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  • 1 篇 激光脉冲沉积法(p...
  • 1 篇 algan/gan
  • 1 篇 c-v模拟
  • 1 篇 二维电子气
  • 1 篇 al2o3

机构

  • 1 篇 电子科技大学

作者

  • 1 篇 张鹰
  • 1 篇 郝兰众
  • 1 篇 王水力
  • 1 篇 朱俊

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=C-V模拟"
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排序:
Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSH结构的制备和性能研究
收藏 引用
压电与声光 2011年 第4期33卷 634-636,646页
作者: 王水力 朱俊 郝兰众 张鹰 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都610054
采用激光脉冲沉积法(PLD)在AlGaN/GaN半导体异质结构衬底上沉积Al2O3栅介质层,并对该异质结构的电学性能进行研究。结果表明,Al2O3栅介质层改善了异质结构的界面质量,增强了器件结构的抗击穿电场强度。研究了沉积氧分压对异质结构性能... 详细信息
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