检索结果-南通市图书馆

四川大学学报（自然科学版） 2019年第6期56卷 1081-1086页

作者：李迎谭嘉进姬广富东华理工大学理学院南昌330013 中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波与爆轰物理实验室绵阳621900

利用第一性原理结合赝势平面波方法研究了立方(空间群:P4232,No.208)和四方(空间群:P42/nmcs,No.137)cd3as2的晶体结构、状态方程、弹性常数.将晶胞能量-体积关系按Birch–Murnaghan状态方程拟合得到体弹模量及其对压强的一阶导数.另外... 详细信息

利用第一性原理结合赝势平面波方法研究了立方(空间群:P4232,No.208)和四方(空间群:P42/nmcs,No.137)cd3as2的晶体结构、状态方程、弹性常数.将晶胞能量-体积关系按Birch–Murnaghan状态方程拟合得到体弹模量及其对压强的一阶导数.另外,根据Voigt–Reuss–Hill关系预测了cd3as2晶体的力学性质.最后,通过准谐德拜模型得到cd3as2晶体在不同温度下的热膨胀系数、绝热体弹模量、晶胞体积和等体热容.

关键词： cd3as2 第一性原理弹性模量

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于cd3as2的宽光谱异质结光电探测器的研究

基于Cd3As2的宽光谱异质结光电探测器的研究

引用

作者：吕部京都电子科技大学

学位级别：硕士

近几年来,科学家们对狄拉克半金属材料家族的性质进行了很多方面的研究,因为这种材料展现出许多新奇的光学以及电学性质,例如超高的迁移率、高吸收率、独特的狄拉克零带隙能带结构等,砷化镉（cdAs）作为其中的一种代表材料,已经被证明... 详细信息

近几年来,科学家们对狄拉克半金属材料家族的性质进行了很多方面的研究,因为这种材料展现出许多新奇的光学以及电学性质,例如超高的迁移率、高吸收率、独特的狄拉克零带隙能带结构等,砷化镉（cdAs）作为其中的一种代表材料,已经被证明在制备高性能的光电探测器领域有着广阔的应用前景,基于目前已有的研究,可以看出cdAs本身拥有着较宽的光吸收范围、较高的光电流,但是受限于较高的暗电流以及很慢的响应速度,单独的cdAs还有着较大的改进空间。论文围绕cdAs薄膜展开,对其光学、电学性能进行分析,利用微结构、构建异质结等手段来提升光电探测性能,主要的工作如下:1、测试并分析了分子束外延生长的cdAs与锌掺杂的Zn-cdAs薄膜的光电性能以及其他特征。结果表明,两种cdAs薄膜器件均具有较宽波段的探测能力（从405 nm到1550 nm）,cdAs薄膜器件的暗电流可达1 m A,而Zn掺杂的薄膜暗电流低了一个数量级,响应时间均较慢,分别为0.3秒和0.7秒;并利用其宽吸收的特点,与其他材料构建异质结来抑制其过高的暗电流,提升它的光电探测能力,进一步优化探测性能。2、通过热蒸发法制备硒氧铋（BiOSe）薄膜,并与cdAs构建异质结光电探测器,复合薄膜对暗电流具有一定的抑制能力,并对405 nm到1310 nm波段的光照有良好的响应,响应速度达到了80μs;对比分析了采用不同微细结构来构建的异质结器件,性能均有明显提升。3、通过光刻、二维材料转移等工艺手段,将硒化钨（WSe）、硒化钼（MoSe）转移到制备好的cdAs与金电极组成的结构上,利用cdAs材料作为主要吸收层,二维材料作为传输层。制备的器件均表现出异质结效应,cdAs/WSe器件的暗电流降低到了10A,开关比为3个数量级;cdAs/MoSe器件比探测率可达10 Jones,随后还对比了Zn掺杂的cdAs与未掺杂器件的性能变化,结果表明掺杂后暗电流降低了一半,Zn-cdAs/MoSe器件响应度达到52.5 m A/W。

