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cds薄膜的生长和结构分析

功能材料 2006年第9期37卷 1408-1410页

作者：蔡小梅陈福义介万奇西北工业大学材料学院陕西西安710072

使用化学浴沉积(CBD)在硫酸镉-硫脲的氨溶液中,成功地制备出了高质量的cds薄膜。用扫描电境(SEM)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见-近红外光谱仪对其进行了测试分析,结果表明,NH3摩尔浓度对生成cds薄膜的表面致密性影响很大,当NH3摩尔浓度... 详细信息

使用化学浴沉积(CBD)在硫酸镉-硫脲的氨溶液中,成功地制备出了高质量的cds薄膜。用扫描电境(SEM)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见-近红外光谱仪对其进行了测试分析,结果表明,NH3摩尔浓度对生成cds薄膜的表面致密性影响很大,当NH3摩尔浓度比较大时,无法生成连续致密的胶体颗粒薄膜,反应体系中S2-和Cd2+溶液的摩尔浓度增加,cds胶体粒度增大。在相同NH3摩尔浓度下,随着S2-和Cd2+摩尔浓度比值([S2-]/[Cd2+])的增大,cds胶体粒子粒度减小;透过光谱的峰位随着胶体粒子尺寸的减小向短波方向移动,当NH3摩尔浓度变化时,在一定的范围内改变cds膜的透过率。将化学浴沉积(CBD)过程的研究从薄膜厚度优化改进为胶体粒子尺寸优化,促进了CBD技术的发展。

关键词： cds薄膜化学浴沉积胶体粒子

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cds薄膜的SILAR法制备与表征

无机材料学报 2004年第3期19卷 691-695页

作者：刘晓新靳正国步绍静赵娟程志捷天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津300072

采用液相薄膜制备工艺-SILAR(连续离子层吸附反应)法,在室温下于玻璃衬底上制备了cds薄膜.对薄膜的表面形貌,薄膜的生长速率以及热处理与薄膜的成相及其电阻率的关系进行了观察和分析.实验结果表明:薄膜表面较致密,生长速率为2nm/cycle... 详细信息

采用液相薄膜制备工艺-SILAR(连续离子层吸附反应)法,在室温下于玻璃衬底上制备了cds薄膜.对薄膜的表面形貌,薄膜的生长速率以及热处理与薄膜的成相及其电阻率的关系进行了观察和分析.实验结果表明:薄膜表面较致密,生长速率为2nm/cycle,随循环次数的增加,沉积粒子的尺寸趋于增大.室温下沉积的cds薄膜为非晶态,经热处理后薄膜的结晶度提高,电阻率显著下降.此外,文章结合实验对薄膜的生长机理进行了初步的讨论.

关键词： cds薄膜 SILAR法制备与表征生长机理

对超声波作用下的化学浴沉积方法制备cds薄膜的谱学分析

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光谱学与光谱分析 2003年第4期23卷 625-629页

作者：储祥蔷谢大弢孟铁军王莉芳朱凤向蓉全胜文赵夔陈佳洱北京大学物理学院重离子物理研究所北京100871

用化学浴沉积法制备了cds薄膜 ,并研究了加超声波对cds薄膜生长过程的影响。利用卢瑟福背散射 ,X 射线粉末衍射和扫描电子显微镜对薄膜的厚度、晶相和表面形貌进行了表征。结果表明施加超声波的作用能有效地改善薄膜的质量 ,制备出均匀... 详细信息

用化学浴沉积法制备了cds薄膜 ,并研究了加超声波对cds薄膜生长过程的影响。利用卢瑟福背散射 ,X 射线粉末衍射和扫描电子显微镜对薄膜的厚度、晶相和表面形貌进行了表征。结果表明施加超声波的作用能有效地改善薄膜的质量 ,制备出均匀、致密的有较好的晶体结构cds薄膜。同时 ,通过时间的控制可以精确地控制薄膜在 5 0nm左右 ,以满足制备太阳能电池的特殊要求。

关键词：超声波作用化学浴沉积方法制备 cds薄膜谱学分析薄膜太阳能电池 X射线分析硫化镉

不同衬底和CdCl_2退火对磁控溅射cds薄膜性能的影响

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物理学报 2013年第15期62卷 481-489页

作者：张传军邬云骅曹鸿高艳卿赵守仁王善力褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 上海太阳能电池研究与发展中心上海201201

