠匡代洪孙言飞李强新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046

采用离子注入技术对近距离升华制备的cdte薄膜进行Er3+掺杂研究.讨论了不同掺Er3+浓度对cdte薄膜的结构和光电性能的影响.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、霍耳效应测试系统和复阻抗分析仪对样品进行测试.结果表... 详细信息

采用离子注入技术对近距离升华制备的cdte薄膜进行Er3+掺杂研究.讨论了不同掺Er3+浓度对cdte薄膜的结构和光电性能的影响.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、霍耳效应测试系统和复阻抗分析仪对样品进行测试.结果表明,适当的掺杂量可以改善cdte薄膜的结晶性能,降低晶界势垒高度,提高其导电性能.在一定掺杂范围内掺Er3+对cdte薄膜的光能隙影响不大.

关键词： cdte薄膜离子注入晶界势垒光能隙

近距离升华沉积cdte掺Cd薄膜的微结构和电学、光学特性

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物理学报 2008年第6期57卷 3880-3886页

作者：李茜郑毓峰周向玲孙言飞简基康新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 新疆喀什师范学院物理系喀什844000

采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的cdte多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性.结果显示,适量的掺杂Cd元素可改善cdte薄膜晶形,显著提高薄膜的电导特性... 详细信息

采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的cdte多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性.结果显示,适量的掺杂Cd元素可改善cdte薄膜晶形,显著提高薄膜的电导特性,由弱的p型电导转变为导电性能良好的n型电导,但对光能隙影响不大.

关键词：近距离升华 cdte薄膜掺杂Cd 电学和光学特性

肖特基势垒对CdS/cdte薄膜电池J-V暗性能的影响

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物理学报 2013年第16期62卷 473-478页

作者：赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云华曹鸿王善力褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 上海太阳能电池研究与发展中心上海201201 华东师范大学信息科学技术学院上海200241

采用数学模拟方法分析了不同背接触势垒高度(φb)对于CdS/cdte薄膜电池的J-V(电流密度-电压)方程的影响,得出了势垒高度与roll-over的变化对应关系.采用相应Cu/Mo背电极的CdS/cdte薄膜电池在220—300K的变温J-V曲线的数值分析与理论分... 详细信息

采用数学模拟方法分析了不同背接触势垒高度(φb)对于CdS/cdte薄膜电池的J-V(电流密度-电压)方程的影响,得出了势垒高度与roll-over的变化对应关系.采用相应Cu/Mo背电极的CdS/cdte薄膜电池在220—300K的变温J-V曲线的数值分析与理论分析相对照,分析了背势垒对于J-V曲线拟合参数的影响.修正了φb与反向饱和电流(Jb0)关系式,理论与实验符合得非常好.

关键词： CdS cdte薄膜伏安特性肖特基势垒 roll—over

cdte薄膜的制备方法比较及其结构性能研究

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功能材料 2002年第5期33卷 508-510页

作者：李锦郑毓峰徐金宝孙严飞陈树义新疆大学物理系新疆乌鲁木齐830046

采用真空热蒸发VE、射频溅射沉积RF和近距离升华CSS技术制备cdte薄膜 ,并对其进行掺杂研究。样品利用XRD、SEM、紫外可见分光光度计和霍尔系数测量系统进行测试。结果显示 ,CSS制备的cdte薄膜与VE和RF法制备的薄膜相比 ,晶粒大 ,晶形... 详细信息

采用真空热蒸发VE、射频溅射沉积RF和近距离升华CSS技术制备cdte薄膜 ,并对其进行掺杂研究。样品利用XRD、SEM、紫外可见分光光度计和霍尔系数测量系统进行测试。结果显示 ,CSS制备的cdte薄膜与VE和RF法制备的薄膜相比 ,晶粒大 ,晶形好。适当的掺杂某些元素 ,适当的掺杂量 ,可以改善cdte薄膜的结晶性能 ,提高其导电性能。掺杂对cdte薄膜的光能隙影响不大。

关键词： cdte薄膜制备方法结构性能掺杂

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cdte薄膜的制备和后处理研究

四川大学学报（自然科学版） 2002年第2期39卷 273-276页

作者：蔡伟冯良桓蔡亚平张静全武莉莉四川大学材料科学系成都610064

用近空间升华法制备cdte薄膜 .研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构 .衬底温度在 4 0 0℃以上薄膜结晶状况较为完整 .结晶状况较好的CdS薄膜上生长的cdte薄膜晶粒较大 ,尺寸均匀 .对cdte薄膜进行了加热后处理研究 ,结果表明 ... 详细信息

用近空间升华法制备cdte薄膜 .研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构 .衬底温度在 4 0 0℃以上薄膜结晶状况较为完整 .结晶状况较好的CdS薄膜上生长的cdte薄膜晶粒较大 ,尺寸均匀 .对cdte薄膜进行了加热后处理研究 ,结果表明 ,加用CdCl2

