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bi-TiO_2纳米管阵列的制备及其光催化性能

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桂林理工大学学报 2013年第4期33卷 731-736页

作者：张忠铭钟福新黎燕莫德清孟志鹏王丹宇朱义年桂林理工大学化学与生物工程学院广西桂林541004 桂林电子科技大学生命与环境科学学院广西桂林541004 桂林理工大学环境科学与工程学院广西桂林541004

以甲基橙光催化降解效率为指标、bi(NO3)3-稀HNO3混合液为电沉积液,利用电化学沉积法探讨铋掺杂二氧化钛纳米管阵列(bi-TNTs)的制备条件,通过SEM、XRD对其结构和形貌进行表征,考察bi-TNTs光催化降解制糖废水的条件。结果显示,在电压为2.... 详细信息

以甲基橙光催化降解效率为指标、bi(NO3)3-稀HNO3混合液为电沉积液,利用电化学沉积法探讨铋掺杂二氧化钛纳米管阵列(bi-TNTs)的制备条件,通过SEM、XRD对其结构和形貌进行表征,考察bi-TNTs光催化降解制糖废水的条件。结果显示,在电压为2.2 V、0.33 g/L bi(NO3)3和0.28 mol/L HNO3溶液电沉积4 min条件下制备的bi-TNTs可以显著提高光催化降解甲基橙及制糖废水的效率。底物pH值对bi-TNTs光催化活性有较大影响,较强碱性环境中,bi-TNTs对制糖废水降解率最高,光照25 h制糖废水降解率达到90.24%。

关键词：电化学沉积 bi掺杂二氧化钛纳米管阵列光催化 TiO2

基于固态法制备Sr_(1-1.5x)bi_xTiO_3陶瓷的特性研究

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无机盐工业 2018年第8期50卷 45-48页

作者：彭荣项永福重庆工贸职业技术学院生物化学工程系重庆408000 成都师范学院化学与生命科学学院

Sr Ti O3属于ABO3型钙钛矿结构,具有良好的固溶能力,通过掺加杂质元素改善其性能。本研究利用固态法制备Sr_(1-1.5x)bi_xTiO_3陶瓷(x=0.00、0.01、0.04、0.07、0.10),并探讨了bi掺杂对其结构与介电常数的影响。研究结果表明:bi掺杂量x≥... 详细信息

Sr Ti O3属于ABO3型钙钛矿结构,具有良好的固溶能力,通过掺加杂质元素改善其性能。本研究利用固态法制备Sr_(1-1.5x)bi_xTiO_3陶瓷(x=0.00、0.01、0.04、0.07、0.10),并探讨了bi掺杂对其结构与介电常数的影响。研究结果表明:bi掺杂量x≥0.04时陶瓷的晶体结构是以立方晶与四方晶两相共存的形式存在,而bi2+在Sr Ti O3结构中的固溶极限为x≤0.01,当x=0.04时陶瓷的最大介电常数约为1 200,相变温度则随x增加而逐渐向高温度方向偏移。

关键词： SrTiO3 bi掺杂固态法相变介电常数

多孔In2O3基纳米复合材料的制备及气敏性能研究

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多孔In2O3基纳米复合材料的制备及气敏性能研究

作者：陶振华河南理工大学

学位级别：硕士

全球经济以及工业化的迅速发展,同时也伴随着生态环境的急剧恶劣,尤其是近年来大气污染造成的温室效应已经影响到全球的各国人民,因此,对各种有毒有害污染性气体的实时监测及控制己经刻不容缓。金属氧化物半导体传感器,由于具有高灵敏... 详细信息

