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精细与专用化学品 2006年第22期14卷 35-35页

作者：范淑敏

BASF公司称，它将与TMP公司合作开发用于铜和障壁化学机构平面化cmp浆料类电子材料，现已进入了联合开发和领证合约阶段。TMP是Top—pan Printing与TDK的合资企业。BASF提供用于半导体和平板显示屏行业的高纯化学品以及末端制造配方方... 详细信息

BASF公司称，它将与TMP公司合作开发用于铜和障壁化学机构平面化cmp浆料类电子材料，现已进入了联合开发和领证合约阶段。TMP是Top—pan Printing与TDK的合资企业。BASF提供用于半导体和平板显示屏行业的高纯化学品以及末端制造配方方面的专业知识。TMP则提供用于半导体与硬盘驱动行业的精细与精密度抛光和平坦化方面的专业知识。BASF公司的目标是在铜与障壁cmp浆料领域更高层次的创新。两家公司将共同把焦点放在生产改进上，将结合BASF存化学品与纳米技术的知识和市场经验，以及TMP的器材与产品知识。按照合约，巴斯夫公司会以TMP的技术为基础，向日本以外的客户提供浆料，资金细节没有透露。

关键词： BASF公司 cmp浆料合作开发 TMP Printing 专业知识纳米技术平板显示屏

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水相体系纳米γ-AI_2O_3浆料的分散稳定性能研究

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材料科学与工艺 2005年第5期13卷 506-508,512页

作者：宋晓岚王海波曲鹏吴雪兰邱冠周中南大学资源加工与生物工程学院湖南长沙410083

为确定配制稳定的纳米γ-Al2O3化学机械抛光(cmp)浆料的工艺条件,通过润湿性、Zeta电位及黏度的测定,研究了溶液pH值及添加分散剂等因素对水相体系纳米γ-Al2O3,悬浮液分散稳定性能的影响.结果表明,在纳米γ-Al2O3固含量为6%的浆料中,... 详细信息

为确定配制稳定的纳米γ-Al2O3化学机械抛光(cmp)浆料的工艺条件,通过润湿性、Zeta电位及黏度的测定,研究了溶液pH值及添加分散剂等因素对水相体系纳米γ-Al2O3,悬浮液分散稳定性能的影响.结果表明,在纳米γ-Al2O3固含量为6%的浆料中,加入异丙醇胺作为分散剂,其用量为γAl2O3粉体质量的l%,同时控制浆料的pH值约为4时,纳米γ一Al2O3粉末的润湿性能最佳,此时浆料Zeta电位值较高,黏度较小;在该条件下成功获得长时间不沉降的稳定浆料.

关键词：纳米γ-Al2O3 cmp浆料分散剂分散稳定

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纳米SiO2浆料的分散稳定性能及其对半导体硅片的电化学作用研究

纳米SiO2浆料的分散稳定性能及其对半导体硅片的电化学作用研究

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作者：吴雪兰中南大学

学位级别：硕士

纳米SiO以其独特的性能已广泛地应用于化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,cmp)以及涂料、橡胶、粘合剂、生物、医学、催化剂等其他众多领域。在cmp浆料制备过程中,如何解决由于颗粒微细、比表面能极高所产生的团聚问题,使纳米... 详细信息

纳米SiO以其独特的性能已广泛地应用于化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,cmp)以及涂料、橡胶、粘合剂、生物、医学、催化剂等其他众多领域。在cmp浆料制备过程中,如何解决由于颗粒微细、比表面能极高所产生的团聚问题,使纳米SiO浆料保持稳定分散,是纳米SiO在cmp加工应用中取得预期效果的重要前提。本文综合固体表面化学、胶体化学、界面化学和溶液化学等多学科基础理论知识,在对纳米粉体的分散技术与纳米SiO的改性技术进行归纳和总结的基础上,系统研究了水相体系纳米SiO浆料的分散稳定性能及其对半导体硅片的电化学腐蚀作用,以期为配制性能优良的纳米SiO浆料用于硅片cmp加工提供理论依据和指导。本文采用Washburn方法研究了纳米SiO在水相体系中的润湿性;通过表面ζ电位、吸光度和吸附量的测定探讨了不同水相体系条件和多种表面活性剂对纳米SiO浆料分散稳定性能的影响,并运用粉体间相互作用的DLVO及EDLVO理论分析讨论了体系的分散稳定作用机理;采用电化学直流极化和交流阻抗技术研究了半导体硅片在不同pH值纳米SiO浆料中的电化学特性。研究结果表明:水相体系pH为2.45左右时纳米SiO的润湿效果最好,其润湿速度最快;而当水相体系的pH为9.52左右时,其润湿效果最差。纳米SiO的等电点约为2左右,在pH为9～11之间纳米SiO浆料的ζ电位绝对值较高,相应分散性能较好;纳米SiO在无分散剂的水相体系中易产生聚沉,加入不同类型表面活性剂可改善纳米SiO浆料的分散稳定性,当加入阴/非离子表面活性剂复配物后,能进一步提高体系的分散稳定性能;经理论计算和分析,认为pH值对浆料分散性的影响取决于粉体间双电层的静电排斥力;表面活性剂的分散作用主要是因为在粉体表面形成饱和吸附,增加双电层的厚度及产生空间位阻排斥作用。电化学研究显示,硅片在pH值为9～11之间的纳米SiO浆料中腐蚀电流较大,腐蚀速度较快、阻抗最小。

