检索结果-南通市图书馆

维普期刊数据库

ICP-MS法测定硅片表面bpsg中B、P含量

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

质谱学报 2000年第3期21卷 131-132页

作者：黄曜黄郁芳宗祥福复旦大学材料科学系上海200433

Boron and Phosphorus doped oxides are important films in the processing of IC’ s, both as a planarization dielectric and as a passivation. The accurate analysis of dopants in these films is also of great importance to the analytical chemist. In this paper, Boron and Phosphorus are determined by ICP-MS after the films dissolved by HF, HNO3. The errors of the results and those gotten by ICP-AES from Balazs Lab are less than 5%.

关键词：硅片表面 bpsg 硼磷分析 ICP-MS法

维普期刊数据库

0.11微米DRAM bpsg空洞问题的解决

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

0.11微米DRAM BPSG空洞问题的解决

作者：孙鹏复旦大学

学位级别：硕士

动态随机存取记忆体(DRAM)作为所有计算机内最主要的读写元件,是存储器元件中的重要分子。DRAM的元件设计在市场激烈竞争之下正快速地向高密度、高容量的方向发展,在这种高速发展的趋势下,几乎每三年,DRAM的最小线宽都会进步一个时代.... 详细信息

动态随机存取记忆体(DRAM)作为所有计算机内最主要的读写元件,是存储器元件中的重要分子。DRAM的元件设计在市场激烈竞争之下正快速地向高密度、高容量的方向发展,在这种高速发展的趋势下,几乎每三年,DRAM的最小线宽都会进步一个时代.一再提高的密度与设计要求也同时带来了半导体元器件在生产制造过程中的新挑战,与此同时,几乎所有的DRAM制造商也不得不增加技术研发与设备更新的投入来应对这一DRAM的发展要求.DRAM半导体元器件的生产制造可以分为以下几个主要模块:存储器(Capacitor),CMOS器件(Transistor),层间隔绝(Isolation),金属互联(MetallizationInter Connection).而在这些关键制造工艺中,增加存储器的容量,提高器件性能,控制层间,线间漏电流与寄生电容等问题,成为能否支持更小的设计线宽,获得稳定的成品率(Yield)的重要课题。本论文基于深沟式(Deep Trench)DRAM的制造工艺,研究了作为层间隔绝层的硼磷硅玻璃(bpsg)在深亚微米制造技术中,在实际量产时遇到的空洞问题,并运用各种分析手段找出了工艺问题产生的原因,并结合实验设计(DOE)的方法通过各种实验找出工艺优化的方法,最终使工艺更加稳定,提高良率。研究表明,bpsg的空洞问题,主要取决于它本身的沉积工艺参数,回火工艺条件,并极大的受限于沉积前的晶片表面形貌。而并不十分完美得bpsg空洞控制,极有可能在后续的制造中,难以抵挡化学刻蚀带来的影响,从而造成对电路性能的破坏。研究发现,通过改变bpsg沉积工艺中温度,和沉积速度可以获得较好的bpsg的填充能力,在大量的生产中,严格控制加热系统的稳定性和均匀性,可以加少异常沉积结果的发生机率。提高bpsg中硼,磷的成分比,也可以增加bpsg对高密度晶片形貌的填充能力。然而上述方法,也会遇到由于相关制程的变化而遇到瓶颈,特别是晶片形貌(Aspect Ratio)的变化,研究发现bpsg在某个特定的深宽比例下会达到最苛刻的填充效果,这时需要适当改变深宽比(在器件性能允许的范围内)从而避免bpsg空洞导致的电路失效。实验中还发现了更为有效的改良措施来控制bpsg填充的空洞,就是通过改良bpsg的回火工艺,从传统的氮气保护热退火的或是水汽的热退火步骤,改进为两步退火。结果显示,这一方法大大增加了bpsg填充对前后关联工艺的适应度。通过对大量产品的数据跟踪,以上的改良措施使bpsg空洞问题在0.11微米DRAM制造中的发生几率从6%降低到0%(基于50万片)。上述的每一种方法都会或多或少的改变IC器件的电学性能(主要表现在器件的阈值电压,结电阻,接触电阻),需要根据产品特性作适度调节以维持原有的电学性能。本论文还展望了一种二次沉积的方法,它的优势在于应对更苛刻的密度条件下对bpsg沉积要求,通过沉积,部分刻蚀,再沉积的方法,可以获得更好的空洞控制,只是增加了制程的复杂性。

关键词： DRAM bpsg CVD 空洞

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

PSG和bpsg等离子沉积的工艺特征

微电子学 1985年第3期 74-77页

作者： S.Shanfield ,S.Bay ,胡雯玲

制造高密度集成电路的关键之一是通过金属条的夹层介质台阶的形貌。因底层结构或通过腐蚀引起的这些台阶应逐渐倾斜以保证其后沉积的金属互连条的连续性。在器件可容温度下,对磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(bpsg)夹层介质进行回流就可得到... 详细信息

