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Photoluminescence from Electron-Beam Deposited CeO2 Thin Film after High Temperature Thermal Annealing

Chinese Physics Letters 2006年第7期23卷 1919-1922页

作者：方应翠章壮健沈杰陆明 School of Vacuum Section of Mechanical and Automotive Engineering Hefei University of Technology Hefei 230009 Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale University of Science and Technology of China Hefei 230026 Department of Materials Science Fudan University Shanghai 200433 Department of Optical Science and Engineering and the State Key Laboratory of Advanced Photonic Materials and Devices Fudan University Shanghai 200433

CeOx films are deposited onto the surface of a SiO2 matrix embedded with Si nanocrystals （nc-Si/SiO2） by electron-beam evaporation of CeO2 powder in high vacuum. By tuning the thickness of the CeOx film, photoluminescence （PL） spectra centred at 330, 358, 378, 388, 400, and 450hm, respectively, are observed. It has been identified that the PL centred at 358, 388 and 400 nm are from cerium silicide compounds, and those centred at 330hm, 378nm are due to Ce^3＋ ions, while the 450hm PL is from the defects in the SiO2 matrix.

关键词： crystal-structures CERIUM SILICON

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