在科宁7059玻璃,FTO,ITO,AZO四种衬底上磁控溅射cds薄膜,并在CdCl2+干燥空气380C退火,分别研究了不同衬底和退火工艺对cds薄膜形貌、结构和光学性能的影响.扫描电子显微镜形貌表明:不同衬底原位溅射cds薄膜的形貌不同,退火后相应cds薄... 详细信息

在科宁7059玻璃,FTO,ITO,AZO四种衬底上磁控溅射cds薄膜,并在CdCl2+干燥空气380C退火,分别研究了不同衬底和退火工艺对cds薄膜形貌、结构和光学性能的影响.扫描电子显微镜形貌表明:不同衬底原位溅射cds薄膜的形貌不同,退火后相应cds薄膜的晶粒度和表面粗糙度明显增大.XRD衍射图谱表明:不同衬底原位溅射和退火cds薄膜均为六角相和立方相的混相结构,退火前后科宁7059玻璃,FTO,AZO衬底上cds薄膜有H(002)/C(111)最强衍射峰,ITO衬底原位溅射cds薄膜没有明显的最强衍射峰,退火后出现H(002)/(111)最强衍射峰.紫外-可见分光光度计分析表明:AZO,FTO,ITO,科宁7059玻璃衬底cds薄膜的可见光平均透过率依次减小,退火后相应衬底cds薄膜的可见光平均透过率增大,光学吸收系数降低;退火显著增大了不同衬底cds薄膜的光学带隙.分析得出:上述结果是由于不同衬底类型和退火工艺对cds多晶薄膜的形貌、结构和带尾态掺杂浓度改变的结果.

关键词： cds薄膜磁控溅射退火再结晶带尾态

不同退火条件对磁控溅射cds薄膜性能的影响

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红外与毫米波学报 2013年第4期32卷 298-303页

作者：张传军邬云骅曹鸿赵守仁王善力褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 上海太阳能电池研究与发展中心上海201201

采用磁控溅射法,在衬底温度300℃制备cds薄膜,并选取370℃、380℃、390℃三个温度退火,获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的cds薄膜.通过研究热处理前后cds薄膜的形貌、结构和光学性能表明,cds薄膜在干燥空气中退火,晶粒... 详细信息

采用磁控溅射法,在衬底温度300℃制备cds薄膜,并选取370℃、380℃、390℃三个温度退火,获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的cds薄膜.通过研究热处理前后cds薄膜的形貌、结构和光学性能表明,cds薄膜在干燥空气中退火,晶粒度、表面粗糙度和可见光透过率变化不明显,光学带隙随退火温度的升高而增大;在CdCl2源+干燥空气中退火,随退火温度的升高发生明显的再结晶和晶粒长大,表面粗糙度增大,可见光透过率和光学带隙随退火温度的升高而减小.分析得出:上述性能的改变是由于不同的退火条件对cds薄膜的再结晶温度和带尾态掺杂浓度改变的结果.

关键词： cds薄膜磁控溅射热退火再结晶带尾态

cds薄膜的真空热蒸发制备及在CIGS薄膜太阳电池中的应用

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半导体光电 2014年第2期35卷 253-257,262页

作者：曹敏门传玲邓闯田子傲安正华上海理工大学能源与动力工程学院上海200093 复旦大学物理系表面物理国家重点实验室上海200433

采用真空热蒸发（VTE）的方法制备了cds多晶薄膜，研究了不同衬底温度对其微观结构与光电性能的影响。结果显示，不同衬底温度下制备的cds薄膜均属于六方相多晶结构且具有（002）择优取向；随着衬底温度的升高，（002）特征衍射峰强度... 详细信息

采用真空热蒸发（VTE）的方法制备了cds多晶薄膜，研究了不同衬底温度对其微观结构与光电性能的影响。结果显示，不同衬底温度下制备的cds薄膜均属于六方相多晶结构且具有（002）择优取向；随着衬底温度的升高，（002）特征衍射峰强度增加，半高宽变小，相应薄膜结晶度增大；由cds薄膜的透射光谱可知，在5001000nm波段平均透过率均超过80％，光学带隙随着衬底温度的升高而增大（2．44～2．56eV），表明真空热蒸发方法制备的cds薄膜可以作为CIGS薄膜太阳电池的缓冲层。将真空热蒸发法制备cds薄膜与磁控溅射法制备CIGS薄膜太阳电池相结合，在同一真空室内得到了CIGS薄膜太阳电池器件，为CIGS薄膜太阳电池的工业化推广提供了新途径。

