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Tetranuclear yttrium and gadolinium 2-acetylcyclopentanoate clusters：Synthesis and their use as spin-coating precursors for metal oxide film formation for field-effect transistor fabrication

引用

Journal of Rare Earths 2018年第10期36卷 1098-1105页

作者： Elaheh Pousaneh Andrea Preuβ Khaybar Assim Tobias Rüffer Marcus Korb Jana Tittmann-Otto Sascha Hermann Stefan E.Schulz Heinrich Lang Technische Universitat Chemnitz Faculty of Natural Sciences Institute of Chemistry Inorganic Chemistry D-09107 Chemnitz Germany Technische Universitiat Chemnitz Center for Mierotechnologies D-09107 Chemnitz Germany Fraunhofer Institute for Electronic Nano Systems ENAS Technologie-Campus 3 D-09126 Chemnitz Germany

Lanthanide clusters [Ln4（μ3-OH）2（η2-accp）4（（μ-O）-η2-accp）6]（Ln = Y（4）,Gd（5）; accp = 2-acetylcyclopentanoate） are accessible by treatment of [M（NO33·6 H2 O]（M = Y（1）,Gd（2）） with 3 equiv. of Haccp（3） in presence of NaOH. The molecular structures of 4 and 5） in the solid-state are discussed. The thermal behavior of 4 and 5 was studied by TG under Ar and O2, showing multistep decomposition processes. Additionally, DSC studies were carried out under an atmosphere of O2. PXRD measurements of the TG residues confirm the formation of Ln2 ***-coating experiments were carried out with 4 and 5 for Ln2 O3 film deposition on silicon substrates. The layers are smooth, close and are of thicknesses of 18.87±1.13 nm and 25.59 ± 4.55 nm for Ln = Y and Gd, which was evidenced by SEM and EDX studies. Field-effect transistors were successfully fabricated by deposition of carbon nanotubes on top of the Y2 O3 films and formation of palladium contacts by a lift-off procedure. An on/off ratio of more than 4 orders of magnitude is achieved without considerable leakage currents. These results demonstrate the potential use of spin-coated Y2 O3 as a gate dielectric in electronic devices.

关键词： β-Diketonates Yttrium Gadolinium Thermal analysis Spin coating cnt transistor

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