检索结果-南通市图书馆

SiC MOSFET、Si coolmos和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用

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电工技术学报 2015年第12期30卷 41-50页

作者：梁美郑琼林可翀李艳游小杰北京交通大学电气工程学院北京100044 华北水利水电大学电力学院郑州450046

碳化硅(Si C)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。Si C半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性对比及评估越来越有必要。本文主要对比了Si C MOSFET、Si Cool MOS和IGBT的静态特性。并搭建了基于Buck... 详细信息

碳化硅(Si C)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。Si C半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性对比及评估越来越有必要。本文主要对比了Si C MOSFET、Si Cool MOS和IGBT的静态特性。并搭建了基于Buck变换器的测试平台,测试条件为输入电压为400V,电流为4~10A,对比了三种器件的开关波形、开关时间、开关损耗、dv/dt、di/dt以及内部二极管的反向恢复特性。设计了一台2k W的双主动全桥(DAB)变换器的实验样机,对比了应用三种器件的DAB变换器的理论效率和实测效率。

关键词： SiC MOSFET coolmos IGBT 特性 DAB变换器

高压coolmos的准饱和效应分析及优化设计

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微电子学 2009年第4期39卷 580-583页

作者：祝靖钱钦松孙伟锋李海松东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096

分析了利用多次外延/离子注入工艺方法制造的高压coolmos(>650 V)的准饱和现象,与普通的低压coolmos的准饱和现象进行了对比。结果发现,准饱和首先发生在N-Pillar的底部,分析了这种现象产生的原因。为了改善器件的准饱和效应,提出一种... 详细信息

分析了利用多次外延/离子注入工艺方法制造的高压coolmos(>650 V)的准饱和现象,与普通的低压coolmos的准饱和现象进行了对比。结果发现,准饱和首先发生在N-Pillar的底部,分析了这种现象产生的原因。为了改善器件的准饱和效应,提出一种简单的优化结构,在几乎不改变器件的导通电阻和击穿电压的前提下,使器件的开态准饱和电流提高了约40%,并且利用仿真软件Sentaurus Device进行了模拟仿真。

关键词：高压器件 coolmos 准饱和浮置P—Pillar

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coolmos核心专利引文分析

河南科技 2018年第21期37卷 45-47页

作者：李介胜国家知识产权局专利局

核心专利带动技术发展。本文检索了coolmos核心专利的引文专利数据,分析了这些专利的申请趋势、主要申请人,以英飞凌为代表进一步分析了如何在核心专利的基础上进行专利布局,借助专利稳固自身的市场地位。

关键词： coolmos 核心专利外围专利引文

coolmos导通电阻分析及与VDMOS的比较

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电子器件 2008年第4期31卷 1219-1222页

作者：袁寿财刘亚媚赣南师范学院物理与电子信息学院江西赣州341000

为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或coolmos,coolmos由一系列的P型和N型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p型和n型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p型和n型层... 详细信息

为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或coolmos,coolmos由一系列的P型和N型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p型和n型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p型和n型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于coolmos的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对coolmos导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对coolmos横向器件:Ron.A=C.V2B,对纵向器件:Ron.A=***,与纵向DMOS导通电阻与击穿电压之间Ron.A=C.V2B.5的关系相比,coolmos的导通电阻降低了约两个数量级。

关键词： coolmos 超级结器件导通电阻击穿电压 VDMOS

e络盟为亚太区新增英飞凌革命性的coolmos^(TM)系列功率MOSFET

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半导体信息 2014年第4期 5-6页

作者：江安庆

e络盟日前宣布提供来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的高压MOSFET产品组合—C7和P6系列coolmosTM功率MOSFET,它们具备极低的开关和传导损耗,从而可实现更高的功率密度和效率。同时,该系列功率MOSFET还提供最优化的硬开关... 详细信息

e络盟日前宣布提供来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的高压MOSFET产品组合—C7和P6系列coolmosTM功率MOSFET,它们具备极低的开关和传导损耗,从而可实现更高的功率密度和效率。同时,该系列功率MOSFET还提供最优化的硬开关拓扑性能,完美应用于太阳能、服务器、电信设备及UPS(不间断电源)等应用领域。英飞凌科技公司高压功率转换产品负责人Jan-WillemReynaerts表示:"

