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6H-Sic氧化层中Na离子的c-v测试研究

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微电子学 2010年第5期40卷 762-764页

作者：牟维兵龚敏曹群中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900 四川大学物理学院成都610064

半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的c-v曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成Sic/SiO2界面,进而制作MOS电容。采用高电压偏置,在高温度条件下作用于MOS电容;利用Keithley590c-v分析仪,测量其c-v曲线。计算出... 详细信息

半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的c-v曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成Sic/SiO2界面,进而制作MOS电容。采用高电压偏置,在高温度条件下作用于MOS电容;利用Keithley590c-v分析仪,测量其c-v曲线。计算出氧化层Na离子密度为2.26×1012/cm2,高温负高压偏置不能完全恢复MOS电容的c-v特性,且高压偏置处理后的MOS电容在积累区的电容值减小,与Si材料MOS的情况不同。主要原因是Sic氧化层和界面质量较差,在高温和高压下弱键断裂、固定电荷重新分布。

关键词： 6H-Sic Na离子 MOS电容 c-v测试

集成电路中栅介质膜的c－v测试误差分析及其修正模型

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半导体技术 1994年第1期10卷 37-45页

作者：陈永珍中国华晶电子集团公司

通过具有各种串联电路的ＭＯＳ电容的分析测试表明：串联电阻引起ＭＯＳＣ－Ｖ特性畸变、失真，并与介质膜电容大小有关；串联电容使ＭＯＳＣ－Ｖ特性严重不稳定；而当存在电容和电阻并联的串联电路时，即使串联电路中的电阻高达１ｋΩ... 详细信息

通过具有各种串联电路的ＭＯＳ电容的分析测试表明：串联电阻引起ＭＯＳＣ－Ｖ特性畸变、失真，并与介质膜电容大小有关；串联电容使ＭＯＳＣ－Ｖ特性严重不稳定；而当存在电容和电阻并联的串联电路时，即使串联电路中的电阻高达１ｋΩ以上，只要其并联的电容远大于介质膜电容，这个串联电路的影响就可以忽略不计。也测试分析了硅衬底参数和测试环境对ＭＯＳＣ－Ｖ特性的影响。指出了改善测试分析准确性的各种有效途径。提出了ＭＯＳＣ－Ｖ特性的串联电阻修正模型。即：存在串联电阻效应的判据；ＭＯＳＣ－Ｖ特性失真的判据；串联电阻计算公式、电容修正公式及ＭＯＳＣ－Ｖ修正过程。举例说明修正模型编程的实际应用：超薄栅氧化层ＭＯＳＣ－Ｖ特性的修正；ＣＭＯＳ电路中，Ｐ阱中ＭＯ５电容Ｃ－Ｖ特性的修正。

关键词：集成电路栅介质膜 c-v测试误差

外延层电阻率四探针与c－v测试的差异及校正

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集成电路通讯 2001年第3期19卷 37-39页

作者：梁卿才陈建国中国兵器工业第214研究所，蚌埠233042

采用四探针与c－v两种测试仪器，对同一参数的外延片电阻率进行测试，测试结果表明，用四探测针试外延陪片和c－v测试处延片，测得的外延电阻率存在差异。分析造成差异的原因，得出了符合要求的校正系数。

关键词：外延层电阻率 c-v测试四探针测试仪器

InGaAsP/InP异质结界面态的变频c-v研究

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固体电子学研究与进展 1991年第4期11卷 313-317页

作者：王永生周凤林南京邮电学院 210003

本文利用自建的变频c-v测试系统测量分析了InGaAsP/InP异质结的界面态,结出其界面态密度和时间常数.实验结果表明,在界面同时存在快、慢界面态,其参数分别为快界面态:N_(s1)=7.3×10^(11)ev^(-1)·cm^(-2),τ_1=2.2×10^(-5)s慢界面态:N... 详细信息

本文利用自建的变频c-v测试系统测量分析了InGaAsP/InP异质结的界面态,结出其界面态密度和时间常数.实验结果表明,在界面同时存在快、慢界面态,其参数分别为快界面态:N_(s1)=7.3×10^(11)ev^(-1)·cm^(-2),τ_1=2.2×10^(-5)s慢界面态:N_(s2)=2.5×10~12ev^(-1)·cm^(-2),τ_Q=1.5×10^(-2)

关键词： InGaAsP/InP 异质结界面 c-v测试

准静态c-v法测量硅表面态密度分布及数据处理

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半导体技术 2007年第7期32卷 577-580页

作者：钱敏刘蓓辛煜苏州大学电子信息学院微电子系苏州大学物理科学与技术学院

表面态问题的研究是半导体材料、器件以及集成电路工艺等研究中的一个重要议题,对表面态在禁带中的分布规律进行了研究。采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(EcR-cvD)方法在p型硅衬底上沉积了低介电常数绝缘介质的MOS结构;对该... 详细信息

