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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

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  • 2 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 au-al键合界面
  • 1 篇 电解质类污染物
  • 1 篇 键合模式
  • 1 篇 高温储存实验
  • 1 篇 金属间化合物
  • 1 篇 kirkendall空洞
  • 1 篇 电化学腐蚀

机构

  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 宏茂微电子有限公...

作者

  • 1 篇 霍绍新
  • 1 篇 解启林
  • 1 篇 吴超
  • 1 篇 陶少杰
  • 1 篇 张健健

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=Au-Al键合界面"
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au-al键合界面金属间化合物对可靠性影响的研究
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中国集成电路 2024年 第6期33卷 82-89页
作者： 张健健 吴超 陶少杰 宏茂微电子(上海)有限公司
引线键合工艺是半导体封装过程中十分重要的一道工序,键合质量的提高基于键合可靠性的提升,而键合界面对键合的可靠性,乃至对电子元器件的服役性能和使用寿命都有着极大的影响。但是,在键合完成初期,由于会形成少量的金属间化合物(IMC)... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
电解质类污染物对au-al键合界面的可靠性影响
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电子工艺技术 2013年 第6期34卷 342-344,355页
作者： 解启林 霍绍新 中国电子科技集团公司第三十八研究所 安徽合肥230031
初步探讨了au-al键合界面处于电解质类污染物中发生的失效行为及其机理。分析认为电解质类污染物作用于au-al键合界面后,发生了电化学腐蚀反应而加速au-al键合提前失效。在实际生产中,实施多芯片组件组装、调试与检验全过程的质量过程... 详细信息
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