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Influence of silicon cluster on epitaxial growth of silicon carbide

Science china(Physics,Mechanics & Astronomy) 2011年第9期54卷 1579-1582页

作者： LI ZheYang LI Yun cHEN chen HAN Pin Jiangsu Provincial Key Lab of Advance Photonic and Electronic Materials Department of Physics Nanjing University Nanjing 210093 China National Key Laboratory of Monolithic Integrated circuits and Modules the 55th Research Institute of CETC Nanjing 210016 China

Precursor concentration dependences of growth rate, doping concentration and surface morphology have been investigated in the epitaxial growth of 4H-sic（0001） epilayers with horizontal hot-wall cVD system using various precursor concentrations under constant c/si ratio. Form the experimental data it is found that silicon cluster which is formed through gas phase nucleation plays an important role in controlling the doping concentration and epitaxial growth rate of the silicon carbide. It was observed that the concentration of silicon clusters cannot reach the equilibrium value in the process by using a low sill4 concentration, and this phenomenon has not been reported by others.

关键词： 4H-sic horizontal hot-wall cVD c/si ratio growth rate doping concentration silicon cluster

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