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沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu_2ZnSnSe_4薄膜电池的影响

人工晶体学报 2017年第4期46卷 578-583页

作者：刘晓茹李建军刘玮刘芳芳敖建平孙云周志强张毅南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071

无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响。通过XRD测试可知,水浴法制备的Z... 详细信息

无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响。通过XRD测试可知,水浴法制备的Zn(O,S)薄膜为非晶态。通过透反射谱测试可知,薄膜的光学透过率较高(>80%)。通过表面形貌测试可知,30 min时Zn(O,S)薄膜为致密均匀的小颗粒。将Zn(O,S)薄膜应用在cztse电池中,在30 min时获得较高器件转换效率5.37%。

关键词：无镉缓冲层化学水浴法 Zn(O,S) cztse薄膜电池沉积时间

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