关键词： cd3as2 光电探测器异质结二维材料

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

基于cd3as2/有机异质结的光电探测器的性能研究

基于Cd3As2/有机异质结的光电探测器的性能研究

引用

作者：刘琦电子科技大学

学位级别：硕士

狄拉克半金属材料的高迁移率、高电导率、零带隙、高吸收率等优秀的性能使得它在新一代光电探测器的研制过程中占有重要的地位。作为一种典型的三维狄拉克半金属材料,cdAs具有超高的载流子迁移率(～10)、高的宽光谱吸收率(30%-50%)、快... 详细信息

狄拉克半金属材料的高迁移率、高电导率、零带隙、高吸收率等优秀的性能使得它在新一代光电探测器的研制过程中占有重要的地位。作为一种典型的三维狄拉克半金属材料,cdAs具有超高的载流子迁移率(～10)、高的宽光谱吸收率(30%-50%)、快速电子传输速度和高光电流响应等性质,为制造高性能光电探测器提供了一个很好的平台。本文对以cdAs薄膜为基础材料的光电探测器的性能进行研究,并通过掺杂、构建异质结等方式来优化cdAs基光电探测器的响应电流、响应率、比探测率和响应时间等性能指标。本文主要的研究内容可以分为以下3个部分:(1)通过研究cdAs薄膜器件的光电性能发现,由于cdAs薄膜高光吸收率和高载流子迁移率,器件在可见光到近红外都有很好的光电流响应。但同时器件也存在暗电流太大的问题,限制了cdAs薄膜在小电流检测中的应用。进一步地设计了一种基于cdAs/Pb Pc薄膜异质结的光电探测器。异质结器件具有良好的整流特性,符合二极管的特性。与薄膜器件相比,暗电流明显降低,特别是在负偏压下。器件在可见到近红外都有不错的光电流响应。器件的比探测率和响应时间有明显的改善,其中比探测率最大达到3.05×10 Jones,以及响应时间为160/170μs。基于cdAs薄膜的异质结光电探测器件,使用的有机物不同,器件的光电探测性能参数也有较大区别,可以通过改变有机物的方式来调节器件的性能,为功能化cdAs薄膜异质结光电探测器提供了思路。(2)通过研究(cdZn)As薄膜器件的光电性能发现,(cdZn)As薄膜的暗电流比cdAs薄膜的降低了10倍左右,但同时光电流只小了一半。同样,器件在可见光到近红外都有很好的光电流响应。所以,(cdZn)As薄膜有更大的应用潜力。进而设计了一种基于(cdZn)As/Pb Pc薄膜异质结的光电探测器。器件具有良好的整流特性,整流比超过1000。与cdAs/Pb Pc薄膜异质结器件相比,(cdZn)As/Pb Pc薄膜异质结器件暗电流降低了10倍,同时光电流变化不大,开关比增加接近7倍。(cdZn)As/Pb Pc薄膜异质结器件的比探测率可以达到3.95×10Jones,是所有基于cdAs薄膜的器件中最大的。另外,响应时间为80/100μs。(3)设计并制备了一种(cdZn)As/半导体/(cdZn)As线列结构的光电探测器。选择有机半导体Pb Pc和无机半导体MoO作为中间传输通道。由于中间通道传输材料的载流子迁移率比较低,且通道两端存在对称的异质结,所以线列单元器件的暗电流降低到了10 A量级。而且(cdZn)As/MoO/(cdZn)As单元器件在5μm波段下也能检测到光电流,进一步验证了薄膜的宽光谱吸收能力。另外,单元器件有着良好的稳定性和重复性。这些结果表明基于狄拉克半金属材料的阵列器件在未来的红外探测领域具有巨大的应用潜力。

关键词： cd3as2 光电探测器异质结掺杂线列

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

Large transverse thermoelectric figure of merit in a topological Dirac semimetal

引用

Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2020年第3期63卷 82-88页

作者： JunSen Xiang SiLe Hu Meng Lyu WenLiang Zhu ChaoYang Ma ZiYu Chen Frank Steglich GenFu Chen PeiJie Sun Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics Institute of PhysicsChinese Academy of SciencesBeijing 100190China Department of Physics Key Laboratory of Micro-Nano Measurement-Manipulation and PhysicsBeihang UniversityBeijing 100191China University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100049China Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids Dresden 01187Germany Songshan Lake Materials Laboratory Dongguan 523808China

