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真空蒸发cvd法研制超微粒SnO_2薄膜

内蒙古大学学报（自然科学版） 1990年第4期21卷 521-526页

作者：李蓉萍季秉厚内蒙古大学半导体能源实验室

用真空反应蒸发,在玻璃、陶瓷及Si-SiO_2衬底上获得晶粒线度为90至0.2μm的超微粒SnO_2薄膜,对薄膜的结构、形貌及其电学性质和光学性质进行了研究。通过控制掺杂,使薄膜具有优良的湿敏特性和气敏特性。

关键词：薄膜 SnO2 超微粒真空蒸发 cvd法

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cvd法与Pcvd法TiN薄膜研究

材料工程 2000年第12期28卷 22-25页

作者：刘齐成刘培英陶冶刘利北京航空航天大学材料科学与工程系 100083

用等离子体增强化学气相沉积 (Pcvd)法和化学气相沉积 (cvd)法分别制备 Ti N系薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能 ,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能。研究表明 :... 详细信息

用等离子体增强化学气相沉积 (Pcvd)法和化学气相沉积 (cvd)法分别制备 Ti N系薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能 ,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能。研究表明 :Pcvd法 Ti N系薄膜的微观组织形态明显优于同类的 cvd法薄膜 ,Pcvd法薄膜晶粒尺寸细小、均匀 ,形态圆整 ,组织致密 ;cvd法薄膜晶粒形态为多边形 ,尺寸较粗大、不均匀 ,组织致密性差 ;Pcvd法 Ti N系薄膜的韧性和结合力等力学性能可达到或优于同类 cvd法薄膜 ;虽然 Pcvd法薄膜的氯含量 (约为 2 % )远高于 cvd法薄膜 (约为 0 .5 % ) ,但 Pcvd法薄膜的耐蚀性能却明显优于 cvd法薄膜。还研究分析了 Pcvd法和cvd法成膜模式对薄膜微观结构和性能的影响机理。

关键词： cvd法 Pcvd法金属材料氮化钛薄膜表面防护

微波等离子cvd法在石英玻璃上生长金刚石薄膜

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材料保护 2002年第10期35卷 7-8页

作者：朱建勇梅炳初李力柴欣武汉理工大学复合材料复合新技术国家重点实验室湖北武汉430070

在真空条件下采用氢气刻蚀二氧化硅形成硅膜 ,用微波等离子化学气相沉积法在玻璃上生长金刚石薄膜 ,并用X射线衍射、Raman光谱和光电子能谱对石英玻璃上的金刚石薄膜进行分析 ,指出其形成中间层SiO2 /Si/SiC/C(金刚石 )是在石英玻璃上... 详细信息

在真空条件下采用氢气刻蚀二氧化硅形成硅膜 ,用微波等离子化学气相沉积法在玻璃上生长金刚石薄膜 ,并用X射线衍射、Raman光谱和光电子能谱对石英玻璃上的金刚石薄膜进行分析 ,指出其形成中间层SiO2 /Si/SiC/C(金刚石 )是在石英玻璃上生长金刚石薄膜的关键。

关键词：微波等离子 cvd法石英玻璃生长金刚石薄膜化学气相沉积法 X射线衍射 Raman光谱光电子能谱

直接光cvd法低温生长SiO＿2薄膜技术及其应用

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四川大学学报（自然科学版） 1994年第4期31卷 465-470页

作者：杜开瑛龙学精刘勇林中军梁伯勋刘文海四川大学物理系国营4431厂

使用自制的微波激励式真空紫外光化学汽相淀积设备，以硅烷和氧为反应气体，在３２～２２０℃的低温下，成功地淀积出了优质实用的ＳｉＯ＿２薄膜；测试结果表明，淀积膜的组分结构、主要光学及电学特性均与高温生长膜的相符，将该技术... 详细信息

使用自制的微波激励式真空紫外光化学汽相淀积设备，以硅烷和氧为反应气体，在３２～２２０℃的低温下，成功地淀积出了优质实用的ＳｉＯ＿２薄膜；测试结果表明，淀积膜的组分结构、主要光学及电学特性均与高温生长膜的相符，将该技术应用于某些晶体管及热敏打印元件的制作工艺中，已取得了明显的实用效果。

