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Ferroelectric properties of bi_(3.4)ho_(0.6)ti_3o_(12) thin films prepared by sol-gel method
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引用
Science China(Technological Sciences) 2008年 第9期51卷 1439-1444页
作者： FU ChengJu1, HUANG ZhiXiong1, LI Jie2 & GUo DongYun3 1 School of Materials Science and Technology, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China 2 School of Mechanical Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 400050, China 3 Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072, China School of Materials Science and Technology Wuhan University of Technology Wuhan China School of Mechanical Engineering Chongqing University of Science and Technology Chongqing China Department of Physics Wuhan University Wuhan China
We have prepared the ho-substituted bismuth titanate (bi3.4ho0.6ti3o12, BHT) thin films on Pt/ti/Sio2/Si substrates using sol-gel method. The crystal structure and morphology of the films were characterized using X-ra... 详细信息
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