The Seebeck effect encounters a few fundamental constraints hindering its thermoelectric(TE)conversion *** notably,there are the charge compensation of electrons and holes that diminishes this effect,and the Wiedemann-Franz(WF)law that makes independent optimization of the corresponding electrical and thermal conductivities ***,we demonstrate that in the topological Dirac semimetal cd3as2 the Nernst effect,i.e.,the transverse counterpart of the Seebeck effect,can generate a large TE figure of merit *** room temperature,zNT≈0.5 in a small field of 2 T and it significantly surmounts its longitudinal counterpart for any field.A large Nernst effect is generically expected in topological semimetals,benefiting from both the bipolar transport of compensated electrons and holes and their high *** this case,heat and charge transport are orthogonal,i.e.,not intertwined by the WF law *** importantly,further optimization of zNT by tuning the Fermi level to the Dirac node can be anticipated due to not only the enhanced bipolar transport,but also the anomalous Nernst effect arising from a pronounced Berry curvature.A combination of the topologically trivial and nontrivial advantages promises to open a new avenue towards high-efficient transverse thermoelectricity.

关键词： Dirac semimetal cd3as2 Nernst effect transverse thermoelectricity

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于狄拉克半金属的亚波长光栅波导滤波器研究

基于狄拉克半金属的亚波长光栅波导滤波器研究

引用

作者：梁潇中南民族大学

学位级别：硕士

随着信息技术的发展,信息交换量的增加,传统的电学芯片越来越满足不了人们日益增长的对信息传输量的需求。此时,集成光学芯片顺势而生,光通信走向舞台。在光通信领域,光学滤波器是通信系统中的重要组成部分。光学滤波器只允许特定波长... 详细信息

随着信息技术的发展,信息交换量的增加,传统的电学芯片越来越满足不了人们日益增长的对信息传输量的需求。此时,集成光学芯片顺势而生,光通信走向舞台。在光通信领域,光学滤波器是通信系统中的重要组成部分。光学滤波器只允许特定波长的光信号通过,它不仅可以滤除信号中所掺杂的噪音,从而还原出原始信号,还可以用于波分复用以及特定波长信号的选择,它对信号传输质量的高低起着关键性的作用。亚波长光栅波导可以对它的周期以及占空比进行灵活调整,从而使得亚波长光栅波导的有效折射率发生改变,进而设计出许多性能优良的集成光子器件。三维狄拉克半金属cdAs是一种新型材料,具有高电子迁移率、在空气中稳定性能良好和折射率可调等特性。基于狄拉克半金属cdAs亚波长光栅波导的可调选频滤波器,将新型材料狄拉克半金属cdAs的性能优点与亚波长光栅的结构优势相结合,在集成光子领域具有非常广阔的研究前景。本论文主要进行将新型光学材料三维狄拉克半金属cdAs用于实现基于亚波长光栅波导的滤波器的研究,设计制作出几种符合现代加工制造技术,器件结构尺寸小、滤波性能良好的滤波器,并利用基于有限元法的COMSOL Multiphysics软件对这几种器件进行理论分析及仿真计算。本文主要研究工作如下:1.设计了基于狄拉克半金属cdAs的亚波长光栅波导的可调选频滤波器。该滤波器由二氧化硅基板、矩形硅块、两根亚波长光栅结构cdAs总线波导和亚波长光栅结构的cdAs微环谐振腔组成。通过调节电压加载圆弧段的电压,进而有效控制微环谐振腔的输出波长。仿真结果表明,当电压加载圆弧段的费米能从0eV变化到0.25eV时,输出谐振波长从1575.6nm偏移到1576.8nm,光波的透射率均在91%以上。2.设计了基于狄拉克半金属cdAs的亚波长光栅波导的TE模式阻塞滤波器。该滤波器由二氧化硅基板、一根cdAs条带,一根具有亚波长光栅结构的cdAs条带组成。仿真结果表明,在1567nm582nm波段,当输入TE模式的光波时,滤波器的消光比为?24.7dB;当输入TE模式的光波时,滤波器的插入损耗为?0.12dB。

关键词：狄拉克半金属 cd3as2 亚波长光栅波导滤波器

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：