全球经济以及工业化的迅速发展,同时也伴随着生态环境的急剧恶劣,尤其是近年来大气污染造成的温室效应已经影响到全球的各国人民,因此,对各种有毒有害污染性气体的实时监测及控制己经刻不容缓。金属氧化物半导体传感器,由于具有高灵敏度、较低的工作温度、较快的响应/恢复速度,近些年来在气体传感领域深受研究者的关注。InO作为一种重要的n型金属氧化物半导体,具备的独特物理以及化学性质使其成为优良传感器的潜在候选者。本论文通过溶剂热法制备具有多孔结构的InO纳米材料,并通过调控其结构、金属离子与之掺杂、构建p-n异质结方法进行气敏增敏。本论文的主要研究内容如下:1,采用一步溶剂热法制备了具有p-n异质结构的CoO/InO复合多孔纳米球。SEM测试结果表明,CoO的成功负载使得复合纳米球具备了多孔特性。气敏测试表明,经过CoO负载之后的InO样品相对于纯InO的气敏性能得到有效的提升,并且最佳操作温度从230 C降为200 C。其中由ICO-6(In:CO=100:6)样品所制备的传感器展现出最佳的气敏性能,并对甲醛具有最佳的选择性。在最佳温度200 C条件下,ICO-6传感器对20 ppm甲醛的响应值可达到31.2,是纯InO响应值(13.9)的近3倍。综合表明,复合材料具备的多孔特性以及CoO与InO形成的p-n异质结能有效地提升材料的气敏性能。2,通过简单的溶剂热法制备出具有类海胆状的中空结构In(OH)前驱体,然后将制备的氢氧化铟前驱体在不同温度下(350 C;450 C;550 C)进行煅烧,形成与前驱体具有相同结构的海胆状InO中空球。通过对样品进行XRD、SEM、TEM和N吸附-解吸测试分析,结果表明在煅烧温度350 C条件下,制备了形貌均匀、比表面积高达122.02 m/g的InO-350中空球。在工作温度140 C条件下,由InO-350样品制备的传感器展现出对HCHO的高灵敏性、高选择性、响应速度快、低检测限(50 ppb)等优异的气敏性能。重要的是,InO-350传感器在50 ppb到10ppm的HCHO浓度范围内也表现出良好的线性响应,显示了其定量检测HCHO的潜力。3,通过溶剂热法制备出不同bi含量掺杂的InO。扫描电子显微镜(SEM)显示,加入铋源的InO样品的形貌、结构和尺寸与纯InO相比几乎未发生变化,EDS能谱元素图证明了铋元素的存在,除此之外X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)证实了bi以掺杂的形式成功取代了InO中的In。气敏测试结果表明,bi掺杂InO样品对丙酮气体具有最好的选择性,有趣的是,这与纯InO样品展示出对甲醛气体良好的选择性不同。此外,由IBO-3样品(In:bi为100:3)制备的传感器在最佳工作温度220 C下,对较低浓度(0.3 ppm)丙酮的响应值可达到1.36,丙酮浓度与响应值之间也呈现出良好的线性关系,特别的是,经过bi掺杂的InO样品的抗湿性能得到大幅度提升,为其在呼出气中检测丙酮的浓度提供了可能。此外,我们对制备的样品又进行了光催化性能的测试,发现制备的样品在可见光对亚甲基蓝的降解性能最好,其中IBO-3样品具有最大的反应速率常数(0.0118),是纯InO样品(0.00267)的4.4倍。

关键词：气体传感器氧化铟 bi掺杂异质结多孔结构

纳晶SnO2的改性以及在染料敏化太阳能电池中的应用

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纳晶SnO2的改性以及在染料敏化太阳能电池中的应用

作者：徐炳华河南大学

学位级别：硕士

染料敏化太阳能电池(DSSC)因具有成本低廉、制备工艺简便等优点而成为具有很大前景的新型太阳能电池。作为DSSC光阳极材料的SnO因具有较高电子迁移率(100-200cm2 V-1 S-1)和较宽的禁带(3.6eV)而应用广泛,然而,基于SnO光阳极材料的DSSC... 详细信息