关键词： cdte薄膜近空间升华法退火碲化镉薄膜多晶薄膜电阳电池热处理薄膜生长制备方法

cdte薄膜太阳电池的硝酸-磷酸腐蚀及应用

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四川大学学报（自然科学版） 2007年第2期44卷 395-398页

作者：李卫冯良桓武莉莉蔡亚平郑家贵蔡伟张静全黎兵雷智郝瑞英四川大学材料科学与工程学院成都610064

采用硝酸-磷酸腐蚀cdte薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件.在腐蚀后,沉积了缓冲层材料和(或)金属背电极,研究了腐蚀后背接触的形成及碲对cdte太阳电池的影响.结果表明,... 详细信息

采用硝酸-磷酸腐蚀cdte薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件.在腐蚀后,沉积了缓冲层材料和(或)金属背电极,研究了腐蚀后背接触的形成及碲对cdte太阳电池的影响.结果表明,腐蚀后生成的碲有助于产生p+层,实现cdte与金属背电极的欧姆接触.

关键词：腐蚀背接触 cdte薄膜

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cdte薄膜的制备及其光电性能的研究

太阳能学报 2003年第Z1期24卷 66-69页

作者：吴洪才毛小龙薛大顺肖敏刘效增西安交通大学西安710049

介绍利用真空化合法合成的碲化镉(cdte)材料制备的cdte薄膜结构,电学,光学性能的分析研究结果.将离子注入技术引进到cdte薄膜的改性研究中,实验发现,离子注入可以改善材料的结晶情况以及光学和电学性能.有可能利用cdte粉末材料一次制作... 详细信息

介绍利用真空化合法合成的碲化镉(cdte)材料制备的cdte薄膜结构,电学,光学性能的分析研究结果.将离子注入技术引进到cdte薄膜的改性研究中,实验发现,离子注入可以改善材料的结晶情况以及光学和电学性能.有可能利用cdte粉末材料一次制作适合于廉价薄膜太阳光电池的优质的p型cdte薄膜.

关键词： cdte薄膜 X射线衍射离子注入

不同温度下制备的cdte薄膜对太阳电池光电性能的影响

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物理学报 2010年第1期59卷 625-629页

作者：李愿杰郑家贵冯良桓黎兵曾广根蔡亚平张静全李卫雷智武莉莉蔡伟四川大学材料科学与工程学院成都610064

在不同温度下用近空间升华法(CSS)制备了cdte多晶薄膜,结合I-V,C-V特性及深能级瞬态谱研究了不同温度制备的cdte薄膜对CdS/cdte太阳电池性能的影响.结果表明,制备温度对电池组件的开路电压影响不大,对短路电流和填充因子有影响,cdte薄... 详细信息

在不同温度下用近空间升华法(CSS)制备了cdte多晶薄膜,结合I-V,C-V特性及深能级瞬态谱研究了不同温度制备的cdte薄膜对CdS/cdte太阳电池性能的影响.结果表明,制备温度对电池组件的开路电压影响不大,对短路电流和填充因子有影响,cdte薄膜的深中心对温度和频率的响应基本一致.580℃制备的样品暗饱和电流密度最小,载流子浓度较高,光电特性较好,而且空穴陷阱浓度较低,深中心复合作用较小.在此研究基础上制备出了面积为300mm×400mm,组件转换效率为8.2%的大面积cdte太阳电池.

关键词：制备温度 cdte薄膜深能级瞬态谱(DLTS) CdS/cdte太阳电池

HWE生长条件对cdte/Si薄膜结构特性的影响

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半导体光电 2007年第3期28卷 386-390页

作者：姚朝晖陈庭金夏朝凤袁海荣宋一得廖华刘祖明中国农业大学水利与土木工程学院北京100083 云南师范大学太阳能研究所云南昆明650092

研究了热壁外延(HWE)生长条件对Si(100)衬底上沉积外延的多晶cdte薄膜的晶粒尺寸和取向的影响。用SEM和XRD技术分析了不同外延时间、不同衬底温度及不同源温下外延膜的表面形貌和结构特征。SEM发现随着外延时间的增加或衬底温度的提高,... 详细信息

研究了热壁外延(HWE)生长条件对Si(100)衬底上沉积外延的多晶cdte薄膜的晶粒尺寸和取向的影响。用SEM和XRD技术分析了不同外延时间、不同衬底温度及不同源温下外延膜的表面形貌和结构特征。SEM发现随着外延时间的增加或衬底温度的提高,晶粒尺寸明显增大;XRD显示所有的外延薄膜均为面心立方结构,并高度显示优势取向(111),且随着衬底温度或薄膜厚度的增加,(111)峰的衍射强度增加,显示薄膜的择优取向更好。其原因是面心立方结构中,(111)表面具有的表面自由能最低。通过对不同外延时间下薄膜厚度的测试发现,薄膜具有加速生长趋势。衬底温度及源温对外延层厚度均有较大的影响。

关键词：热壁外延生长条件 cdte薄膜结构特性