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cmos电路平均功耗最小平方估计技术

上海交通大学学报 2002年第3期36卷 315-318页

作者：卢君明林争辉上海交通大学大规模集成电路研究所上海200030

功耗估计是数字 VLSI设计中需要重点考虑的因数 .由于芯片管腿数的增加 ,通过穷举仿真获得电路平均功耗的方法也越来越不现实 .文中将最小平方估计方法应用于 COMS VLSI的平均功耗估计 .该方法与电路功耗的概率分布无关 ,而且是无偏估... 详细信息

功耗估计是数字 VLSI设计中需要重点考虑的因数 .由于芯片管腿数的增加 ,通过穷举仿真获得电路平均功耗的方法也越来越不现实 .文中将最小平方估计方法应用于 COMS VLSI的平均功耗估计 .该方法与电路功耗的概率分布无关 ,而且是无偏估计 .在 ISCAS85基准电路上的仿真结果表明 ,新方法与 Monte Carlo方法相比。

关键词： cmos电路平均功耗最小平方估计 Monte-Carlo ULSI

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cmos电路总剂量效应最劣偏置甄别

强激光与粒子束 2012年第11期24卷 2757-2762页

作者：丁李利郭红霞王忠明陈伟范如玉清华大学工程物理系北京100084 西北核技术研究所西安710024

采用电路分析和解析建模方法研究了cmos电路中甄别总剂量效应最劣辐照与测试偏置的问题。通过引入小规模模拟电路和数字电路的例子进行具体分析,获取了不同电路的最劣偏置情况。对于数字电路,引入了敏感因子的概念用于定量计算不同辐照... 详细信息

采用电路分析和解析建模方法研究了cmos电路中甄别总剂量效应最劣辐照与测试偏置的问题。通过引入小规模模拟电路和数字电路的例子进行具体分析,获取了不同电路的最劣偏置情况。对于数字电路,引入了敏感因子的概念用于定量计算不同辐照与测试偏置组合下电路的总剂量效应敏感程度。利用实测数据或电路仿真结果对甄别结果进行了一一验证,得到相一致的结论,证明了该研究思路的正确性。

关键词： cmos电路总剂量效应最劣偏置敏感因子

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cmos 电路 X 射线辐射剂量增强效应

核技术 1997年第7期20卷 391-394页

作者：陈盘训周开明中国工程物理研究院应用电子学研究所

研究了ＣＭＯＳ电路在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，测量了相对剂量增强系数。对不同工艺ＣＭＯＳ电路的剂量增强系数进行了比较，并对高原子序数材料的Ｘ射线剂量增强机理进行了讨论。

关键词： cmos电路 X射线剂量增强辐射效应集成电路

cmos电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

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强激光与粒子束 2009年第5期21卷 742-744页

作者：王桂珍白小燕郭晓强杨善潮李瑞宾林东生龚建成西北核技术研究所西安710024

在"强光一号"加速器上,对两种cmos反相器和一种cmos存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了cmos电路的瞬时辐照效应规律,得到了cmos电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了cmos电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验... 详细信息

在"强光一号"加速器上,对两种cmos反相器和一种cmos存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了cmos电路的瞬时辐照效应规律,得到了cmos电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了cmos电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明:cmos电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低,在20 ns的脉冲宽度辐照下,cmos反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150 ns脉冲辐照下的2倍,cmos存储器6264的翻转阈值在20 ns脉冲宽度辐照下为150 ns脉冲宽度辐照下的3倍。

关键词： cmos电路辐照效应闩锁阈值翻转阈值脉冲宽度剂量率

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cmos电路的最大动态功耗计算和测试生成

电子学报 1993年第2期21卷 48-54页

作者：金树泽树下行三北方交通大学 OsakaUniersity565北京100044

本文首先提出,cmos电路的最大动态功耗计算,可以通过计算在特定输入序列作用下电路中的不变门数的最小值来实现。本文提出的极性推导、赋值法可以快速求解不变门数的最小值,并生成相应的输入序列。该算法与电路的输入变量数无关。

关键词： cmos电路功耗计算测试集成电路

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cmos电路γ总剂量辐射效应评论

核电子学与探测技术 1992年第1期12卷 27-34页

作者：陈盘训高文明谢泽元米榜中国工程物理研究院应用电子学研究所成都527信箱610003

本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固cmos电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺cmos电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的辐射特性退火观察... 详细信息

本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固cmos电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺cmos电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的辐射特性退火观察。实验的同时,对美国RCA公司的一种未加固电路作了辐射测量。用该结果与国产电路的辐射特性作了比较。本文认为^(6O)Co源可以作为合适的核爆总剂量辐射效应模拟源。

关键词： cmos电路总剂量辐射加固退火

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cmos电路抗Latchup性能研究

Journal of Semiconductors 1995年第5期16卷 385-390页

作者：费新礴朱正涌清华大学微电子研究所

本文研究了ＣＭＯＳ电路中的Ｌａｔｃｈｕｐ效应．通过实验研究了ＣＭＯＳ电路不同版图尺寸和多种抗Ｌａｔｃｈｕｐ技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Ｌａｔｃｈｕｐｆｒｅｅ结构．本文同时使用ＰＩＳＣＥＳ对Ｌａ... 详细信息

本文研究了ＣＭＯＳ电路中的Ｌａｔｃｈｕｐ效应．通过实验研究了ＣＭＯＳ电路不同版图尺寸和多种抗Ｌａｔｃｈｕｐ技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Ｌａｔｃｈｕｐｆｒｅｅ结构．本文同时使用ＰＩＳＣＥＳ对Ｌａｔｃｈｕｐ效应进行了二维模拟．

关键词： cmos电路抗Latchup 寄生效应

用于cmos电路平均功耗快速模拟的输入向量对序列压缩方法:理论与实践

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计算机学报 2001年第10期24卷 1034-1043页

作者：骆祖莹闵应骅杨士元清华大学自动化系北京100084 中国科学院计算技术研究所北京100080

过大的平均功耗使芯片产生较多的热量 ,降低芯片的可靠性及性能 ,严重时会损坏芯片 ,因此有效地对电路平均功耗做出精确的估计非常重要 .由于实际电路存在时间延迟 ,而考虑延时的电路功耗模型计算量较大 ,用模拟方法求取电路平均功耗非... 详细信息

过大的平均功耗使芯片产生较多的热量 ,降低芯片的可靠性及性能 ,严重时会损坏芯片 ,因此有效地对电路平均功耗做出精确的估计非常重要 .由于实际电路存在时间延迟 ,而考虑延时的电路功耗模型计算量较大 ,用模拟方法求取电路平均功耗非常耗时 .为了在较短的时间内对 VL SI电路的平均功耗做出较为可信的估计 ,该文提出了一套电路功耗分析理论 ,并由此给出了一种用于 cmos电路平均功耗快速模拟的输入向量对序列压缩方法 ,ISCAS85及

关键词：功耗估计序列压缩 cmos电路集成电路

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混合型多值cmos电路的代数理论

电子与信息学报 2001年第1期23卷 75-80页

作者：陈偕雄吴训威沈继忠程捷浙江大学电子工程系杭州310028

该文在传输函数理论和电流型cmos电路代数理论的基础上,提出了混合型多值cmos电路的代数理论,并应用该理论设计了译码器和编码器。设计结果表明基于该代数理论的设计优于传统设计。

关键词：多值逻辑逻辑设计 cmos电路传输函数代数理论