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bi_4ti_3o_(12)铁电薄膜的制备及研究进展

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电工材料 2008年第3期 42-45页

作者：黄小丹许积文桂林电子科技大学信息材料科学与工程系广西桂林541004

铁电薄膜具有良好的铁电、介电性能,在非挥发存储器件方面有很好的应用前景。本文介绍了钛酸铋(bi4ti3o12)铁电薄膜的研究现状,对目前bi4ti3o12铁电薄膜最常用的几种主要制备方法及其掺杂改性进行了评述,指出了bi4ti3o12铁电薄膜研究中... 详细信息

铁电薄膜具有良好的铁电、介电性能,在非挥发存储器件方面有很好的应用前景。本文介绍了钛酸铋(bi4ti3o12)铁电薄膜的研究现状,对目前bi4ti3o12铁电薄膜最常用的几种主要制备方法及其掺杂改性进行了评述,指出了bi4ti3o12铁电薄膜研究中亟待解决的几个问题。

关键词： bi4ti3o12铁电薄膜研究进展掺杂

复合靶溅射bi_4ti_3o_(12)铁电薄膜的结构和相变

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压电与声光 2002年第4期24卷 312-314,322页

作者：刘海林熊锐金明桥于国萍李玲武汉大学物理系武汉430072

采用金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法 ,在 Si基片上沉积制备 bi4 ti3o1 2 (BTo)铁电薄膜 ,用变温 X-射线及热分析等方法研究 BTo铁电薄膜的结构和相变 ,结果表明 ,在温度为 35 0～ 4 4 5°C之间 ,薄膜经历由烧绿石相向钙钛矿相的结... 详细信息

采用金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法 ,在 Si基片上沉积制备 bi4 ti3o1 2 (BTo)铁电薄膜 ,用变温 X-射线及热分析等方法研究 BTo铁电薄膜的结构和相变 ,结果表明 ,在温度为 35 0～ 4 4 5°C之间 ,薄膜经历由烧绿石相向钙钛矿相的结构相变 ,在 6 70°C附近 ,薄膜由铁电相向顺电相转变 ,该相变是由于晶格畸变量 b/ a随温度上升连续减小 ,使得薄膜晶体对称性发生改变引起 ,在相变附近未观察到潜热的产生。

关键词： BTo薄膜复合靶溅射 bi4ti3o12铁电薄膜相变

金属/Sio_2/Si基bi_4ti_3o_(12)铁电薄膜的J-V特性

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电子元件与材料 2005年第10期24卷 8-10页

作者：李建军王耘波郭冬云王龙海高峻雄于军华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074

采用sol-gel方法在Pt/ti/Sio2/Si衬底上制备了bi4ti3o12铁电薄膜.测试了其在直流电场下流过铁电薄膜的漏导电流J-V特性.测量结果显示正向漏电流明显小于负向漏电流.并讨论了金属–铁电薄膜所形成的整流接触特性,以及金属/Sio2/Si基bi4ti... 详细信息

采用sol-gel方法在Pt/ti/Sio2/Si衬底上制备了bi4ti3o12铁电薄膜.测试了其在直流电场下流过铁电薄膜的漏导电流J-V特性.测量结果显示正向漏电流明显小于负向漏电流.并讨论了金属–铁电薄膜所形成的整流接触特性,以及金属/Sio2/Si基bi4ti3o12铁电薄膜系统在不同电压范围(0～±6 V)的导电机制.

关键词：无机非金属材料 bi4ti3o12铁电薄膜 sol-gel方法 J-V特性肖特基发射空间电荷限制电流

用于铁电存储器的bi4ti3o12薄膜材料的制备及性能研究

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用于铁电存储器的Bi4Ti3O12薄膜材料的制备及性能研究

作者：李建军华中科技大学

学位级别：硕士

近年来,钛酸铋(bitio2,biT)铁电薄膜材料及薄膜器件成为国内外科学工作者研究的热点。bitio2薄膜材料与Si单晶的晶格失配度小,易与硅半导体集成电路兼容,对于铁电存储器有着广阔的应用前景。因此对于铁电薄膜的制备、结构及性能的研究... 详细信息

