检索结果-南通市图书馆

物理学报 2017年第1期66卷 308-315页

作者：常远思李刚张颖蔡建旺中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室北京100190

以CoFeb/MgO为核心单元的垂直各向异性薄膜体系和相关的垂直磁隧道结已获得广泛研究,其中CoFeb的b含量基本都保持为原子比20%.本文采用磁控溅射制备了Ta/(Co0.5Fe0.5)1-xbx/MgO三明治结构及生长顺序相反的系列薄膜,并在573—623K进行真... 详细信息

以CoFeb/MgO为核心单元的垂直各向异性薄膜体系和相关的垂直磁隧道结已获得广泛研究,其中CoFeb的b含量基本都保持为原子比20%.本文采用磁控溅射制备了Ta/(Co0.5Fe0.5)1-xbx/MgO三明治结构及生长顺序相反的系列薄膜,并在573—623K进行真空退火,研究了样品垂直各向异性随b成分的变化.结果显示,当b含量减小到10%时,Ta/CoFeb/MgO体系的垂直各向异性明显降低;相反,当b含量增加至30%时,该体系的垂直各向异性明显增强;发现在高b含量的情形下,样品的垂直各向异性大小与温度稳定性均与三明治结构的生长顺序密切相关;获得了具有优异温度稳定性的垂直磁化MgO/CoFeb/Ta样品.结果表明适当增加b含量是增强CoFeb/MgO体系垂直各向异性和温度稳定性的有效途径之一.

关键词：垂直各向异性 CoFeb/MgO薄膜 b成分

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