表面态问题的研究是半导体材料、器件以及集成电路工艺等研究中的一个重要议题,对表面态在禁带中的分布规律进行了研究。采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(EcR-cvD)方法在p型硅衬底上沉积了低介电常数绝缘介质的MOS结构;对该样品进行了高频和准静态c-v测试;在给出表面态分析计算的原理基础上,用c语言编写数值积分程序对所采集数据进行了数据处理分析,计算得到了表面态密度分布情况,给出了分布曲线。结果表明,该样品p-Si材料的禁带中表面态存在比较广的连续分布,在靠近价带一侧呈现两个峰值。

关键词： c-v测试表面态分布数据处理数值积分

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一种用于c－v测度的硅栅电容制作方法

集成电路通讯 2001年第1期19卷 23-25页

作者：张辉然中国兵器工业第214研究所，蚌埠233042

采用掺磷多昌硅作电极材料与场注入隔离技术相结合的硅栅电容制作方法，克服了用AL做电有材料的c－v测试结构在实践中的不足，目前已在cMOS工艺中得到应用。

关键词： c-v测试硅栅电容制作多晶硅电极材料

Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应

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Journal of Semiconductors 2003年第11期24卷 1180-1184页

作者：于振瑞杜金会张加友李长安 Aceves M 南开大学光电子研究所天津300071 军事交通学院基础部天津300161 Department of Electronics

利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PcvD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 c- v测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电... 详细信息

利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PcvD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 c- v测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电荷 ,电荷俘获效应与 SRO层的性质有关 .基于电位在器件内部的分布及诱导 pn结的形成。

关键词：富硅氧化硅电荷俘获效应 c-v测试诱导pn结

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微波退火对高k/金属栅中缺陷的修复

半导体技术 2014年第6期39卷 428-433页

作者：陈玫瑰许鹏潘建峰吴东平复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用。在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si(100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样品进行c-v特性测试。通过在频率为100 kHz下测量的c-v特性曲线提取出平带电压与电压滞回窗口,从而估算出... 详细信息

研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用。在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si(100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样品进行c-v特性测试。通过在频率为100 kHz下测量的c-v特性曲线提取出平带电压与电压滞回窗口,从而估算出高k/金属栅中固定电荷密度和电荷陷阱密度,并用Terman方法计算出快界面态密度。通过研究在频率为1 kHz下测量的c-v特性曲线扭结,定性描述高k/金属栅中的慢界面态密度。结果表明,微波退火后,固定电荷、电荷陷阱、快界面态和慢界面态得到一定程度的修复。此外,和快速热退火相比,在相似的热预算下,微波退火可修复高k/金属栅中更多的固定电荷、慢界面态和电荷陷阱。但对于快界面态的修复,微波退火没有明显的优势。

关键词：高k/金属栅微波退火缺陷修复 c-v测试 MoHfO2Si

Si-MOS结构制备及固定电荷/可动电荷密度测量

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实验室研究与探索 2022年第7期41卷 39-43页

作者：王旭辉程军杨明超张莉丽雷冰洁耿莉西安交通大学微电子学院西安710049

研究并制备了一种半导体Si-MOS器件结构,用于Si-SiO_(2)氧化层质量表征和界面测定。实验的测试样品经过切片封装后,可在普通探针台或测试夹具中进行测试,避免了原实验中汞探针的使用,降低了成本的同时避免了汞污染的安全问题;对制作样... 详细信息

研究并制备了一种半导体Si-MOS器件结构,用于Si-SiO_(2)氧化层质量表征和界面测定。实验的测试样品经过切片封装后,可在普通探针台或测试夹具中进行测试,避免了原实验中汞探针的使用,降低了成本的同时避免了汞污染的安全问题;对制作样品进行了固定电荷/可动电荷测试,分析了测试结果与样品设计的关系。同时,进一步研究了:(1)测试条件对实验结果的影响,结果表明100 kHz下的固定电荷/可动电荷测量可行性,为高频c-v测试仪的选择降低了成本;(2)制备工艺对样品性能的影响,为制作适合于不同应用场景的样品提供了参考。该研究建立的测定方法,还适用于微电子专业“MOS结构c-v法测定SiO_(2)中固定电荷及可动电荷密度”实验中的样品测定需求。

关键词： Si-MOS结构 c-v测试固定电荷/可动电荷