关键词：英飞凌 coolmos TM 不间断电源硬开关电信设备应用领域最优化提供商产品组合

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600V coolmos优化设计

电子器件 2009年第2期32卷 296-299,305页

作者：杨帆钱钦松孙伟锋东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096

coolmos具有优越的直流特性。为了设计出一个600V coolmos结构,首先coolmos的结构入手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、低导通电阻Ron的原理。通过理论计算,得到相关的设计参数,并结合TCAD软件对Cool-MOS的多个参数(外延参数... 详细信息

coolmos具有优越的直流特性。为了设计出一个600V coolmos结构,首先coolmos的结构入手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、低导通电阻Ron的原理。通过理论计算,得到相关的设计参数,并结合TCAD软件对Cool-MOS的多个参数(外延参数、注入剂量、单胞尺寸、推阱时间)进行了优化。最终得到击穿电压为630 V,特征导通电阻RonA仅为12.5 mΩ.cm-2的coolmos结构,器件特性大大优于传统功率MOSFET。

关键词： coolmos 电荷平衡器件模拟击穿电压特征导通电阻

新型组合式coolmos器件在开关电源中的应用研究

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家庭电子 2004年第9期 9-10页

作者：杨月海

coolmos ICE2A165/265/365是Infineon technologies公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片,其突出特点是由其组成的开关电源,在市电电网中工作时,无需外加散热器即可输出20～50W的输出功率;且能自动降低空载时的工作频率,从而降低待机状... 详细信息

coolmos ICE2A165/265/365是Infineon technologies公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片,其突出特点是由其组成的开关电源,在市电电网中工作时,无需外加散热器即可输出20～50W的输出功率;且能自动降低空载时的工作频率,从而降低待机状态的损耗;同时还具有过、欠压保护、过热保护、过流保护以及自恢复功能,因而在中小功率开关电源中有着广泛的应用前景.

关键词：开关电源 coolmos MOSFET 市电待机状态器件芯片电网过热保护过流保护

新型组合式coolmos器件在开关电源中的应用研究

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国外电子元器件 2004年第5期 69-71页

作者：王忠赵珂向瑛南昌航空工业学院电子系江西南昌330034

coolmosICE2A165/265/365是Infineontechnologies公司推出的系列PWM +MOSFET二合一芯片 ,其突出特点是由其组成的开关电源 ,在市电电网中工作时 ,无需外加散热器即可输出20～50W的输出功率 ;且能自动降低空载时的工作频率 ,从而降低待... 详细信息

coolmosICE2A165/265/365是Infineontechnologies公司推出的系列PWM +MOSFET二合一芯片 ,其突出特点是由其组成的开关电源 ,在市电电网中工作时 ,无需外加散热器即可输出20～50W的输出功率 ;且能自动降低空载时的工作频率 ,从而降低待机状态的损耗 ;同时还具有过、欠压保护、过热保护、过流保护以及自恢复功能 ,因而在中小功率开关电源中有着广泛的应用前景。

关键词： coolmos 开关电源 PWM MOSFET开关管功率器件

英飞凌为coolmos MOSFET打造全新ThinPAK 5×6封装

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半导体信息 2014年第3期 6-7页

作者：郑畅

英飞凌科技股份公司日前推出全新的coolmos MOSFET无管脚SMD(表面贴装)封装:ThinPAK5×6。移动设备充电器、超高清电视和LED灯具都必须满足许多相互矛盾的要求。消费者希望买到外形小巧但性能优越的产品。因此,制造商需要结构紧凑、散... 详细信息

英飞凌科技股份公司日前推出全新的coolmos MOSFET无管脚SMD(表面贴装)封装:ThinPAK5×6。移动设备充电器、超高清电视和LED灯具都必须满足许多相互矛盾的要求。消费者希望买到外形小巧但性能优越的产品。因此,制造商需要结构紧凑、散热良好和经济高效的半导体解决方案。而这些空间限制可以通过缩减板载组件的尺寸和重量加以解决。据Strategy Analytics 2014年预测,全球智能手机市场在2013-2018年间预9.4%。

关键词：英飞凌科技表面贴装高清电视智能手机市场 coolmos MOSFET ThinPAK 5 空间