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高居里点(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)tio_3+xbi_4ti_3o_(12)系统陶瓷微观结构及温度特性的研究

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人工晶体学报 2009年第5期38卷 1119-1122页

作者：蒲永平王瑾菲赵新杨公安陈小龙吴胜红陕西科技大学材料科学与工程学院西安710021 东莞市龙基电子有限公司东莞523000

采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002tio3+xbi4ti3o12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同bi4ti3o12掺杂浓度以及再氧化过程对Batio3微观结构、介电性能及居里温... 详细信息

采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002tio3+xbi4ti3o12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同bi4ti3o12掺杂浓度以及再氧化过程对Batio3微观结构、介电性能及居里温度Tc的影响。结果表明:掺杂bi4ti3o12后,Batio3陶瓷的晶粒尺寸明显减小;bi4ti3o12具有提高陶瓷居里点温度的作用,当x=1.0时,居里温度提高到Tc=150℃。随着biT加入量的增加,电子与缺位混合补偿,晶格中将产生金属离子缺位,以补偿多余电子,因此随着biT掺入量的增加,电阻率逐渐增大。

关键词： Ba0.998La0.002tio3 bi4ti3o12 显微结构居里温度

高价B位掺杂bi_4ti_3o_(12)陶瓷的铁电性能研究

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周口师范学院学报 2004年第5期21卷 43-45页

作者：吴晓波陈爱平顾骏唐磊李伟南京大学固体微结构国家重点实验室

用传统的固相反应方法制备了高价V掺杂的bi4ti3o12陶瓷样品,用X射线衍射对其结构进行了分析,并测量了样品的铁电和介电性能.结果发现,随着V的掺入,由氧空位引起的样品介电损耗峰的峰高被极大压制.氧空位的减少,使得样品中的畴钉扎效应减... 详细信息

用传统的固相反应方法制备了高价V掺杂的bi4ti3o12陶瓷样品,用X射线衍射对其结构进行了分析,并测量了样品的铁电和介电性能.结果发现,随着V的掺入,由氧空位引起的样品介电损耗峰的峰高被极大压制.氧空位的减少,使得样品中的畴钉扎效应减弱,从而提高了样品的抗疲劳特性和剩余极化.同时V的掺入,降低了材料的居里温度.

关键词：介电损耗 bi4ti3o12 铁电性陶瓷材料

不同络合剂对溶胶-凝胶法制备bi_4ti_3o_(12)粉体性能的影响

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宁夏工程技术 2015年第1期14卷 43-46,49页

作者：王立辉刘佳陈宇红北方民族大学材料科学与工程学院宁夏银川750021

以bi(No3)3·5H2o和(C4H9o)4ti为原料,分别以柠檬酸、乙酸、EDTA为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备了bi4ti3o12,探讨了不同络合剂对所得粉体组成和光催化性能的影响.结果表明,以柠檬酸为络合剂时,600℃煅烧即可得到均匀分布的纯相bi4ti3o12... 详细信息

以bi(No3)3·5H2o和(C4H9o)4ti为原料,分别以柠檬酸、乙酸、EDTA为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备了bi4ti3o12,探讨了不同络合剂对所得粉体组成和光催化性能的影响.结果表明,以柠檬酸为络合剂时,600℃煅烧即可得到均匀分布的纯相bi4ti3o12粉末;以乙酸为络合剂时,800℃煅烧才可得到纯相bi4ti3o12.但是在600℃煅烧温度下,以乙酸为络合剂的产物的光催化性能最强,经紫外光照射120 min,对罗丹明B降解率达到了84%.

