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Method of evaluating interface traps in Al2O3/AlGaN/GaN high electron mobility transistors

chinese Physics B 2019年第6期28卷 378-383页

作者： Si-Qin-Gao-Wa Bao Xiao-Hua Ma Wei-Wei chen Ling Yang Bin Hou Qing Zhu Jie-Jie Zhu Yue Hao School of Advanced Materials and Nanotechnology Xidian UniversityXi’an 710071China Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices School of MicroelectronicsXidian UniversityXi’an 710071China School of Science Inner Mongolia University of TechnologyHohhot 010051China 4China Academy of Space Technology(Xi’an)Xi’an 710071China

In this paper, the interface states of the AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor(MIS) high electron mobility transistors(HEMTs) with an Al2 O3 gate dielectric are systematically evaluated. By frequency-dependent capacitance and conductance measurements, trap density and time constant at Al2 O3/AlGaN and AlGaN/GaN interface are *** experimental results reveal that the density of trap states and the activation energy at the Al2 O3/AlGaN interface are much higher than at the AlGaN/GaN interface. The photo-assisted capacitance-voltage measurements are performed to characterize the deep-level traps located near mid-gap at the Al2 O3/AlGaN interface, which indicates that a density of deep-level traps is lower than the density of the shallow-level states.

关键词： AlGaN/GaN HEMTs interface traps frequency-dependent c–v measurements photo-assisted c–v measurements

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Electrical, Structural and Interfacial characterization of HfO2 Films on Si Substrates

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chinese Physics Letters 2011年第8期28卷 240-242页

作者： TAN Ting-Ting LIU Zheng-Tang LI Yan-Yan State Key Laboratory of Solidification Processing College of Materials Science and EngineeringNorthwestern Polytechnical UniversityXi'an 710072

Hafnium oxide films are deposited on Si(100)substrates by means of rf magnetron *** interfacial structure is studied using high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM)and x-ray photoelectron spectroscopy(XPS),and the electrical properties of the Au/HfO_(2)/Si stack are analyzed by frequency−dependent capacitance-voltage(c–v–f)*** amorphous interfacial layer between HfO_(2) and the Si substrate is observed by the HRTEM *** the results of XPS,the interfacial layer comprises hafnium silicate and silicon *** c–v–f measurements,the c–v plots show a peak at a low frequency and the change in frequency has effects on the intensity of the *** expected,rapid thermal annealing can passivate the interface states of the HfO_(2)/Si stack.

关键词： c–v interfacial HfO2

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