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作者

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  • 1 篇 蒋民华
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  • 1 篇 宁丽娜
  • 1 篇 邓志杰
  • 1 篇 徐进
  • 1 篇 陈娟
  • 1 篇 朝阳
  • 1 篇 王英民

语言

  • 49 篇 中文
检索条件"主题词=CREE公司"
49 条 记 录,以下是1-10 订阅
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cree公司收益颇丰
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激光与光电子学进展 2007年 第12期44卷 5-5页
作者: 朝阳(编译)
在2007年前3个季度内cree公司的现金储备升至2.53亿美元,这笔资金将被用作下一年度的收购基金。其2008年第一个财政季度结束于2007年9月23日,收入达到了1.134亿美元。Durham和North Carolina公司同期净收入达到1、28亿美元,其中Colo... 详细信息
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cree公司XLAMP LED系列新成员
收藏 引用
电子产品世界 2005年 第1B期12卷 44-44页
cree公司4500系列Xlamp产品基于大功率、固态LED技术,它可以作为白炽灯或其他传统光源的替代品,用于建筑或重要照明应用及其他普通照明应用中。4550系列Xlamp产品使用中等大功率表面贴装封装,以1/2W工作,典型工作电流为125mA,占... 详细信息
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cree公司绿光LED
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电子产品世界 2004年 第7B期11卷 29-29页
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Marvell与cree公司联合推出消费级LED灯符合“能源之星”标准
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电子质量 2012年 第11期 57-57页
全球整合式芯片解决方案的领导厂商美满电子科技日前宣布.推出与cree公司合作开发的最新60瓦可调光A19LED灯的交钥匙参考设计,两家公司的再度联手将继续推动LED照明解决方案的变革。
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美国cree公司生长出无微管100mm4HN型SiC晶片
收藏 引用
现代材料动态 2009年 第7期 10-10页
作者: 邓志杰(摘译)
美国cree公司采用PVT技术首次成功生长出无微管缺陷的100mm4HN型SiC单晶片,(近来,100mm低微管SiC单晶片已量产)进行C轴生长有利于消除微管。批量生产100mm4HN—SiC晶片中微管密度平均值为0.8cm^-2,这就有利于“集中精力”降低IC螺... 详细信息
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3英寸6H-SiC单晶的生长
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人工晶体学报 2007年 第3期36卷 717-718页
作者: 王英民 宁丽娜 陈秀芳 彭燕 高玉强 胡小波 徐现刚 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南250100
SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领... 详细信息
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cree推出新一代高亮度椭圆形LED实现数字广告牌和标牌应用卓越性能
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半导体技术 2008年 第12期33卷 1149-1150页
2008年10月23日,中国,北京——LED照明市场领先厂商cree公司(Nasdaq:cree)宣布,推出其新一代高亮度蓝、绿和红色4和5mm椭圆形LED。这些新型椭圆形LED具有蓝、绿和红色的光匹配辐射图形,实现数字广告牌和全色标牌应用领域卓越的... 详细信息
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光源技术信息
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光电技术 2009年 第3期51卷 39-46页
作者: 徐进(摘编)
***将推出新型LED,光通量将再创新高cree公司宣布,其XLamp XP—GLED被称之为“业界最亮且具有最高效率的照明级LED”。特别需要注意的是,该产品不适合商业应用,但cree公司目前正在对产品进行采样,并表示该产品应会在2009年第三季... 详细信息
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隆达、cree与贺喜携手合作开发LED路灯
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中国路灯 2015年 第5期 20-21页
隆达电子21日宣布与贺喜能源、美商cree公司进行LED路灯合作开发,结合隆达电子与cree的LED光源技术、以及贺喜的灯具机构与散热设计,共同规划新世代路灯产品之蓝图.
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LED技术动态
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广东科技 2011年 第9期20卷 91-92页
从LED的技术研发来看。世界主要的LED公司不断取得新技术方面的突破’眭进展,半导体照明技术创新的步伐正在不断加快。日本NichiaTM2006年12月开发出了1501m/W的实验室内照明灯用白光LED;2006年7月美国cree公司开发出了发光效率达13... 详细信息
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