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An investigation of the DC and RF performance of InP DHBTs transferred to RF cmos wafer substrate

Journal of Semiconductors 2018年第5期39卷 54-58页

作者： Kun Ren Jiachen Zheng Haiyan Lu Jun Liu Lishu Wu Wenyong Zhou Wei Cheng Key Laboratory for RF circuits and Systems of Ministry of Education Hangzhou Dianzi UniversityHangzhou 310018China Science and technology on Monolithic integrated circuits and Modules Laboratory Nanjing 210016China

This paper investigated the DC and RF performance of the In P double heterojunction bipolar transistors（DHBTs）transferred to RF cmos wafer *** measurement results show that the maximum values of the DC current gain of a substrate transferred device had one emitter finger,of 0.8μm in width and 5μm in length,are changed unobviously,while the cut-off frequency and the maximum oscillation frequency are decreased from 220to 171 GHz and from 204 to 154 GHz,*** order to have a detailed insight on the degradation of the RF performance,small-signal models for the In P DHBT before and after substrate transferred are presented and comparably *** extracted results show that the degradation of the RF performance of the device transferred to RF cmos wafer substrate are mainly caused by the additional introduced substrate parasitics and the increase of the capacitive parasitics induced by the substrate transfer process itself.

关键词： cmos technology amplifier integrated circuits

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