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退火温度对Si基bi_4ti_3o_(12)铁电薄膜微观结构影响研究

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材料工程 2002年第11期30卷 29-31,47页

作者：王华于军王耘波倪尔瑚桂林电子工业学院通信与信息工程系桂林541004 华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

采用 Sol- Gel工艺制备了 Si基 bi4 ti3o1 2 铁电薄膜。研究了退火温度对 Si基 bi4 ti3o1 2 薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响。研究表明 ,退火温度低于 4 5 0℃时 bi4 ti3o1 2 薄膜为非晶状态 ,退火温度在 5 5 0～ 85 0℃... 详细信息

采用 Sol- Gel工艺制备了 Si基 bi4 ti3o1 2 铁电薄膜。研究了退火温度对 Si基 bi4 ti3o1 2 薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响。研究表明 ,退火温度低于 4 5 0℃时 bi4 ti3o1 2 薄膜为非晶状态 ,退火温度在 5 5 0～ 85 0℃范围时均为多晶薄膜 ,而且随退火温度升高 ,bi4 ti3o1 2 薄膜更趋向于沿 c轴取向的生长 ;而晶粒尺寸及薄膜粗糙度随退火温度升高而增大。

关键词： Si基bi4ti3o12铁电薄膜铁电薄膜 bi4ti3o12 微观结构退火温度硅钛酸铋

bi_4ti_3o_(12)铁电薄膜的相变研究

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武汉大学学报（自然科学版） 1996年第3期42卷 327-331页

作者：周正国卢志红李江鹏章煜黄良安武汉大学物理学系武汉430072

用变温X射线及热分析等方法研究bi_4ti_3o_12铁电薄膜的相变,结果表明,在温度为350~445℃之间,薄膜经历由烧绿石相向钙钛矿相的结构相变,在670℃附近,薄膜由铁电相向顺电相转变;该相变是由于晶格畸变量b/a随温度上升连续减小,使得薄膜... 详细信息

用变温X射线及热分析等方法研究bi_4ti_3o_12铁电薄膜的相变,结果表明,在温度为350~445℃之间,薄膜经历由烧绿石相向钙钛矿相的结构相变,在670℃附近,薄膜由铁电相向顺电相转变;该相变是由于晶格畸变量b/a随温度上升连续减小,使得薄膜晶体对称性发生改变引起,在相变点附近未观察到潜热的产生。

关键词：铁电薄膜相变 bi4ti3o12 铁电体钙钛矿型

Si基bi_4ti_3o_(12)薄膜电滞回线及铁电性能的研究

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压电与声光 2003年第6期25卷 501-504页

作者：王华桂林电子工业学院通信与信息工程系桂林541004

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法直接在p-Si衬底上制备生长bi4ti3o12铁电薄膜,研究了Ag/bi4ti3o12/p-Si异质结电滞回线的特征及bi4ti3o12薄膜的铁电性能。空间电荷层的存在使Si基bi4ti3o12铁电薄膜呈不对称的电滞回线并导致薄膜的极化减弱。... 详细信息

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法直接在p-Si衬底上制备生长bi4ti3o12铁电薄膜,研究了Ag/bi4ti3o12/p-Si异质结电滞回线的特征及bi4ti3o12薄膜的铁电性能。空间电荷层的存在使Si基bi4ti3o12铁电薄膜呈不对称的电滞回线并导致薄膜的极化减弱。退火温度同时影响了薄膜的晶粒尺寸和薄膜中的载流子浓度,而这两种因素对铁电性能的影响是相反的。bi4ti3o12薄膜的铁电性能随退火温度的变化是两种因素共同作用的结果。

关键词：铁电薄膜 bi4ti3o12 电滞回线铁电性能

硅基bi_4ti_3o_(12)薄膜的C-V特性研究(英文)

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材料科学与工程学报 2005年第1期23卷 74-76页

作者：付承菊郭冬云黄志雄武汉理工大学材料科学与工程学院湖北武汉430070

bi4 ti3o1 2 是典型的层状钙钛矿结构铁电材料 ,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能 ,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件。本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出bi4 ti3o1 2 铁电薄膜 ,并且对其性能进行了研究。测量不同... 详细信息

bi4 ti3o1 2 是典型的层状钙钛矿结构铁电材料 ,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能 ,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件。本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出bi4 ti3o1 2 铁电薄膜 ,并且对其性能进行了研究。测量不同退火温度下得到的Ag BTo p Si结构的C V曲线 ,结果表明bi4 ti3o1 2 薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储。

关键词： bi4ti3o12 铁电薄膜 Sol-Gel法 C-V特性

偏化学计量比熔盐法合成bi_4ti_3o_(12)晶化过程研究

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材料导报 2010年第18期24卷 94-96页

作者：石江涛王秀峰于成龙江红涛王海震陕西科技大学材料科学与工程学院西安710021

用示差扫描量热-热重分析(DSC-TG)、X射线衍射(XRD)、场致发射扫描电子显微镜(FESEM)等表征方法对不同化学计量比熔盐法合成bi4ti3o12(BTo)晶化过程进行了分析。结果表明,不同化学计量比熔盐法合成bi4ti3o12的晶化过程完全不同:富bi组... 详细信息

用示差扫描量热-热重分析(DSC-TG)、X射线衍射(XRD)、场致发射扫描电子显微镜(FESEM)等表征方法对不同化学计量比熔盐法合成bi4ti3o12(BTo)晶化过程进行了分析。结果表明,不同化学计量比熔盐法合成bi4ti3o12的晶化过程完全不同:富bi组分晶化过程中间相为bi12tio20、bi2ti2o7、bi2o2.75;化学计量比组分晶化过程中间相为bi2o2.75、bi2ti2o7;富ti组分晶化过程中的中间相为bi2o2.75、bi2ti4o11。

