检索结果-南通市图书馆

光谱学与光谱分析 2013年第5期33卷 1295-1298页

作者：赵宇江洪超武莉莉冯良桓曾广根王文武张静全李卫四川大学材料科学与工程学院四川成都610064

采用Cu对共蒸发法制备的cd1-xznxte薄膜进行p型掺杂。用X射线荧光、X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同Cu掺杂浓度下cd1-xznxte薄膜退火前后的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化。... 详细信息

采用Cu对共蒸发法制备的cd1-xznxte薄膜进行p型掺杂。用X射线荧光、X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同Cu掺杂浓度下cd1-xznxte薄膜退火前后的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化。结果表明掺Cu 10%的薄膜在退火后导电类型由P型转变为N型、电阻率增大了几个数量级;掺铜20%的样品退火后导电类型和电阻率未发生明显改变,退火后薄膜表面较为均匀完整;掺铜30%的薄膜透过率显著下降到10%以下,退火前后均为P型薄膜。

关键词： cd1-xznxte薄膜 P型掺杂退火

退火对cd_(1-x)Zn_xTe薄膜性质的影响

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四川大学学报（自然科学版） 2013年第4期50卷 842-848页

作者：江洪超金硕武莉莉张静全李卫黎兵曾广根王文武四川大学材料科学与工程学院成都610064

本文用双源真空蒸发的方法制备了cd1-xznxte薄膜,通过热探针、SEM、XRD及紫外-可见光透过谱等方法研究了不同退火条件对薄膜性质的影响.退火后cd1-xznxte多晶薄膜的光学禁带宽度在1.54eV～1.68eV之间,且沿立方相(111)面择优生长.退火温... 详细信息

本文用双源真空蒸发的方法制备了cd1-xznxte薄膜,通过热探针、SEM、XRD及紫外-可见光透过谱等方法研究了不同退火条件对薄膜性质的影响.退火后cd1-xznxte多晶薄膜的光学禁带宽度在1.54eV～1.68eV之间,且沿立方相(111)面择优生长.退火温度主要影响薄膜表面的粗糙度和平均晶粒尺寸,退火时间主要影响薄膜的平均晶粒尺寸.退火温度与时间对薄膜电学性质的影响较小.

关键词： cd1-xznxte薄膜退火性质

磁控溅射cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜组分的可控生长

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人工晶体学报 2010年第2期39卷 341-344,364页

作者：葛玉建江锦春邬云骅潘健亮王善力褚君浩上海太阳能电池研究与发展中心上海201201 中国科学院上海技术物理研究所上海200083

采用双靶位共溅射方法制备出组分可控的cd1-xznxte薄膜样品,组分偏离小于0.13。采用XRD对不同生长温度制备的样品进行了结晶性分析,研究了薄膜结晶与生长温度的关系。采用AFM、SEM对样品进行了表面和界面分析,表明薄膜表面平整,界面清... 详细信息

采用双靶位共溅射方法制备出组分可控的cd1-xznxte薄膜样品,组分偏离小于0.13。采用XRD对不同生长温度制备的样品进行了结晶性分析,研究了薄膜结晶与生长温度的关系。采用AFM、SEM对样品进行了表面和界面分析,表明薄膜表面平整,界面清晰。对不同组分的cd1-xznxte样品进行了透射光谱测量,得到了光学性质随组分的变化规律,并拟合得出了这些样品的带隙和组分。

关键词： cd1-xznxte薄膜磁控溅射透射光谱

双靶共溅射制备cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜的性质研究

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功能材料 2014年第8期45卷 8139-8142页

作者：汪雪梅王文武武莉莉张立祥冯良桓张静全李卫四川大学材料科学与工程学院成都610064

采用双靶共溅射法,分别在不同衬底温度、沉积压强和溅射功率下制备了cd1-xznxte多晶薄膜样品,并采用X射线衍射仪、X射线荧光光谱仪、扫描电子显微镜等方法对制备的cd1-xznxte薄膜的结构、成分、形貌和光电学性质进行测试分析。结果表明,... 详细信息

采用双靶共溅射法,分别在不同衬底温度、沉积压强和溅射功率下制备了cd1-xznxte多晶薄膜样品,并采用X射线衍射仪、X射线荧光光谱仪、扫描电子显微镜等方法对制备的cd1-xznxte薄膜的结构、成分、形貌和光电学性质进行测试分析。结果表明,300℃衬底温度下制备的cd1-xznxte薄膜成分单一,立方相结构,生长致密,表面颗粒平均大小约50nm,cd1-xznxte薄膜在(111)晶面的2θ值及晶格常数与Zn组分呈线性关系。cd1-xznxte薄膜的禁带宽度与组分x值呈线性关系。随着气压从8Pa降低至1Pa,cd1-xznxte薄膜的晶粒尺寸增加,生长更加致密。cd1-xznxte薄膜的室温电导率约为8.61×10-11(Ω·cm)-1,呈弱P型。

关键词： cd1-xznxte薄膜磁控溅射叠层电池

cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用

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Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 183-188页

作者：邵烨郑家贵蔡道林张静全蔡伟武莉莉蔡亚平李卫冯良桓四川大学材料科学系成都610064

用共蒸发法制备了 cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 cd1 - x-Znx Te过渡层的 cd ... 详细信息

用共蒸发法制备了 cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 cd1 - x-Znx Te过渡层的 cd S/ cd Te/ cd1 - x Znx Te/ Zn Te∶ Cu电池 .并在相同工艺下制备了 cd S/ cd Te/ cd0 .4 Zn0 .6 Te/ Zn Te∶ Cu与 cd S/ cd Te/ Zn Te∶ Cu太阳电池 ,发现前者比后者效率平均增加了 35 .0 % .

关键词： cd1-xznxte薄膜共蒸发法 cdTe太阳电池光能隙