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cmos电路最大功耗宏模型

计算机辅助设计与图形学学报 2003年第9期15卷 1118-1121页

作者：骆祖莹李晓维杨士元清华大学计算机科学与技术系北京100084 中国科学院计算技术研究所信息网络研究室北京100080 清华大学自动化系北京100084

参照已有的平均功耗宏模型研究成果 ,将电路最大功耗假设为输入向量对序列长度与跳变率的函数 ,并采用神经元网络拟合出该函数 ISCAS85电路集的实验结果表明 ,最大功耗宏模型的计算结果与门级电路最大功耗的实际模拟结果之间的误差可以... 详细信息

参照已有的平均功耗宏模型研究成果 ,将电路最大功耗假设为输入向量对序列长度与跳变率的函数 ,并采用神经元网络拟合出该函数 ISCAS85电路集的实验结果表明 ,最大功耗宏模型的计算结果与门级电路最大功耗的实际模拟结果之间的误差可以控制在 10

关键词： cmos电路最大功耗宏模型集成电路低功耗设计

cmos电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

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强激光与粒子束 2009年第5期21卷 742-744页

作者：王桂珍白小燕郭晓强杨善潮李瑞宾林东生龚建成西北核技术研究所西安710024

在"强光一号"加速器上,对两种cmos反相器和一种cmos存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了cmos电路的瞬时辐照效应规律,得到了cmos电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了cmos电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验... 详细信息

在"强光一号"加速器上,对两种cmos反相器和一种cmos存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了cmos电路的瞬时辐照效应规律,得到了cmos电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了cmos电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明:cmos电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低,在20 ns的脉冲宽度辐照下,cmos反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150 ns脉冲辐照下的2倍,cmos存储器6264的翻转阈值在20 ns脉冲宽度辐照下为150 ns脉冲宽度辐照下的3倍。

关键词： cmos电路辐照效应闩锁阈值翻转阈值脉冲宽度剂量率

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基于稀土金属接触的聚合物cmos电路

基于稀土金属接触的聚合物CMOS电路

作者：刘源南京邮电大学

学位级别：硕士

作为未来柔性电子学的基石,有机场效应晶体管(Organic field-effecttransistor,OFET)还没有被充分开发利用,一个重要原因是源漏电极和有机半导体之间的电接触较差,影响了器件性能和稳定性。互补MOS(Complementary MOS,cmos)电路对P型和... 详细信息

作为未来柔性电子学的基石,有机场效应晶体管(Organic field-effecttransistor,OFET)还没有被充分开发利用,一个重要原因是源漏电极和有机半导体之间的电接触较差,影响了器件性能和稳定性。互补MOS(Complementary MOS,cmos)电路对P型和N型器件要求互补对称的电学特性,以及较好的稳定性。相较于发展较为成熟的P型OFET,N型OFET器件性能还远未达到可以匹配的水平,严重限制了有机cmos电路的发展,而电接触是其中的关键。为提升有机cmos电路性能,本文以cmos反相器为例,从分立器件入手优化N型OFET器件的电接触。经过调研选用稀土金属Sc作为源漏电极,并针对cmos反相器与分立器件的联系展开研究,主要内容如下:以Au和Sc为接触电极制备了 DPPT-TTOFET,通过比较两种器件的曲线和参数发现Sc-OFET表现出更优异的N型特性,更好抑制了 P型特性;以Sc为接触电极制备了不同的DPPT-TT和N2200 OFET。通过对不同厚度器件的饱和区转移特性曲线测试分析,基于N2200的器件表现出了更好的单极性,且各方面性能参数优于前者;以DPPT-TT为机半导体层,改变源漏电极的厚度来制备不同厚度的Au、Sc器件,结果表明随着电极厚度增加,器件有源层成膜变得不均匀从而影响器件性能;因此20 nm厚度的源漏电极为最佳工艺条件;通过改变DPPT-TT退火温度,结果表明高温退火会引入缺陷,同时造成内部无序,最后确定DPPT-TT最佳退火条件为150℃/1 h,器件性能较优;通过改变N型OFET电极,我们发现稀土金属Sc接触电极的确可以提升N型OFET器件性能,从而提升cmos反相器性能。

关键词：有机场效应晶体管 cmos电路稀土金属电接触

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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cmos电路抗Latchup性能研究

Journal of Semiconductors 1995年第5期16卷 385-390页

作者：费新礴朱正涌清华大学微电子研究所

本文研究了ＣＭＯＳ电路中的Ｌａｔｃｈｕｐ效应．通过实验研究了ＣＭＯＳ电路不同版图尺寸和多种抗Ｌａｔｃｈｕｐ技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Ｌａｔｃｈｕｐｆｒｅｅ结构．本文同时使用ＰＩＳＣＥＳ对Ｌａ... 详细信息