制造高密度集成电路的关键之一是通过金属条的夹层介质台阶的形貌。因底层结构或通过腐蚀引起的这些台阶应逐渐倾斜以保证其后沉积的金属互连条的连续性。在器件可容温度下,对磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(bpsg)夹层介质进行回流就可得到斜削的台阶。已经用常压CVD,低压CVD,最近又用管形系统等离子增强CVD验证了PSG和bpsg沉积。在这篇报告中,我们论述了PSG和bpsg等离子增强沉积的工艺特征。采用平行平板冷壁等离子沉积系统。

关键词：硅烷磷化氢有机硅化合物氢化合物 bpsg CVD 硼烷类乙硼烷磷硅玻璃等离子沉积沉积速率 PSG 工艺特征

0.16μm DRAM中次大气压硼磷硅玻璃工艺的优化研究

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

0.16μm DRAM中次大气压硼磷硅玻璃工艺的优化研究

作者：张苗复旦大学

学位级别：硕士

随着动态随机存储器(简称DRAM)设计水平的不断发展,器件的尺寸越来越小,这对半导体制造技术不断提出新的挑战。到深亚微米级尺寸以后,使用常压化学气相沉积(简称APCVD)和等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)工艺技术制造的硼磷硅玻璃(... 详细信息

随着动态随机存储器(简称DRAM)设计水平的不断发展,器件的尺寸越来越小,这对半导体制造技术不断提出新的挑战。到深亚微米级尺寸以后,使用常压化学气相沉积(简称APCVD)和等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)工艺技术制造的硼磷硅玻璃(简称bpsg)已经不能够满足器件的制造要求。次大气压硼磷硅玻璃(简称SAbpsg)开始凭借其优良的性能被广泛应用于0.16μm及以下线宽的DRAM半导体制造中。本课题围绕0.16μm DRAM研发工作中遇到的一系列SAbpsg工艺问题展开,就颗粒度偏高、工艺稳定性差和成膜质量不良等问题分别展开讨论,提出了改造设备、优化工艺设定、改进反应条件等优化方案。颗粒度研究方面,通过改造气体管路,加装加热器环和降低隔离阀气压等方法消除了设备硬件中的颗粒源,大幅降低了颗粒度水平。另外,对缓慢形成于bpsg表面的颗粒也进行了研究,在解释其形成机理的基础上,提出了可以用于实际生产,并且不增加额外成本的预防方法。工艺稳定性研究方面,应用计算机辅助技术进行科学的试验设计,通过少量实验就准确分析出了次大气压硼磷硅玻璃工艺中反应物流量与浓度、沉积速率的关系,并准确找到了最佳反应物流量组合,有效提高了工艺的稳定性。成膜质量研究方面,通过对工艺载气和掺杂浓度的优化,成功消除了位线结构间的空洞问题,并增强了膜质的致密性和均匀性。以上论文成果已经成功地应用于深亚微米DRAM制造的生产实践中,并且获得了良好的经济效益。

关键词： SACVD bpsg 次大气压硼磷硅玻璃颗粒度空洞

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

高纵横比间距下TiN残留物的解决方案

集成电路应用 2019年第5期36卷 30-32页

作者：黄庆丰上海华虹宏力半导体制造有限公司上海201203

讨论在标准0.18μm CMOS逻辑平台上加入一次性编程单元(OTP Cell)后,工艺所面临的问题。由于OTP Cell的设计尺寸远小于0.18μm技术代的设计要求,导致用传统工艺对OTP Cell中具有高纵横比的间距进行填充时,会出现空洞。该空洞贯通前后接... 详细信息

讨论在标准0.18μm CMOS逻辑平台上加入一次性编程单元(OTP Cell)后,工艺所面临的问题。由于OTP Cell的设计尺寸远小于0.18μm技术代的设计要求,导致用传统工艺对OTP Cell中具有高纵横比的间距进行填充时,会出现空洞。该空洞贯通前后接触孔(CT),使得后续在沉积TiN时,TiN会残留在空洞侧壁上,使相邻接触孔短路,从而导致OTP失效。为了解决这个问题,从多个方面进行了方案设计,包括硼磷硅玻璃(bpsg)中硼(B)和磷(P)的浓度,bpsg的厚度,回流温度以及在bpsg之前先沉积一层高密度等离子体氧化物(HDP USG)。实验结果表明,只有在bpsg之前先沉积一层HDP USG的工艺方案才是有效的,才可以消除空洞,从而消除TiN残留物。同时,器件性能不受影响,并实现了高良率。

关键词：集成电路制造接触孔 TiN残留物 bpsg HDPUSG

维普期刊数据库