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Schottky Barrier Parameters of Pd/ti contacts on N-type InP Revealed from I-v-t And c-v-t Measurements

Journal of Modern Physics 2011年第3期2卷 113-123页

作者： D. Subba Reddy M. Bhaskar Reddy N. Nanda Kumar Reddy v. Rajagopal Reddy 不详

We report on the current-voltage (I-v) and capacitance-voltage (c-v) characteristics of the Pd/ti/n-InP Schottky barrier diodes (SBDs) in the temperature range 160-400 K in steps of 40 K. the barrier heights and ideality factors of Schottky contact are found in the range 0.35 ev (I-v), 0.73 ev (c-v) at 160 K and 0.63 ev (I-v), 0.61 ev (c-v) at 400 K, respectively. It is observed that the zero-bias barrier height decreases and ideality factor n increase with a decrease in temperature, this behaviour is attributed to barrier inhomogeneities by assuming Gaussian distribution at the interface. the calculated value of series resistance (Rs) from the forward I-v characteristics is decreased with an increase in temperature. the homogeneous barrier height value of approximately 0.71 ev for the Pd/ti Schottky diode has been obtained from the linear relationship between the temperature-dependent experimentally effective barrier heights and ideality factors. the zero-bias barrier height ( ) versus 1/2kt plot has been drawn to obtain evidence of a Gaussian distribution of the barrier heights and values of = 0.80 ev and = 114 mv for the mean barrier height and standard deviation have been obtained from the plot, respectively. the modified Richardson ln(I0/t2)- ( ) versus 1000/t plot has a good linearity over the investigated temperature range and gives the mean barrier height ( ) and Richardson constant (A*) values as 0.796 ev and 6.16 Acm-2K-2 respectively. the discrepancy between Schottky barrier heights obtained from I-v and c-v measurements is also interpreted.

关键词： Schottky Barrier Parameters I-v-t and c-v-t Measurements Pd/ti Schottky contacts N-type InP Gaussian Distribution

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