关键词： bi4ti3o12 溶胶-凝胶法柠檬酸乙酸光催化性能

沿a/b轴择优取向bi_4ti_3o_(12)铁电薄膜的回线动力学标度

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青岛大学学报（自然科学版） 2010年第2期23卷 12-16页

作者：李超叶万能张永成卢朝靖青岛大学物理科学学院青岛266071 青岛大学纤维新材料与现代纺织国家重点实验室培育基地青岛266071

测量了在Pt／ti／Sio2／Si上生长的36％a／b轴择优取向bi4ti3o12铁电薄膜的电滞回线，并研究了薄膜的回线动力学标度。外加电场频率的变化范围0．4～10kHz，电场幅值的变化范围653～1045kV·cm^-1。在外电场频率一定时，该bi4ti3o12薄... 详细信息

测量了在Pt／ti／Sio2／Si上生长的36％a／b轴择优取向bi4ti3o12铁电薄膜的电滞回线，并研究了薄膜的回线动力学标度。外加电场频率的变化范围0．4～10kHz，电场幅值的变化范围653～1045kV·cm^-1。在外电场频率一定时，该bi4ti3o12薄膜的回线面积随外电场幅值的增大而增大。当外电场幅值固定时，回线面积随外电场频率的上升先增加后减小。当f=1kHz时，回线面积最大。由此可知，该bi4ti3o12薄膜中畴翻转的特征时间约1ms。在外电场频率低于1kHz时，回线面积〈A〉∝f^-0.02883E0；在1kHz以上高频段有标度关系〈A〉∝f^-0.05388E0。

关键词：回线动力学 bi4ti3o12 薄膜择优取向

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工艺参数对熔盐法制备钛酸铋粉体影响的研究

无机材料学报 2002年第5期17卷 1063-1067页

作者：阚艳梅王佩玲李永祥程一兵中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 澳大利亚Monash大学物理与材料工程学院

研究了工艺参数对熔盐法制备钛酸铋粉体晶粒形貌和尺寸的影响.发现温度、盐的种类和盐的用量能够较显著地影响晶粒的形貌和尺寸.在氯盐中,晶粒尺寸随着温度的升高而逐渐增大,晶粒最终发育为较规则的圆片状,晶粒生长按照ostwald液相生长... 详细信息

研究了工艺参数对熔盐法制备钛酸铋粉体晶粒形貌和尺寸的影响.发现温度、盐的种类和盐的用量能够较显著地影响晶粒的形貌和尺寸.在氯盐中,晶粒尺寸随着温度的升高而逐渐增大,晶粒最终发育为较规则的圆片状,晶粒生长按照ostwald液相生长机理来进行.在硫酸盐中,晶粒尺寸明显大于相同条件下在氯盐中的尺寸,且晶粒形貌呈不规则片状.当原料与盐的比例<1时,随着盐用量的增加,晶粒尺寸减小,形貌更加不规则.通过调整工艺参数能够控制颗粒的尺寸和形貌,制备具有各向异性生长的钛酸铋片状粉体.

关键词：熔盐法制备钛酸铋粉体 bi4ti3o12 工艺参数显微形貌晶粒尺寸

高取向bi_4ti_3o_(12)陶瓷样品的制备

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扬州大学学报（自然科学版） 2004年第1期7卷 17-20页

作者：毛翔宇陈小兵扬州大学物理科学与技术学院江苏扬州225002

采用多次球磨、预合成、真空干燥的工艺,制备了(0014)择优取向的bi4ti3o12(BTo)陶瓷样品.样品的c取向方向与样品成型时所加压力的方向基本一致;随烧结时间增加,样品的c取向率增大,烧结时间为16h的陶瓷样品的取向率达到0.96;测量了样品... 详细信息

采用多次球磨、预合成、真空干燥的工艺,制备了(0014)择优取向的bi4ti3o12(BTo)陶瓷样品.样品的c取向方向与样品成型时所加压力的方向基本一致;随烧结时间增加,样品的c取向率增大,烧结时间为16h的陶瓷样品的取向率达到0.96;测量了样品与轴线平行和垂直2个方向的电学性能,得到了各向异性的测量结果,为深入研究BTo的微观结构提供了一定条件.

