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控制场效应晶体管（cfet）──一种新型的MMIC控制器件

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固体电子学研究与进展 1996年第2期 102-102页

作者：曲兰欣

控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）──一种新型的ＭＭＩＣ控制器件据《ＩＥＥＥ１９９５Ｍ．＆ＭＭ．Ｗ．Ｍｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．Ｓｙｍｐ》报道，ＤａｖｉｄＪ．Ｓｅｙｍｏｕｒ等研制成一种微波单片控制电路用的新型ＧａＡｓ器件──控制... 详细信息

控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）──一种新型的ＭＭＩＣ控制器件据《ＩＥＥＥ１９９５Ｍ．＆ＭＭ．Ｗ．Ｍｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．Ｓｙｍｐ》报道，ＤａｖｉｄＪ．Ｓｅｙｍｏｕｒ等研制成一种微波单片控制电路用的新型ＧａＡｓ器件──控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）。为了降低...

关键词：场效应晶体管单极晶体管场效应器件 cfet MMIC 控制器件

New structure transistors for advanced technology node CMOS ICs

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National Science Review 2024年第3期11卷 24-41页

作者： Qingzhu Zhang Yongkui Zhang Yanna Luo Huaxiang Yin Integrated Circuit Advanced Process R&D Center Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences(IMECAS) State key Lab of Fabrication Technologies for Integrated Circuits Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences School of Integrated Circuits University of Chinese Academy of Sciences

Over recent decades, advancements in complementary metal-oxide-semiconductor integrated circuits(ICs)have mainly relied on structural innovations in transistors. From planar transistors to the fin field-effect transistor(FinFET) and gate-all-around FET(GAAFET), more gate electrodes have been added to three-dimensional(3D) channels with enhanced control and carrier conductance to provide higher electrostatic integrity and higher operating currents within the same device footprint. Beyond the 1-nm node, Moore's law scaling is no longer expected to be applicable to geometrical shrinkage. Vertical transistor stacking, e.g. in complementary FETs(cfet), 3D stack(3DS) FETs and vertical-channel transistors(VFET), for enhanced density and variable circuit or system design represents a revolutionary scaling approach for sustained IC development. Herein, innovative works on specific structures, key process breakthroughs, shrinking cell sizes and design methodologies for transistor structure research and development are reviewed. Perspectives on future innovations in advanced transistors with new channel materials and operating theories are also discussed.

关键词： transistor CMOS GAAFET cfet 3DS FET

第六届肿瘤介入与微创治疗大会(CCIO)、第二届中国介入栓塞治疗大会(cfet)纪要

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介入放射学杂志 2015年第5期24卷 461-461页

2015年3月26日至29日,中国医师协会、中国医师协会介入医师分会、中国抗癌协会介入治疗专业委员会主办,天津医科大学肿瘤医院、北京大学第一医院、中国医学科学院肿瘤医院、复旦大学中山医院承办,《介入放射学杂志》等协办的＂第六届肿... 详细信息

2015年3月26日至29日,中国医师协会、中国医师协会介入医师分会、中国抗癌协会介入治疗专业委员会主办,天津医科大学肿瘤医院、北京大学第一医院、中国医学科学院肿瘤医院、复旦大学中山医院承办,《介入放射学杂志》等协办的＂第六届肿瘤介入与微创治疗大会（CCIO）＂、＂第二届中国介入栓塞治疗大会（cfet）在天津市滨海新区召开。大会主席徐克教授、滕皋军教授,大会执行主席郭志教授、北美介入放射学会主席Ray GE教授以及国内外200余位专家学者莅临本次会议并作了重要讲座。

关键词：肿瘤介入 CCIO cfet 中国医师协会介入放射学杂志天津市滨海介入栓塞徐克郭志日至

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HFRC中央控制系统设计与实现

HFRC中央控制系统设计与实现

作者：吴菲阳华中科技大学

学位级别：硕士

场反位形(Field-Reversed Configuration,简称FRC)具有结构简单,比压接近1等优势,对于研究新的核聚变位形,以及未来探索核聚变反应堆的小型化和经济化都具有重要意义。华中科技大学开展了相关研究。华中科技大学场反等离子体预研装置(HU... 详细信息

场反位形(Field-Reversed Configuration,简称FRC)具有结构简单,比压接近1等优势,对于研究新的核聚变位形,以及未来探索核聚变反应堆的小型化和经济化都具有重要意义。华中科技大学开展了相关研究。华中科技大学场反等离子体预研装置(HUST-FRC,简称HFRC)是一个复杂的磁约束核聚变研究装置,由不同的装置和仪器共同组成。每个装置有着自己独立的控制逻辑和流程,协调控制众多装置使它们作为一个整体安全有序的运行是非常重要的。本文介绍了基于Web技术的HFRC中央控制系统的设计与实现。HFRC中央控制系统负责控制协调整个装置的运行,实时控制放电脉冲,同时采集和存储实验中产生的数据以供分析,对于HFRC的正常实验必不可少。论文首先通过分析HFRC的特性,对HFRC在实时性,灵活性,低耦合性以及多子系统的正确流程控制等控制性能方面提出了需求。基于需求分析,HFRC中央控制系统采用了自研的cfet(Control system Framework for Experimental Devices Toolkit)控制框架。相比较于EPICS(Experimental Physics and Industrial Control System)框架,cfet在灵活性和互操作性上表现更好。cfet采用了HTTP协议和RESTful设计原则作为通信协议,具备了框架简单、协议透明、扩展灵活等优势。HFRC中央控制系统采用了模块化结合微服务的架构,将整个控制系统按照功能需求分解成了各子系统,达到功能模块化,业务服务化的目标。同时采用了有限状态机(Finite-State Machine,简称FSM)和观察者的设计模式,能够在控制放电流程和处理异常方面取得良好的效果。HFRC中央控制系统由子系统和一组控制系统网络组成。主要子系统包括中央流程控制系统、充电机控制系统、脉冲电源控制系统、中央触发控制系统、数据采集系统和数据存储系统。控制系统网络包括集成控制网络、联锁保护网络、时序网络、数据存储网络。目前,HFRC中央控制系统已初步部署在HFRC的日常实验中。

关键词： HFRC Web 控制系统 cfet 数据采集与存储有限状态机设计模式