关键词： cds薄膜真空热蒸发 CIGS薄膜太阳电池化学水浴磁控溅射

化学水浴法制备大面积cds薄膜及其光伏应用

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物理学报 2009年第1期58卷 438-443页

作者：蔡亚平李卫冯良桓黎兵蔡伟雷智张静全武莉莉郑家贵四川大学材料科学与工程学院成都610064

采用化学水浴法制备了大面积cds多晶薄膜,研究了薄膜的形貌、结构和光学性质,结果表明,大面积cds多晶薄膜具有良好的均匀性,通过优化cds多晶薄膜,制成了不同cds窗口层厚度的CdTe小面积太阳电池,减薄cds薄膜可有效提高器件的短路电流,改... 详细信息

采用化学水浴法制备了大面积cds多晶薄膜,研究了薄膜的形貌、结构和光学性质,结果表明,大面积cds多晶薄膜具有良好的均匀性,通过优化cds多晶薄膜,制成了不同cds窗口层厚度的CdTe小面积太阳电池,减薄cds薄膜可有效提高器件的短路电流,改善器件性能.随后,在面积30cm×40cm的衬底上制备了全面积为993.6cm2的CdTe太阳电池组件,其27个集成单元的电学性质较为均匀,太阳电池组件的光电转换效率8.13%.

关键词：化学水浴法(CBD) cds薄膜 CdTe太阳电池 CdTe太阳电池组件

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电子束蒸发法制备cds薄膜光电特性研究

人工晶体学报 2014年第5期43卷 1137-1143页

作者：陈哲董连和孙艳军冷雁冰王丽长春理工大学光电工程学院长春130022

采用电子束蒸发法,以高纯cds块料为膜料在玻璃基底上制备了cds薄膜,设计了L9(34)正交实验,研究了各工艺参数对薄膜光电性能的影响。结果表明,随着基底温度,蒸发速率的提高,薄膜的电阻值呈降低趋势达到最小值后稍有升高;薄膜的阻值随真... 详细信息

采用电子束蒸发法,以高纯cds块料为膜料在玻璃基底上制备了cds薄膜,设计了L9(34)正交实验,研究了各工艺参数对薄膜光电性能的影响。结果表明,随着基底温度,蒸发速率的提高,薄膜的电阻值呈降低趋势达到最小值后稍有升高;薄膜的阻值随真空度的降低而降低,达到一定程度后阻值基本保持不变。薄膜的暗亮电阻比即光敏性,随基底温度的增大先增大达到最大值后开始减小;而随蒸发速率的提高光敏性先缓后急的增加;真空度对光敏性的影响与蒸发速率对光敏性的影响正好相反,表现为随真空度的增加光敏性先急后缓的降低。正交实验表明:当基底温度为150℃,蒸发速率为1 nm·s-1,真空度为3×10-3Pa时,薄膜的光电性能最好。cds薄膜的光敏性达到7.7×102,其中亮电阻的最小值为1350Ω/□。

关键词： cds薄膜电子束蒸发法正交实验光电性能

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化学浴法制备cds薄膜及其光电性能研究

人工晶体学报 2013年第7期42卷 1299-1304页

作者：焦静沈鸿烈王威江丰南京航空航天大学材料科学与技术学院南京210016

本文用氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系采用化学浴沉积法合成cds薄膜,制备出均匀、致密的cds薄膜,通过XRD、SEM、EDS、紫外可见吸收光谱等表征手段研究了cds薄膜的晶体结构,表面形貌,元素比例和光电性能。发现在不同水浴温度下都... 详细信息

本文用氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系采用化学浴沉积法合成cds薄膜,制备出均匀、致密的cds薄膜,通过XRD、SEM、EDS、紫外可见吸收光谱等表征手段研究了cds薄膜的晶体结构,表面形貌,元素比例和光电性能。发现在不同水浴温度下都成功制备了cds薄膜,其中75℃制备的cds薄膜最为均匀致密且其XRD衍射峰强度最强,光吸收边在500 nm附近,禁带宽度大约为2.52 eV。这些cds薄膜的光电响应大,暗态及光照下的电导率分别为1×***-1和1.04×***-1。用它们制备的cds/CZTS异质结太阳电池具有明显的光伏效应。

关键词：化学浴沉积法 cds薄膜光吸收光电响应电导率