关键词：铁电陶瓷 bi4ti3o12 择优取向剩余极化制备电学性能微观结构各向异性

铋层状与铌酸锂复合压电陶瓷传感器的温度特性

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厦门大学学报（自然科学版） 2016年第3期55卷 441-444页

作者：聂泳忠颜黄苹黄元庆厦门大学航空航天学院福建厦门361005

铋层状结构铁电体具有良好的机械性能和较高的居里温度Tc,因而被广泛用作高温传感器的敏感器件.高温压电传感器在核能、燃气轮机、航空、舰船发动机以及需要测量高温振动和压力的场合有着极大需求,但目前国内外用于这些领域的基于铋层... 详细信息

铋层状结构铁电体具有良好的机械性能和较高的居里温度Tc,因而被广泛用作高温传感器的敏感器件.高温压电传感器在核能、燃气轮机、航空、舰船发动机以及需要测量高温振动和压力的场合有着极大需求,但目前国内外用于这些领域的基于铋层状压电传感器在高温时的灵敏度与常温时比较,漂移率达到10%~20%,无法满足满温度范围内（-50~450℃）传感器的灵敏度温漂的要求（≤±5%）.因此,本文研究了一种铋层状与铌酸锂复合的压电陶瓷传感器,进行了传感器温度特性理论分析,建立了相应数学模型,并进行实验验证.测试结果表明,这种新型复合式压电陶瓷传感器满温度量程灵敏度漂移小于±3%,具有优异的温度特性,无需采用软件修正测量偏差,能满足美国航空无线电技术委员会（RTCA）制定的Do160要求,可直接用于高温环境的温度精密测量.

关键词：高温压电传感器温度漂移温度补偿 bi4ti3o12 LiNbo3

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晶化时间对水热法制备钛酸铋纳米粉体的研究

功能材料 2004年第5期35卷 585-587页

作者：杨群保李永祥殷庆瑞王佩玲程一兵中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050

　采用分析纯bi(No3)3·5H2o和tiCl4为原料,以NaoH为矿化剂,在反应温度为230℃的水热条件下,研究了晶化时间对bi4ti3o12物相结晶性能的影响。XRD表明在晶化时间不少于240min的条件下,才能合成纯的bi4ti3o12单一物相,并随着晶化时间的延... 详细信息

　采用分析纯bi(No3)3·5H2o和tiCl4为原料,以NaoH为矿化剂,在反应温度为230℃的水热条件下,研究了晶化时间对bi4ti3o12物相结晶性能的影响。XRD表明在晶化时间不少于240min的条件下,才能合成纯的bi4ti3o12单一物相,并随着晶化时间的延长,bi4ti3o12的晶粒有所长大。通过红外光谱、比表面积和TEM等性能表征,探讨了钛酸铋的水热合成机理,用原位生成机理和溶解再结晶机理解释了钛酸铋的水热生长过程。

关键词：水热合成 bi4ti3o12 晶化时间纳米粉体

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Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜

压电与声光 2004年第3期26卷 228-230页

作者：郭冬云王耘波于军李建军周春兰王雨田魏龙华中科技大学电子科学与技术系武汉430074 中国科学院高能物理研究所核分析室北京100039

介绍溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备bi4ti3o12薄膜的工艺过程;对前驱体溶液进行了综合热分析,并对薄膜的性质进行了研究;成功地在p-Si衬底上制备出随机取向的bi4ti3o12铁电薄膜。在650°C下退火30min得到的bi4ti3o12薄膜的剩余极化强度Pr=12... 详细信息

介绍溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备bi4ti3o12薄膜的工艺过程;对前驱体溶液进行了综合热分析,并对薄膜的性质进行了研究;成功地在p-Si衬底上制备出随机取向的bi4ti3o12铁电薄膜。在650°C下退火30min得到的bi4ti3o12薄膜的剩余极化强度Pr=12μC/cm2,矫顽场强Ec=130kV/cm。

关键词： Sol-Gel法 bi4ti3o12 铁电薄膜