检索结果-南通市图书馆

MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能

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发光学报 2012年第5期33卷 514-518页

作者：史志锋伍斌蔡旭浦张金香王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林杜国同集成光电子国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130012 大连理工大学物理与光电工程学院辽宁大连116023

采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出as掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结... 详细信息

采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出as掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合。

关键词： as掺杂 p-ZnO/n-SiC 电致发光金属有机化学汽相沉积

高工作温度p-on-n中波碲镉汞红外焦平面器件研究

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红外与激光工程 2022年第12期51卷 47-51页

作者：杨超伟赵鹏黄伟秦强何天应李红福浦同俊刘艳珍熊伯俊李立华昆明物理研究所云南昆明650223

As注入掺杂的p-on-n结构碲镉汞红外探测器件具有少子寿命长、暗电流低、R0A值高等优点,是高温器件研究的重要技术路线之一。针对阵列规模640×512、像元中心距15μm的as掺杂工艺制备的p-on-n中波碲镉汞焦平面器件,测试了不同工作温度下... 详细信息

As注入掺杂的p-on-n结构碲镉汞红外探测器件具有少子寿命长、暗电流低、R0A值高等优点,是高温器件研究的重要技术路线之一。针对阵列规模640×512、像元中心距15μm的as掺杂工艺制备的p-on-n中波碲镉汞焦平面器件,测试了不同工作温度下的性能和暗电流。研究结果表明,在80K工作温度下,器件响应表现出高响应均匀性,有效像元率达99.98%;随着工作温度升高,器件盲元增多,当工作温度为150K和180K时,有效像元率降低至99.92%和99.32%。由于对器件扩散电流更好的抑制,器件在160~200K温度范围内的暗电流低于Rule-07。并且当工作温度在150~180K时(300K的背景下),器件具有较好的信噪比,极大程度地体现了高温工作的可行性。

关键词：高工作温度碲镉汞 p-on-n as掺杂

分子束外延P型Hg_(1-x)Cd_xTe少子寿命的研究

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人工晶体学报 2007年第2期36卷 385-389页

作者：魏青竹吴俊巫艳陈路于梅芳傅祥良乔怡敏王伟强何力中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心上海200083 中国科学院研究生院北京100039

本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统,对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位as掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行了测量,并对材料的少子寿命与温度、载流子浓度的依赖关系进行了研究。结果发现,Hg空位型HgCdTe材料,在非... 详细信息

本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统,对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位as掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行了测量,并对材料的少子寿命与温度、载流子浓度的依赖关系进行了研究。结果发现,Hg空位型HgCdTe材料,在非本征区范围内,SRH再结合机制起主要作用;在本征区域,Auger再结合和Radiative再结合机制起主要作用。通过拟和得到,低温下作为SRH再结合中心的汞空位能级位置在离价带顶30meV处,有着类受主的性质,起库仑吸引作用,限制了材料的少子寿命。as掺杂P型材料的少子寿命与同载流子浓度Hg空位为主的P型材料少子寿命相比,大了一个数量级。这就决定了as掺杂P型材料制成的红外探测器件比Hg空位P型材料的探测率高,因此这种材料更适合做多色红外焦平面列阵探测器。

关键词： HgCdTe P型材料 as掺杂 μ-PCD 少子寿命

p-ZnMgO：As薄膜的MOCVD生长及其发光器件制备研究

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p-ZnMgO：As薄膜的MOCVD生长及其发光器件制备研究

作者：赵龙吉林大学

学位级别：硕士

随着ZnO材料研究的深入，以及在深紫外区光电器件方面应用的不足，ZnMgO作为一种新兴光电材料走入了人们的视野。但同ZnO材料遇到的困难相同，截止到目前，ZnMgO材料高效、稳定、可重复的p型掺杂仍未得到很好的解决，这使得其高效率紫... 详细信息