关键词：直接光 cvd法二氧化硅薄膜

卤素输运cvd法形成的ZnS:Mn薄膜EL显示技术

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液晶与显示 1990年第5期10卷 41-43页

作者：李文连

前言薄膜EL显示器件的显示质量高、性能可靠,在平板显示应用中正引人注目。目前ZnS:Mn橙黄色显示业已付诸实际应用。ZnS:Mn发光层的制作技术有三种:(1)电子束蒸发法(含溅射法)。把ZnS与Mn制成混合块,通过电子束使其加热蒸发,以物理沉积... 详细信息

前言薄膜EL显示器件的显示质量高、性能可靠,在平板显示应用中正引人注目。目前ZnS:Mn橙黄色显示业已付诸实际应用。ZnS:Mn发光层的制作技术有三种:(1)电子束蒸发法(含溅射法)。把ZnS与Mn制成混合块,通过电子束使其加热蒸发,以物理沉积的方式蒸发到基板上。(2)原子层外延法(ALE)。把原料气体交互地向基板上供给,通过生长表面上的化学反应一层一层地形成原子层。尽管这种ALE法的成膜速度慢,在生产上有问题,但可形成高质量的ZnS薄膜。

关键词：电子束蒸发法 cvd法 EL ZnS:Mn 原子层外延溅射法纤锌矿结构发光层热蒸发生长表

纳米碳管的制备（cvd法）、表征及其在催化中的应用

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纳米碳管的制备（CVD法）、表征及其在催化中的应用

作者：徐丽萍浙江工业大学

学位级别：硕士

纳米碳管自1991年被发现以来，目前主要的制备方法有电弧法和化学气相沉积(cvd)法。由于cvd法产率高，设备简单，工艺参数易于控制，重复性好，实验中我们采用cvd法制备纳米碳管。在cvd法中，影响因素很多。本论文通过XRD、TG-DTA、TEM... 详细信息

纳米碳管自1991年被发现以来，目前主要的制备方法有电弧法和化学气相沉积(cvd)法。由于cvd法产率高，设备简单，工艺参数易于控制，重复性好，实验中我们采用cvd法制备纳米碳管。在cvd法中，影响因素很多。本论文通过XRD、TG-DTA、TEM和SEM等表征手段研究了催化剂的制备方法、种类及反应温度、载气流速对所制备的纳米碳管的直径、直径分布、石墨化程度及组成的影响。在此基础上分析了cvd法制备纳米碳管的动力学机理，考察了纳米碳管的氧化反应稳定性和动力学性质。并用邻硝基甲苯常压下气相加氢生成邻甲基苯胺作为探针反应研究了纳米碳管负载镍催化剂的催化性能。与普通浸渍法制备的催化剂相比较，配合浸渍法制备的催化剂颗粒度小，活性组分具有更高的分散度。在制备过程中通过配体的挥发在活性组分周围留下的空框结构有利于形成局部较高的气相分压，增加了吸附碳原子的扩散推动力，促进了纳米碳管的生长。低温(750℃以下)有利于生成管径小且均匀，管壁洁净的纳米碳管。高温(750℃以上)容易生成多壁、大直径的纳米碳管或碳纳米棒。在Co/AlO和Ni/AlO催化生成纳米碳管的过程中，活性组分Co与载体AlO之间比Ni与AlO之间存在强烈的相互作用。相较于Co，Ni与载体γ-AlO之间具有较强的相互作用，生成了更多的新相物质。在Ni/AlO上制备的纳米碳管石墨化程度较高。在最佳温度(650℃)下，Co/AlO上制备的纳米碳管的产率为457g/100g·cat，明显高于Ni/AlO上的产率342g/100g·cat。与Co/AlO相比，Co/SiO作载体时在650℃反应生成的纳米碳管的产率只有131g/100g·cat，且纳米碳管直径小，直径分布范围窄(10nm～20nm)。但在空气气氛中的DTA结果表明，在催化剂Co/SiO上生成的纳米碳管的抗氧化能力较在催化剂Co/AlO上生成的纳米碳管强。通过DTA曲线上放热峰的峰温和半峰宽的分析得出，无定形碳的放热峰峰温T＜380℃。纳米碳管的DTA放热峰的峰温T随着纳米碳管的直径和石墨化的程度的增加而升高，半峰宽随着纳米碳管的直径的分布范围增大而增宽。在Co/AlO和Ni/AlO上，随着反应温度升高，纳米碳管(002)晶面层间距减小，纳米碳管的石墨化程度增强，直径增大，直径分布范围增宽。低温(650℃) 浙江工业大学硕士学位论文·徐丽萍有利于生成直径小且均匀的多层纳米碳管门～30urn人而高温门50℃)有利于生成直径大的多层纳米碳管(30～50urn)。但当反应温度达850℃以上时，由于催化剂活性组分颗粒因烧结而变大，导致纳米碳管的亘径分布范围反而变窄。多壁纳米碳管的直径和石墨化程度随着载气流速的增大而减小。高流速 (600ml／min)有利于生成小直径纳米碳管(25－70urn)，而低流速(100ml／min)容易生成大直径纳米碳管(14．180urn)。纳米碳管、石墨和 C6。三者因内部结构上的差异而导致抗氧化性能和热稳定性以及表观活化能的不同。＊TA分析表明在空气中抗氧化能力的强弱顺序为石墨＞纳米碳管＞C60。经TG－DTA实验数据和机理函数分析表明纳米碳管在空气中氧化反应服从凡机理，表观活化能为1巧U．m＊。石墨服从以机理，表观活化能为 193kJ．mol”’。C。。在空气中的氧化反应并不服从单一机理。采用脉冲进样法进样，用邻硝基甲苯常压下气相加氢生成邻甲基苯胺为探针反应研究了纳米碳管负载镍催化剂的催化性能。分别评价了＊负载在纳米碳管、活性炭、Y－AI。O叶SIO。上的催化活性，实验结果表明：在实验条件下，纳米碳管负载镍作催化剂时反应物的转化率和产物的选择性分别是80％和 100％。转化率分别是二氧化硅负载镍催化剂的2．36倍、活性炭负载镍催化剂的183倍和三氧化二铝负载镍催化剂的1．49倍。