关键词： bi4ti3o12 晶化偏化学计量比熔盐法

快速退火工艺条件下温度对bi_4ti_3o_(12)铁电薄膜微观结构与性能的影响

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材料科学与工程学报 2006年第1期24卷 93-96,100页

作者：王华任鸣放桂林电子工业学院信息材料科学与工程系广西桂林541004

采用快速退火工艺在Pt/ti/Sio2/p-Si衬底上制备了bi4ti3o12铁电薄膜。研究了退火温度对薄膜微观结构、铁电特性及介电性能的影响。研究表明:退火温度对Si基bi4ti3o12铁电薄膜晶相结构的影响显著,对晶粒尺寸和表面形貌的影响较小,但退火... 详细信息

采用快速退火工艺在Pt/ti/Sio2/p-Si衬底上制备了bi4ti3o12铁电薄膜。研究了退火温度对薄膜微观结构、铁电特性及介电性能的影响。研究表明:退火温度对Si基bi4ti3o12铁电薄膜晶相结构的影响显著,对晶粒尺寸和表面形貌的影响较小,但退火温度超过800℃后会出现焦绿石等杂相;低于750℃时,薄膜的剩余极化随退火温度升高而增大,高于750℃时却有所减小,但矫顽电场随退火温度升高而逐渐降低;退火温度对薄膜的漏电流密度有一定的影响,薄膜的漏电流密度在200kV/cm极化电场作用下低于3×10-9A/cm2,750℃时的剩余极化和矫顽电场分别为11μC/cm2和77kV/cm,具有较好的铁电和介电性能。

关键词： bi4ti3o12 铁电薄膜快速退火工艺

浸渍提拉法合成bi_4ti_3o_(12)基复合薄膜及其光催化性能

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稀有金属材料与工程 2013年第S1期42卷 111-114页

作者：赵巍冯香宁贾震鄂磊刘志锋赵永杰周和平天津城市建设学院天津300384 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084

以tio2、bi4ti3o12为原材料,采用浸渍-提拉法制备复合薄膜,研究了材料合成工艺对复合薄膜微观形貌、相结构及光催化性能的影响。XRD研究结果表明,合成的复合薄膜材料中含有正交相bi4ti3o12和锐钛矿tio2两种晶相,bi4ti3o12沿垂直于玻璃... 详细信息

以tio2、bi4ti3o12为原材料,采用浸渍-提拉法制备复合薄膜,研究了材料合成工艺对复合薄膜微观形貌、相结构及光催化性能的影响。XRD研究结果表明,合成的复合薄膜材料中含有正交相bi4ti3o12和锐钛矿tio2两种晶相,bi4ti3o12沿垂直于玻璃基片的方向取向生长。tio2溶胶的浓度,bi4ti3o12的用量,以及表面活性剂的用量,拉膜次数对复合薄膜的成型有明显的影响,当tio2溶胶的浓度为3mol/L、tio2溶胶和bi4ti3o12质量比为10:1、表面活性剂的质量分数为3%、拉膜次数为3次的时候,合成的bi4ti3o12/tio2复合薄膜较均匀且具有较优异的光催化性能。

关键词： tio2溶胶 bi4ti3o12 复合薄膜光催化性能

Al^(3+)/bi_4ti_3o_(12)薄膜的制备及其光催化性能表征

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硅酸盐通报 2007年第3期26卷 576-579页

作者：于伟娜刘素文修志亮俞娇仙山东轻工业学院材料科学与工程系济南250353

采用溶胶-凝胶法制备了掺Al3+的bi4ti3o12薄膜(bi1-xAlxti3o12)。采用分光光度法研究了薄膜对甲基橙溶液的降解,以及Al3+对薄膜的光催化效果影响。光催化结果表明,Al3+的掺杂量为2atm%时,薄膜的光催化效果最好,比未掺杂前提高57.9%,且... 详细信息

采用溶胶-凝胶法制备了掺Al3+的bi4ti3o12薄膜(bi1-xAlxti3o12)。采用分光光度法研究了薄膜对甲基橙溶液的降解,以及Al3+对薄膜的光催化效果影响。光催化结果表明,Al3+的掺杂量为2atm%时,薄膜的光催化效果最好,比未掺杂前提高57.9%,且吸收边红移量为36nm。

关键词：溶胶-凝胶法 A13^+掺杂光催化 bi4ti3o12

Nd掺杂bi_4ti_3o_(12)陶瓷的结构与性能研究

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材料导报（纳米与新材料专辑） 2008年第1期22卷 335-337页

作者：樊峻棋吴孟强张树人电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

采用固相合成法制备了不同Nd掺杂量的bi_(4-x)Nd_xti_3o_(12)(x=0～1.0)陶瓷。采用XRD分析了陶瓷样品的物相结构,采用SEM观察了陶瓷样品的显微结构特征,系统地评价了陶瓷样品的铁电性能。研究结果表明,经1100℃烧结样品结构致密、晶粒... 详细信息

采用固相合成法制备了不同Nd掺杂量的bi_(4-x)Nd_xti_3o_(12)(x=0～1.0)陶瓷。采用XRD分析了陶瓷样品的物相结构,采用SEM观察了陶瓷样品的显微结构特征,系统地评价了陶瓷样品的铁电性能。研究结果表明,经1100℃烧结样品结构致密、晶粒均匀。不同Nd掺杂量并未引起物相结构的改变,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构。适量的Nd掺入会提升bi_(4-x)Nd_xti_3o_(12)陶瓷样品的铁电性能。

关键词： bi4ti3o12 铁电陶瓷固相合成掺杂