随着ZnO材料研究的深入，以及在深紫外区光电器件方面应用的不足，ZnMgO作为一种新兴光电材料走入了人们的视野。但同ZnO材料遇到的困难相同，截止到目前，ZnMgO材料高效、稳定、可重复的p型掺杂仍未得到很好的解决，这使得其高效率紫外发光器件的研制受到限制。本论文采用金属有机化学气相沉积(Metal Organic ChemicalVapor Deposition (MOCVD))外延技术，开展了高质量ZnMgO薄膜的制备、ZnMgO材料的p型as掺杂研究以及n-GaN/p-ZnMgO异质结发光器件的制备和特性研究三方面工作。首先，采用MOCVD法，在蓝宝石衬底上进行变温生长ZnMgO薄膜的实验，通过对薄膜晶体质量、表面形貌及光学质量的表征，表明合适的生长温度对高质量的ZnMgO薄膜的制备至关重要，我们得到了优化的生长温度。同时ZnO缓冲层的引入有利于进一步提高薄膜质量。其次，首次采用溅射GaAs夹层的方式，对MOCVD法制备的ZnMgO材料进行p型as掺杂。通过夹层中As原子的热扩散，成功的制备出载流子浓度为10cm量级的p-ZnMgO薄膜，找到了实现As原子高效掺杂的生长温度范围。最后，在n-GaN上成功制备出的p-ZnMgO材料，并制作出n-GaN/p-ZnMgO异质结发光器件，电致发光测试表明，该器件实现了发光区主要集中在紫外部分的电致发光。

关键词： MOCVD ZnMgO as掺杂异质结发光器件

同方学位论文库评论

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p型ZnO薄膜生长及其结特性的研究

p型ZnO薄膜生长及其结特性的研究

作者：王瑾吉林大学

学位级别：硕士

ZnO是一种光电特性和压电特性相结合的直接带隙宽禁带半导体材料。ZnO的激子束缚能在室温下高达60meV,在室温下可实现高效率的受激发射,可应用于透明电极材料,紫外光探测器,透明薄膜晶体管,表面声波器件等多个领域。本论文的主要工作:... 详细信息

ZnO是一种光电特性和压电特性相结合的直接带隙宽禁带半导体材料。ZnO的激子束缚能在室温下高达60meV,在室温下可实现高效率的受激发射,可应用于透明电极材料,紫外光探测器,透明薄膜晶体管,表面声波器件等多个领域。本论文的主要工作:首先采用MOCVD方法在半绝缘GaAs衬底上生长ZnO薄膜,分别制作了在氮气下高温退火和无氮气保护没有退火的两种样品,并对两种样品的电学特性和光学特性做了测试。试验发现,未退火样品的导电类型是n型的,其电子浓度为3.5×1019cm-3,迁移率为20cm2/Vs,经过退火的样品的导电类型为p型,其空穴浓度为1.2×1017cm-3,迁移率为1.8 cm2/Vs;n型样品的低温光致发光谱中出现了与施主有关的辐射复合发光峰并占据主导地位,p型样品的低温光致发光谱中出现了与受主有关的辐射复合发光峰并占据主导地位,与As有关的受主能级大约位于距价带顶140meV处。然后,用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上溅射一层GaAs,制作了具有两种不同厚度GaAs层的衬底并在其上生长ZnO薄膜做成两种不同的样品,并做了电学特性和光学特性测试。试验发现,4nm厚GaAs夹层上的ZnO薄膜的导电类型为n型,8nm厚GaAs夹层上的ZnO薄膜的导电类型为p型,空穴浓度为2.18×1017cm-3,迁移率为1.28 cm2/Vs;ZnO薄膜的电子能谱中O1s的主峰位置在530.4eV,并出现了位于531.6eV附近的微弱肩峰,能谱中出现了As3d的主峰,分别位于低能侧41eV和高能侧44eV;低温光致发光谱中出现了与多种辐射复合有关的发光峰,与As原子有关的受主能级在距离价带顶127meV处。最后,制作了Au/ZnO/GaAs/n-Si/Al结构的异质结器件和ITO/GaAs/ZnO/ZnO/Au-Zn结构的同质结器件以及Au-Zn合金电极并对其做了电学特性测试。发现,异质结器件具有明显的整流特性,开启电压在4V左右;同质结器件呈现明显的整流特性,开启电压约为1.8V;Au-Zn电极可形成良好的欧姆接触。

关键词： P型ZnO薄膜 as掺杂 MOCVD 异质结同质结