关键词：纳米SiO2 cmp浆料分散稳定硅片电化学

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基于纳米二氧化硅浆料的化学机械抛光研究

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材料研究与应用 2024年第4期18卷 674-679页

作者：燕禾吴春蕾段先健王跃林广州汇富研究院有限公司广东广州510663 湖北汇富纳米材料股份有限公司湖北宜昌443007

化学机械抛光技术是当今时代能实现集成电路(IC)制造中晶圆表面全局平坦化的重要技术。集成电路芯片上各个功能元器件制作完成之后,需用金属导线按照特定的功能将其连接。金属铜具有低电阻率、高导热系数和优异的抗电迁移能力,是实现互... 详细信息

化学机械抛光技术是当今时代能实现集成电路(IC)制造中晶圆表面全局平坦化的重要技术。集成电路芯片上各个功能元器件制作完成之后,需用金属导线按照特定的功能将其连接。金属铜具有低电阻率、高导热系数和优异的抗电迁移能力,是实现互连最为重要的金属材料。目前,主要采用双大马士革工艺实现芯片各元器件之间的铜导线互连,该工艺对每一层布线后铜的表面平整度有非常高的要求。因此,需采用合适的化学机械抛光技术对铜导线进行处理。研发了一款以纳米SiO_(2)为磨料的化学机械抛光液,可用于金属铜及其合金的化学机械抛光作业,浆料pH值在9—10之间且质量分数可调,研究了抛光液磨料含量和抛光工艺参数对其抛光铜片效果的影响。结果表明:抛光液中的纳米SiO_(2)磨粒原生粒径为(50±20)nm,比表面积为(50±10)m^(2)·g^(-1),粒径分布均匀,且能长时间保持稳定分布状态,经过约280 d的跟踪监测,浆料中SiO_(2)粒子中位粒径仅增大4.5%,浆料稳定性良好;抛光可实现单质铜表面亚纳米级精度,在抛光液磨料质量分数为25%、抛光加载压力为10 N、抛光头和抛光盘转速为150 r·min^(-1)且逆向旋转的工艺条件下,单质铜表面粗糙度最低,可达1.33 nm;单质铜的材料去除率最高可达160 nm·min^(-1),能够满足IC制造过程中晶圆表面快速平坦化加工的需求。

关键词：化学机械抛光集成电路单质铜纳米二氧化硅 cmp浆料弱碱性配方亚纳米级精度长期稳定

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半导体市场复苏预示电子化学品前景乐观

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国际化工信息 2004年第6期 32-33页

作者：吴健

半导体市场自去年开始复苏，但电子化学品前景却喜忧参半。由于低K值绝缘材料增长强劲，光阻材料市场前景光明，可以预计美国的电子化学品市场在中期内会出现温和增长，而湿法化学品市场则保持相对平稳。

关键词：半导体市场电子化学品湿法电子化学品光阻材料市场 cmp浆料低K值绝缘材料

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日本JSR开发出不使用稀土的半导体用研磨材料

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现代材料动态 2012年第11期 3-4页

作者：杨晓婵(摘译)

日本JSR公司开发出不使用稀土的半导体电路平坦化用研磨材料（cmp浆料），对硅片表面为使半导体元件绝缘所嵌入的氧化物膜进行研磨。新型研磨材料使用二氧化硅替代原来的稀土氧化铈，并开发了与之相适应的研磨工艺。该工艺使用颗粒浓度... 详细信息

日本JSR公司开发出不使用稀土的半导体电路平坦化用研磨材料（cmp浆料），对硅片表面为使半导体元件绝缘所嵌入的氧化物膜进行研磨。新型研磨材料使用二氧化硅替代原来的稀土氧化铈，并开发了与之相适应的研磨工艺。该工艺使用颗粒浓度等不同的2种研磨液，进行2次研磨，可获得与使用原来产品相同或以上的研磨质量。试验结果显示，

关键词：研磨材料半导体电路 JSR 稀土开发日本研磨工艺 cmp浆料

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电子化学品(下)

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上海化工 2001年第17期26卷 27-27页

作者：樊慧敏

电子化学品特种气体业务也同样受到了影响。一年前,新一代晶片生产装置的建立使得NF3一直处于供不应求的状态。现货价格达到572.7美元/公斤。

关键词：电子化学品电子材料 cmp浆料半导体材料

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