染料敏化太阳能电池(DSSC)因具有成本低廉、制备工艺简便等优点而成为具有很大前景的新型太阳能电池。作为DSSC光阳极材料的SnO因具有较高电子迁移率(100-200cm2 V-1 S-1)和较宽的禁带(3.6eV)而应用广泛,然而,基于SnO光阳极材料的DSSC有两大弊端:SnO导带位置低导致电池开路电压小;SnO导带中电子与电解质复合快,暗电流大。基于以上原因,为了提高基于SnO光阳极材料染料敏化太阳能电池(DSSC)的性能,对SnO材料进行金属元素掺杂和金属氧化物包覆是常用的两种改性处理方法。本文中,我们具体对bi掺杂SnO颗粒、Al掺杂SnO空心微球和ZnO包覆SnO颗粒实验进行讨论研究,DSSC的光阳极是以导电玻璃(FTO)为导电衬底分别采用机械刮涂法和电泳沉积方法生长相应氧化物薄膜为多子传输层的工作电极。具体实验内容如下:一:bi掺杂SnO纳米颗粒制备DSSC工作电极,首先采用共沉淀法制备bi掺杂SnO纳米颗粒,然后采用刮涂法制备bi掺杂SnO工作电极薄膜,最后采用N719染料作为敏化剂敏化。由SnO纳米颗粒的XRD测试结果可知,bi掺杂前后正方金红石结构的SnO晶相无变化。对其光电性能进行测试可以明显看出掺杂bi后电池的开路光电压与未掺bi相比从373mV上升到498mV具有明显提高,光电转换效率从1.37%上升到2.03%。对其光电性能提高的因素探究知,这是由于bi掺杂SnO后电池的暗电流降低,抑制了光生电子在工作电极与电解质界面的复合反应。二:Al掺杂SnO空心微球制备DSSC工作电极,通过水热法制备Al掺杂SnO空心微球,然后再使用刮涂法制备工作电极薄膜。由SEM和TEM测试说明成功制备出Al掺杂SnO空心微球。XRD分析结果表明Al掺杂对SnO的晶格结构无影响。对电池的光电化学性能测试得:与未掺杂前相比,电池的光电流密度、开路光电压、光电转换效率均有显著的提高。由光电参数表可知,光电流密度从8.05mA cm-2提高到11.48mA cm-2;开路光电压从179mV提高到474mV;光电转换效率从0.46%提高到3.04%。这是由于Al掺杂有效地抑制了电池中光生电子的复合反应、延长了工作电极中光生电子的寿命。三:常温下将ZnCl和SnO胶体研磨均匀,制备ZnO包覆SnO纳米颗粒。通过电泳沉积的方法在柔性衬底和导电玻璃衬底上制备ZnO包覆SnO纳米颗粒工作电极薄膜。本实验通过优化ZnO包覆量(用ZnCl量表示)、电泳时间、机械压膜的压力,最终得出ZnCl的量为0.38g、电泳时间为4min、机械压膜的压力为10MPa的电池的光电性能最佳。此时的电池的光电流密度为16.43mA cm-2、开路光电压为493mV、填充因子为0.49、光电转换效率为3.95%。总之,本文采用bi掺杂SnO纳米颗粒,Al掺杂SnO空心球和ZnO包覆SnO纳米颗粒这三种材料分别作为DSSC的光阳极,并对光阳极的制备材料进行了优化,最终提高了染料敏化太阳能电池的光电转换效率。

关键词：染料敏化太阳能电池 SnO2光阳极 bi掺杂 Al掺杂 SnO2空心球 ZnO包覆

低维半导体ZnO纳米材料的形貌、掺杂及发光性质的研究

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低维半导体ZnO纳米材料的形貌、掺杂及发光性质的研究

作者：李蔚君中国地质大学（北京）

学位级别：硕士

纳米科学技术是20世纪80年代末期刚刚诞生并正在崛起的新科技,它的基本涵义是在纳米尺寸范围内认识和改造自然,通过直接操作和安排原子、分子创造新物质。主要研究内容包括:创造和制备优异性能的纳米材料、制备各种纳米器件和装置、探... 详细信息

纳米科学技术是20世纪80年代末期刚刚诞生并正在崛起的新科技,它的基本涵义是在纳米尺寸范围内认识和改造自然,通过直接操作和安排原子、分子创造新物质。主要研究内容包括:创造和制备优异性能的纳米材料、制备各种纳米器件和装置、探测和分析纳米区域的性质和现象。氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙半导体(室温下3.37 eV),在室温下有高的激子结合能(60 meV),远大于其它宽带隙半导体。具有优良的光学、电学、磁学、催化等特性,在紫外发光器件、随机激光器、气体和压力传感器、透明电导以及薄膜太阳能电池等许多方面拥有广泛的应用前景。本文较为系统地研究了低维半导体ZnO纳米材料的合成制备,生长机理,产物生长过程影响因素及发光性能。采用了简单易行的物理热蒸发方法,实现了多种形态的低维ZnO纳米结构的制备、尺寸控制。通过热蒸发纯锌粉或者炭粉和氧化锌粉混合物的方法,调控蒸发温度、载气流量、蒸发源与沉积区的距离等条件,可分别得到棒状、线状、树枝状、糖葫芦状纳米线等ZnO纳米材料。蒸发温度高、蒸发源沉积区距离越近,纳米结构的直径越小,长度越长,形貌也可能不同;改变载气流量也可改变纳米结构的形状和产量。利用扫描电子显微镜(SEM)和投射电子显微镜(TEM)对材料产物的形貌、尺寸和微观结构进行表征,用X射线衍射仪(XRD)对其结构和成分进行了分析,用光致发光谱(PL)和拉曼光谱(Raman)对其发光性能进行了分析测试。对掺杂bi后的ZnO纳米晶体结构、微观形貌和光学特性进行了研究和表征。表明掺杂一定量的bi元素对产物形貌和光学特性都有一定影响。掺杂bi后,产物形貌从规则的纳米线、棒、糖葫芦等结构转换成了多种不同的线、棒、菜花等形貌。掺杂后,ZnO纳米结构的拉曼图谱E(High)峰右移,移向高频方向。光致发光图谱中,紫外发光峰的位置发生“红移”,紫外发光峰的半峰宽逐渐增大,绿光可见光发光峰消失。

