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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 cz-si单晶
  • 1 篇 n-n对
  • 1 篇 集成电路
  • 1 篇 空洞型原生缺陷
  • 1 篇 大直径
  • 1 篇 退火
  • 1 篇 快速退火

机构

  • 1 篇 浙江大学
  • 1 篇 中国科学院上海冶...
  • 1 篇 石家庄铁道学院
  • 1 篇 河北工业大学

作者

  • 1 篇 顾为芳
  • 1 篇 史严
  • 1 篇 李立本
  • 1 篇 乔治
  • 1 篇 刘彩池
  • 1 篇 阙端麟
  • 1 篇 张彦立
  • 1 篇 祁明维
  • 1 篇 蔡培新
  • 1 篇 朱斌
  • 1 篇 谭淞生
  • 1 篇 许学敏
  • 1 篇 施天生

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=CZ-Si单晶"
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大直径cz-si单晶中空洞型缺陷的研究进展
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河北工业大学学报 2005年 第6期34卷 43-46页
作者： 乔治 刘彩池 史严 张彦立 石家庄铁道学院数理系 河北石家庄050043 河北工业大学信息功能材料研究所 天津300130
概要介绍了近年来国内外对大直径cz-si单晶中空洞型缺陷的研究进展,详细阐述了COPs、LSTDs和FPDs3种空洞型原生缺陷的基本性质、形成过程以及3种消除空洞型缺陷的方法.研究表明,利用高温快速退火(RTA)消除空洞型原生缺陷,是一种简单而... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
含氮cz-si中N-N对的退火行为
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Journal of Semiconductors 1991年 第4期12卷 218-223页
作者： 祁明维 谭淞生 朱斌 蔡培新 顾为芳 许学敏 施天生 阙端麟 李立本 中国科学院上海冶金研究所 200050 浙江大学半导体材料研究所 杭州310027
我们发现含氮cz-si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始产生沉淀.我们还发现450℃预处理可加速在高温时氮的沉淀速率.... 详细信息
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