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Surface charge transfer doping of graphene using a strong molecular dopant cn6-cp

Chinese Chemical Letters 2023年第3期34卷 553-556页

作者： Xiaojuan Dai Liyao Liu Zhen Ji Qing Meng Ye Zou Beijing National Laboratory for Molecular Sciences CAS Key Laboratory of Organic SolidsInstitute of ChemistryChinese Academy of SciencesBeijing 100190China School of Chemical Sciences University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China

Surface charge transfer doping of graphene plays an important role in graphene-based electronics due to its simplicity,high doping efficiency,and ***,we demonstrate the effective surface charge transfer hole doping of graphene by using a strong p-type molecular dopant hexacyanotrimethylene-cyclopropane (cn6-cp).The cn6-cp exhibits a very high intrinsic work function of 6.37 e V,which facilitates remarkable electron transfer from graphene to cn6-cp as revealed by in situ photoelectron spectroscopy ***,hole accumulation appears in the graphene layer at the direct contact with *** evidenced by Hall effect measurements,the areal hole density of graphene significantly increased from 8.3×10^(12)cm^(-2) to 2.21×10^(13)cm^(-2) upon 6 nm cn6-cp *** cn6-cp acceptor with strong p-doping effect has great implications for both graphene-based and organic electronics.

关键词： Graphene Surface charge transfer doping Molecular dopant cn6-cp Hall effect

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