关键词： ZnO纳米材料 bi掺杂形貌及结构发光性质

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铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究

铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究

作者：王冰心上海应用技术学院

学位级别：硕士

砷化镓是典型的第二代半导体材料,属于直接带隙半导体(1.432eV)。它具有电子迁移率大(8500cm2v-1s-1)、耐高温和抗辐射等优点,在光电子器件和微电子器件领域具有广泛的应用。由于bi掺杂能够改善GaAs晶体的温度敏感性和调节晶体带宽,因... 详细信息

砷化镓是典型的第二代半导体材料,属于直接带隙半导体(1.432eV)。它具有电子迁移率大(8500cm2v-1s-1)、耐高温和抗辐射等优点,在光电子器件和微电子器件领域具有广泛的应用。由于bi掺杂能够改善GaAs晶体的温度敏感性和调节晶体带宽,因此bi掺杂GaAs合金成为半导体领域的研究热点之一。有报道采用分子束外延法和金属有机气相外延法生长GaAs:bi薄膜,研究表明bi掺杂可调节GaAs带宽,同时保持原有的电子迁移率。GaAs:bi晶体有望获得更好的性能调节效果,然而由于掺杂严重的分凝,GaAs:bi晶体很难生长。GaAs晶体有多种生长方法,包括液封提拉法(LEC)、水平布里奇曼法(HB)、垂直梯度法(VGF)等。坩埚下降法是一种生长GaAs晶体行之有效的方法,最近在取向GaAs晶体产业化方面取得了显著效果。本工作是在GaAs晶体下降法生长基础上,采用取向的GaAs籽晶和PBN坩埚,B203作为液封剂,成功生长出直径为2英寸bi掺杂GaAs晶体。晶体中bi的名义掺杂量为2.5%,晶体表面有少许小坑,顶部有少量析出物。扫描电子显微镜观察结果显示,晶体中存在有少量的富bi包裹物。熔融KOH液腐蚀显示,晶体位错密度较高,有较多的位错线。透过光谱图和EDS均有bi相关谱峰的存在,说明bi原子已掺杂到GaAs晶体中。X射线双摇摆曲线测得半高峰宽值为42",晶体完整性还有待提高。与未掺杂GaAs晶体相比,所得晶体的禁带宽度出现红移,从1.43eV移至近1.39eV。测试结果显示GaAs:bi晶体可以作为近红外半导体激光器的衬底材料。

关键词：下降法晶体生长砷化镓晶体 bi掺杂

硒化铜铋薄膜和硒化锑铋薄膜的电沉积制备及性能表征

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硒化铜铋薄膜和硒化锑铋薄膜的电沉积制备及性能表征

作者：王博中南大学

学位级别：硕士

探索新型矿源丰富、环境友好的廉价薄膜太阳电池材料是当前太阳电池研究的热点。在各种薄膜材料制备方法中,电沉积法具有低成本、非真空和高效率等优点,适合于薄膜太阳电池的制备。基于薄膜太阳电池材料的要求和制备方法的分析,本论文... 详细信息