关键词：纳米碳管 cvd法表征动力学催化加氢

裂解温度、裂解时间和原料气流量对cvd法生产碳纳米管的影响

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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新型炭材料 1998年第2期13卷 16-20页

作者：贾志杰马仁志梁吉魏秉庆吴德海清华大学机械系

用ＣＶＤ法生产碳纳米管时，裂解温度、裂解时间和原料气流量大小对碳纳米管的产率、形态有很大影响，其中以裂解温度的影响最大。适宜的裂解温度、裂解时间和原料气流量有利于提高碳纳米管的产率和产量。在一定范围内提高裂解温度。

关键词：碳纳米管裂解温度裂解时间原料气 cvd法

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cvd法氮化硅及氮化钛涂层试验研究

汽车工艺与材料 1996年第2期 9-11页

作者：张智华胡海泉潘子南昌河飞机工业公司

出用ＣＶＤ法在三种基材上蒸镀氮化硅及氮化钛，同时在镀层交界处镀过渡金属。经试验表明，以氮化硅为主蒸镀材，炉内温度控制在１２５０℃，并选定Ｈ２气导入量为２７００ｃｍ３／ｍｉｎ，可获得较理想的镀层。此复合膜具有高耐磨、耐... 详细信息

出用ＣＶＤ法在三种基材上蒸镀氮化硅及氮化钛，同时在镀层交界处镀过渡金属。经试验表明，以氮化硅为主蒸镀材，炉内温度控制在１２５０℃，并选定Ｈ２气导入量为２７００ｃｍ３／ｍｉｎ，可获得较理想的镀层。此复合膜具有高耐磨、耐蚀及良好的隔热性能，大大提高了涂层与基材的结合强度。

关键词： cvd法陶瓷氮化硅涂层氮化钛涂层

用热cvd法超微粒子涂覆装置制取SiC-Si_3N_4

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稀有金属快报 2008年第8期27卷 42-43页

作者：吴全兴

SiC和Si3N4作为高温材料引人注目.由于SiC在氧化性气氛中会升华，因此加入（低温下强度较差的）si3N。制成SiC—Si3N4复合粉体，使其在氧化性气氛中具有耐热性。但这种复合粉体烧结性差，为此，人们进行了各种探索，以期望它在原料粉体... 详细信息

SiC和Si3N4作为高温材料引人注目.由于SiC在氧化性气氛中会升华，因此加入（低温下强度较差的）si3N。制成SiC—Si3N4复合粉体，使其在氧化性气氛中具有耐热性。但这种复合粉体烧结性差，为此，人们进行了各种探索，以期望它在原料粉体阶段就具有分散性，从而改善其烧结性。如探讨了纳米粉体的开发，以及电炉法、等离子法、激光法等多种SiC—Si3N4复合粉体的配制方法。

关键词： Si3N4 SiC 涂覆装置超微粒子 cvd法氧化性气氛复合粉体制取