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Zno-based deep-ultraviolet light-emitting devices

Chinese Physics B 2017年第4期26卷 50-58页

作者：卢英杰史志锋单崇新申德振 School of Physics and Engineering Zhengzhou University State Key Laboratory of Luminescence and Applications Changchun Institute of OpticsFine Mechanics and PhysicsChinese Academy of Sciences

Deep-ultraviolet（DUV） light-emitting devices（LEDs） have a variety of potential applications.Zinc-oxide-based materials,which have wide bandgap and large exciton binding energy,have potential applications in high-performance DUV LEDs.To realize such optoelectronic devices,the modulation of the bandgap is required.This has been demonstrated by the developments of Mg_xzn_（1-x）o and be_xzn_（1-x）o alloys for the larger bandgap materials.Many efforts have been made to obtain DUV LEDs,and promising successes have been achieved continuously.In this article,we review the recent progress of and problems encountered in the research of Zno-based DUV LEDs.

关键词： Zno deep-ultraviolet light-emitting devices Mg_xzn_（1-x）o be_xzn_（1-x）o

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