探索新型矿源丰富、环境友好的廉价薄膜太阳电池材料是当前太阳电池研究的热点。在各种薄膜材料制备方法中,电沉积法具有低成本、非真空和高效率等优点,适合于薄膜太阳电池的制备。基于薄膜太阳电池材料的要求和制备方法的分析,本论文选择硒化铜铋和硒化锑铋这两种元素丰度高、低成本的金属硒化物薄膜为研究对象,采用电沉积法制备,并对薄膜进行表征,主要研究结论如下： 1.首次采用电沉积法从酸性水溶液中制备出了硒化铜铋薄膜。采用循环伏安法研究了薄膜沉积的电化学行为,发现铜和铋均是以欠电位沉积方式进入薄膜。研究了主要电沉积工艺参数对硒化铜铋薄膜成分和形貌的影响,发现沉积电位和pH值对薄膜成分和形貌影响显著,而沉积温度影响较小。在沉积电位-0.22Vvs. SCE、温度25。C和pH值1.5时可制备表面平整致密、化学计量组成为Cu1.09bi1.42Se3且主晶相为bi2Se3的薄膜,其光吸收系数超过5×104cm-1,带隙宽度为1.504±0.01eV。多种电学表征结果表明,薄膜导电类型为p型。其中,霍尔测试测得薄膜的载流子浓度、载流子迁移率和电阻率分别为2.5×1018～5.6x1019cm-3、0.16～1.40cm2·V-1·s-1和70.2～175.8Ω.cm-1;光电化学测试表明薄膜具有良好的光电压响应;Mott-Schottky测试测得薄膜平带电位为-0.24±0.03V vs. SCE,载流子浓度为8.9×1019cm-3,与霍尔测试结果一致。 2.采用电沉积法从酸性水溶液中制备了硒化锑铋薄膜。采用循环伏安法研究了薄膜沉积的电化学行为,发现铋是以欠电位沉积方式进入薄膜,而锑未观察到该行为;锑、铋和硒可在-0.60～-0.30V vs. SCE范围实现共沉积。研究了主要电沉积工艺参数对硒化锑铋薄膜成分和形貌的影响,发现沉积电位和pH值对薄膜成分和形貌影响显著,而沉积温度影响甚微。在沉积电位-0.40V vs. SCE、湿度25℃和pH值1.5时可制备表面形貌较致密,化学计量组成为Sb1.03bi0.97Se3的薄膜;薄膜经热处理后成分变化不大,但结晶质量得到极大改善,且为呈正交Pbnm（62）结构的bi掺杂Sb2Se3相;其光吸收系数高达105cm-1,带隙宽度为1.12±0.01eV。光电化学和Mott-Schottky测试表明,薄膜导电类型为n型,载流子浓度为1.1×1019cm-3,平带电位为-0.40±0.03V vs. SCE,并具有显著的光电流和光电压响应。另外,研究发现锑铋原子比（Sb/bi）变化对硒化锑铋薄膜的晶型结构和光学性质影响显著：随着Sb/bi比的增大,薄膜可由菱形R-3m（166）结构的Sb掺杂bi2Se3相向正交Pbnm（62）结构的bi掺杂Sb2Se3相转变;其中后者具有较大的光吸收系数（～105cm-1）和带隙宽度（0.90～1.12eV）。

关键词：硒化铜铋硒化锑铋 bi掺杂电沉积薄膜太阳电池

铋掺杂近红外发光材料的可控合成及光学性能研究

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铋掺杂近红外发光材料的可控合成及光学性能研究

作者：朱付萍上海应用技术大学

学位级别：硕士

铋掺杂发光材料,因为其发光光谱从紫外到中红外(300–3000 nm)可调节,可以覆盖生物学窗口和光纤低损耗通讯窗口,且具有较高量子效率等诸多优点,已经在照明、光纤通信、生物成像以及激光器件等多领域表现出非凡的应用潜能。本文基于目前B... 详细信息

