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analysis of effect of zn(O,S) Buffer Layer Properties on CZTS Solar Cell Performance Using AMPS

Chinese Physics Letters 2016年第10期33卷 116-119页

作者：林灵燕邱羽张禹张昊 Institute of Advanced Photovoltaics Fujian Jiangxia University College of Electronic Information Science Fujian Jiangxia University

The Cu2znSnS4 （CZTS）-based solar cell is numerically simulated by a one-dimensional solar cell simulation soft- ware analysis of microelectronic and photonic structures （AMPS-1D）. The device structure used in the simulation is Al/znO：Al/nzn（O,S）/pCZTS/Mo. The primary motivation of this simulation work is to optimize the composition in the znO1-xSx buffer layer, which would yield higher conversion efficiency. By varying S/（S＋O） ratio x, the conduction band offset （CBO） at CZTS/zn（O,S） interface can range from -0.23 eV to 1.06eV if the full range of the ratio is considered. The optimal CBO of 0.23eV can be achieved when the znO1-xSx buffer has an S/（S＋O） ratio of 0.6. The solar cell efficiency first increases with increasing sulfur content and then decreases abruptly for x〉 0.6, which reaches the highest value of 17.55% by our proposed optimal sulfur content x= 0.6. Our results provide guidance in dealing with the znO1-xSx buffer layer deposition for high efficiency CZTS solar cells.

关键词： of in is CZTS O,S analysis of effect of zn Buffer Layer Properties on CZTS Solar Cell Performance Using AMPS on

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