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    • 4 篇 化学
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主题

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  • 2 篇 电阻系数
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机构

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  • 1 篇 中南工业大学
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作者

  • 9 篇 张维连
  • 4 篇 孙军生
  • 3 篇 檀柏梅
  • 3 篇 张颖怀
  • 2 篇 刘彩池
  • 2 篇 张志成
  • 2 篇 张恩怀
  • 2 篇 郝秋艳
  • 2 篇 张建强
  • 1 篇 李洪源
  • 1 篇 赵龙
  • 1 篇 liu rong
  • 1 篇 佘思明
  • 1 篇 张兵
  • 1 篇 沈厚运
  • 1 篇 王敬
  • 1 篇 cao zhongqian
  • 1 篇 zhu huimin
  • 1 篇 zhao xiuling
  • 1 篇 cheng qiuping li

语言

  • 15 篇 中文
  • 4 篇 英文
检索条件"主题词=CZSi"
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Study on release rate of latent heat in Czochralski silicon growth
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Rare Metals 2006年 第z2期25卷 51-54页
作者： REN Bingyan YANG Jiankun LI Yanlin LIU Xiaoping WANG Minhua School of Material Science and Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China School of Material Science and Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China School of Material Science and Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China School of Material Science and Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China School of Material Science and Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China
The pulling rate in czochralski silicon (czsi) growth is important for reducing the cost of solar cell. In this paper, double-heater, heat shield and composite argon duct system were introduced in the Ф450 mm hot zon... 详细信息
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Mathematical model of oxygen outdiffusion
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中国有色金属学会会刊：英文版 1994年 第3期4卷 71-76页
作者： Liu Rong Cheng, Qiuping Li Yidong She Siming(Central South University of Techology Chngsha 410083) Central South Univ of Technology Changsha China
ＭＡＴＨＥＭＡＴＩＣＡＬＭＯＤＥＬＯＦＯＸＹＧＥＮＯＵＴＤＩＦＦＵＳＩＯＮＯＮＬｉｕＲｏｎｇ；Ｃｈｅｎｇ，ＱｉｕｐｉｎｇＬｉ；ＹｉｄｏｎｇＳｈｅＳｉｍｉｎｇ（ＣｅｎｔｒａｌＳｏｕｔｈＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｏ... 详细信息
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不同原始电阻率NTDczsi的退火行为
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半导体杂志 1991年 第3期16卷 54-55,28页
作者： 张维连
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LSI用NTDczsi的IG处理研究
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电子工艺技术 1990年 第1期11卷 19-20页
作者： 张维连 河北工学院
利用中子嬗变掺杂(NTD)制备的czsi(NTDczsi)中大量存在的辐照缺陷在高温短时间(1100℃,4～8h)退火就可以完成NTDczsi的IG处理,与czsi的IG处理相比具有时间短、重复性、可靠性和稳定性规范性好的优点,在LSl制备中取得了良好的效果。
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快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响
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Journal of Semiconductors 2006年 第1期27卷 73-77页
作者： 张建强 刘彩池 周旗钢 王敬 郝秋艳 孙世龙 赵丽伟 滕晓云 河北工业大学信息功能材料研究所 天津300130 北京有色金属研究总院 北京100088
研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2... 详细信息
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生长Φ8“直拉硅单晶Φ8”热场研究及数值模拟
生长Φ8“直拉硅单晶Φ8”热场研究及数值模拟
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作者： 赵龙 河北工业大学
学位级别：硕士
随着科学的飞速发展,出于提高生产率、降低成本的目的,器件厂家随着生产规模的扩大逐步要求增大硅片直径。硅单晶直径增大后,大熔硅体积、严重的热对流使单晶氧含量增大。晶体直径的增大也使结晶潜热的散发更加困难,结晶速率难以提高。... 详细信息
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直拉硅单晶的中子嬗变掺杂
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半导体技术 1988年 第5期 1-6+17页
作者： 张维连 河北工学院
本文研究了直拉硅单晶(CASi)中子嬗变掺杂(NTD)的可行性、径向电阻率均匀性以及NTDczsi内吸除效应的机理,证明了NTDczsi是半导体器件的优良的新衬底材料.
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中子嬗变掺杂直拉硅的一些问题
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材料科学与工程学报 1988年 第4期 25-27页
作者： 张维连 河北工学院半导体材料研究室
一、引言近十几年来,半导体集成电路(IC)已从中小规模跨入了大规模(LSI)时代,并正迅速向超大规模(VLSI)、超超大规模(ULSI)推进。目前已有1兆位VLSI产品。器件的迅速发展也就要求其衬底单晶硅在所有质量参数上和加工工艺技术上必须迅速... 详细信息
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高磁感低损耗非晶态合金
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贵金属 1981年 第4期 96-96页
作者： 张士全 朱万魁 汪世奇 袁朴 大连钢厂研究所
高饱和磁感非晶态合金FeB20,FeCo8Si5B15,FeB13C6,Fe Si4B16,FeB13C2Si4,它们的饱和磁感均超过16000Gs,而且其损耗都远低于FeSi3合金,FeBCSi合金具有较高的Bs,损耗较低,还具有较佳的工艺性能.
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