铋掺杂发光材料,因为其发光光谱从紫外到中红外(300–3000 nm)可调节,可以覆盖生物学窗口和光纤低损耗通讯窗口,且具有较高量子效率等诸多优点,已经在照明、光纤通信、生物成像以及激光器件等多领域表现出非凡的应用潜能。本文基于目前bi掺杂的近红外发光材料的研究现状,开展了对bi掺杂的“keggin”型多金属氧酸盐(CsH[SiWO]·3.0HO)以及CsPbi钙钛矿量子点等新型近红外荧光材料的可控合成,光谱性能以及发光机理的研究工作。其中,在发光机理的研究及物质结构分析中,采用了X射线吸收精细结构(EXAFs)与同步辐射X射线衍射(SXRD)的测试手段,确定了bi元素的存在形态及配位环境,结合光学现象对其发光机理做出了合理地解释。本课题的主要研究内容如下:1.采用离子交换法,成功地将bi离子掺杂到具有阴离子空位的“Keggin”型多金属氧酸盐–硅钨酸铯(CsH[SiWO]·3.0HO)的阴离子结构中,后续在N气保护下高温退火,形成了bi的近红外活性中心;其中,利用扫描电镜(SEM)和能量分布面扫描分析(EDS–mapping)对样品的形貌及元素分布进行表征;采用了魔角旋转核磁共振(NASNMR)、高分辨同步辐射X射线衍射(SXRD)、X射线吸收精细结构(XANEs)等测试手段,对样品的结构及bi元素的存在形态及配位环境进行确定;同时,也采用了荧光光谱分析(fluorescence spectrum analysis)和荧光寿命分析(Decay)对样品的光学性能及发光机理进行表征及判定。2.通过高温热注入法将bi离子掺杂到CsPbi钙钛矿量子点结构中,合成出了bi掺杂近红外活性的钙钛矿纳米晶体材料;后续通过透射电镜(TEM)及X射线衍射光谱(XRD)分析对样品的形貌及结构进行表征,另外,采用紫外可见–吸收光谱分析(Abs),荧光光谱分析,近红外荧光寿命分析(NIR–decay)以及近红外量子效率分析(NIR–PLQY)对bi掺杂的CsPbi量子点进行光学性能的表征;同时,对CsPbi量子点掺杂体系中存在的从半导体CsPbi到bi的近红外活性中心的能量转移过程进行了研究;最后通过结构及光学现象的分析,进一步对样品的近红外发光机理进行了研究。

关键词： bi掺杂近红外发光可控合成光学性能

TiO2基和bi基光催化剂的制备及性能研究

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TiO2基和Bi基光催化剂的制备及性能研究

作者：艾力江·吐尔地陕西师范大学

学位级别：硕士

利用光催化技术处理水中有机染料物具有绿色、简便、高效的优势,近年来,受到人们的广泛关注。纳米TiO2作为最典型的光催化剂具有吸光范围窄、粒子易团聚等缺陷;同时,有报道指出光催化剂的形貌对光催化活性也有影响。因此,本文通过TiO... 详细信息

利用光催化技术处理水中有机染料物具有绿色、简便、高效的优势,近年来,受到人们的广泛关注。纳米TiO2作为最典型的光催化剂具有吸光范围窄、粒子易团聚等缺陷;同时,有报道指出光催化剂的形貌对光催化活性也有影响。因此,本文通过TiO2晶体中掺杂铋元素来拓宽吸光范围,利用介孔碳负载纳米TiO2来提高其分散性,将bi纳米晶体内嵌在碳纳米管腔研究这种特殊形貌光催化剂的催化活性。采用硬模板法,制备了bi掺杂介孔TiO2;利用软模板法,合成了介孔碳负载的纳米TiO2采用AAO硬模板法,制备了管腔填充bi纳米晶的碳纳米管。利用X-射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、光电能谱仪、物理吸附仪及紫外可见分光光度计等手段对所合成的催化剂进行了结构和形貌的表征,以罗丹明B降解为探针反应测定了其光催化活性。结果表明,bi掺杂可将TiO2光吸收范围扩展到550nm左右,从而对模拟太阳光显示较高的催化活性,光照160min可使罗丹明B降解效率达到99%;介孔碳负载的纳米TiO2有效地提高了纳米TiO2的分散性,而且介孔碳高的比表面积对吸附罗丹明B非常有利。在模拟太阳光下,TiO2的催化特性与碳的吸附特性协同作用,60min就可使罗丹明B降解完全;单质bi的光催化活性鲜见报道,本文中一步法制备出内嵌bi纳米晶的碳纳米管,在100nm的管腔内填充着单分散、粒径3-5nm的bi纳米晶粒,该材料在紫外光照射下显示了良好的光催化活性,光照120min可使罗丹明B降解效率达到96.6%。

关键词： TiO2 bi掺杂介孔碳碳纳米管制备光催化