近年来,钛酸铋(bitio2,biT)铁电薄膜材料及薄膜器件成为国内外科学工作者研究的热点。bitio2薄膜材料与Si单晶的晶格失配度小,易与硅半导体集成电路兼容,对于铁电存储器有着广阔的应用前景。因此对于铁电薄膜的制备、结构及性能的研究具有重要的意义。本文对Si衬底和Pt/ti/Sio/Si衬底bitio2薄膜的Sol-Gel法制备工艺及铁电性能进行了实验研究。在总结和分析bitio2铁电薄膜研究现状的基础上,通过实验探索bitio2薄膜的工艺参数和工艺流程的优化,分别在Si衬底和Pt/ti/Sio/Si衬底上制备了bitio2薄膜;通过XRD微观分析手段对钛酸铋薄膜的晶格结构进行了分析,直接淀积在Si衬底上的bitio2薄膜在600-800℃退火温度下均未出现焦绿石等杂相,而且随退火温度升高其沿c轴取向生长的比重增加。而淀积在Pt/ti/Sio/Si衬底上时,退火温度超过800℃后,薄膜中会出现焦绿石相,其生长取向随退火温度无明显变化;通过SEM微观分析手段对钛酸铋薄膜的表面形貌进行了分析,650℃对应的薄膜表面形貌最好,观察到很少的针孔。晶粒尺寸大约在数十个纳米左右。晶粒均匀而且致密,呈不规则球柱状,晶粒清晰可辨,说明制备的bitio2薄膜结晶情况良好。用慢正电子束测量了不同退火温度处理的Si衬底bitio2薄膜的S参数与入射正电子能量E的关系,研究退火温度对bitio2薄膜及表面、界面缺陷的影响。在测试的基础上讨论了Pt/ti/Sio/Si衬底bitio2铁电薄膜的J-V特性。讨论了金属-铁电薄膜形成的整流接触对正反向电流不对称的影响,以及不同电压范围的导电机制。在研究了不同退火温度处理下钛酸铋薄膜的电滞回线的基础上,探讨了工艺条件及衬底选取对薄膜铁电性能的影响。铁电性随退火温度的变化是尺寸效应和bitio2中载流子两种因素共同作用的结果。在650℃退火温度处理的Si衬底bitio2薄膜剩余极化为11.25μC/cm2,矫顽场为47.2kV/cm。与薄膜接触处的Si衬底空间电荷层的形成造成Si衬底上生长的bitio2薄膜电滞回线不对称,剩余极化降低,矫顽电场增大。

关键词： Sol-Gel法 bi4ti3o12铁电薄膜铁电存储器慢正电子束 J-V特性电滞回线

溶胶凝胶法制备钛酸铋薄膜中溶胶浓度对薄膜厚度和粗糙度的影响及拉曼光谱的研究

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伊犁师范学院学报（自然科学版） 2018年第1期12卷 29-34页

作者：余娟王晓云马蕊尚洁萤尹红梅伊犁师范学院物理科学与技术分院新疆凝聚态相变与微结构实验室新疆伊宁835000 南京大学物理学院国家固体微结构重点实验室江苏南京210093

采用溶胶-凝胶工艺,在Pt/ti/Sio_2/Si(100)基片上以不同浓度的溶胶制备出bi层状钙钛矿bi_4ti_3o_(12)薄膜,用APEX型多功能力学测试系统的3D显微镜模块和拉曼光谱仪对其进行表征.结果表明:在一定范围内,不同浓度的溶胶制备出的薄膜厚度... 详细信息

采用溶胶-凝胶工艺,在Pt/ti/Sio_2/Si(100)基片上以不同浓度的溶胶制备出bi层状钙钛矿bi_4ti_3o_(12)薄膜,用APEX型多功能力学测试系统的3D显微镜模块和拉曼光谱仪对其进行表征.结果表明:在一定范围内,不同浓度的溶胶制备出的薄膜厚度与溶胶的浓度成正比;表面粗糙程度随着薄膜浓度的增大而减小;随着浓度的增加,620~670 cm^(-1)处的拉曼峰宽逐渐缩小,变得尖锐.

关键词： bi4ti3o12铁电薄膜溶胶-凝胶法(Sol-Ge) 微观结构拉曼分析