本文研究了ＣＭＯＳ电路中的Ｌａｔｃｈｕｐ效应．通过实验研究了ＣＭＯＳ电路不同版图尺寸和多种抗Ｌａｔｃｈｕｐ技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Ｌａｔｃｈｕｐｆｒｅｅ结构．本文同时使用ＰＩＳＣＥＳ对Ｌａｔｃｈｕｐ效应进行了二维模拟．

关键词： cmos电路抗Latchup 寄生效应

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cmos电路的低功耗设计技术

半导体技术 1996年第3期12卷 45-50页

作者：羊性滋清华大学微电子学研究所

ＣＭＯＳ集成电路随着规模和速度的迅速提高以及在便携式电子产品中的广泛应用，电路功耗已成为人们关注的关键问题。本文重点叙述了降低ＣＭＯＳ电路功耗的主要途径和低功耗设计技巧。

关键词： cmos电路低功耗设计集成电路

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cmos电路的最大动态功耗计算和测试生成

电子学报 1993年第2期21卷 48-54页

作者：金树泽树下行三北方交通大学 OsakaUniersity565北京100044

本文首先提出,cmos电路的最大动态功耗计算,可以通过计算在特定输入序列作用下电路中的不变门数的最小值来实现。本文提出的极性推导、赋值法可以快速求解不变门数的最小值,并生成相应的输入序列。该算法与电路的输入变量数无关。

关键词： cmos电路功耗计算测试集成电路

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cmos电路γ总剂量辐射效应评论

核电子学与探测技术 1992年第1期12卷 27-34页

作者：陈盘训高文明谢泽元米榜中国工程物理研究院应用电子学研究所成都527信箱610003

本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固cmos电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺cmos电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的辐射特性退火观察... 详细信息

本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固cmos电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺cmos电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的辐射特性退火观察。实验的同时,对美国RCA公司的一种未加固电路作了辐射测量。用该结果与国产电路的辐射特性作了比较。本文认为^(6O)Co源可以作为合适的核爆总剂量辐射效应模拟源。

关键词： cmos电路总剂量辐射加固退火

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薄膜SOI／cmos的SPICE电路模拟

电子学报 1994年第5期22卷 88-93页

作者：王阳元奚雪梅甘学温程玉华李映雪北京大学微电子学研究所

鉴于ＳＰＩＣＥ是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序，且具有可扩展模型的灵活性，我们通过修改ＳＰＩＣＥ源程序把新器件模型──ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型移植入ＳＰＩＣＥ中，通过我们的模拟工作，证实了我们模型的正确性和电路实... 详细信息

鉴于ＳＰＩＣＥ是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序，且具有可扩展模型的灵活性，我们通过修改ＳＰＩＣＥ源程序把新器件模型──ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型移植入ＳＰＩＣＥ中，通过我们的模拟工作，证实了我们模型的正确性和电路实用性，分析了器件参数对ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度的影响，这些结论可以很好地指导电路设计和工艺实践．

关键词：薄膜电路 SOI cmos电路 SPICE电路

cmos电路中外部能耗控制模块的设计与实现

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现代电子技术 2016年第22期39卷 112-115,120页

作者：李瑞芳郑州工业应用技术学院机电工程学院河南郑州451150

传统的大规模集成电路的功耗控制方法存在运算量高、精确度有限的问题。因此,基于双阈值低功耗技术设计并实现cmos电路中外部能耗控制模块,采用双阈值电压技术通过较低阈值的晶体管设计cmos能耗控制模块。通过高阈值电压的NMOS管控制低... 详细信息

传统的大规模集成电路的功耗控制方法存在运算量高、精确度有限的问题。因此,基于双阈值低功耗技术设计并实现cmos电路中外部能耗控制模块,采用双阈值电压技术通过较低阈值的晶体管设计cmos能耗控制模块。通过高阈值电压的NMOS管控制低阈值模块,降低电路的泄露电流,使用低阈值模块中的NMOS管对cmos门单元电路进行管理,提高门单元电路的运行效率,降低总体cmos电路的功耗。采用双阈值技术设计cmos电路的单边沿脉冲触发器,对触发器的时钟响应电路进行优化,确保时钟翻转通过数字信号进行管理,极大降低时钟翻转频率,减小电路动态功耗。实验结果表明,所设计模块具有较高的控制效率,较低的延迟和功耗,其控制下的cmos电路节能效果显著。

关键词： cmos电路能耗控制双阈值 NMOS