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an al0.25Ga0.75N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel

Chinese Physics Letters 2018年第3期35卷 106-109页

作者：赵德胜刘冉付凯于国浩蔡勇黄宏娟王逸群孙润光张宝顺 The State Key Laboratory of ASIC and Systems School of Information Science and TechnologyFudan University Nano Fabrication Facility Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics Chinese Academy of Sciences

We report an al0.25Ga0.75N/GaN based lateral field emission device with a nanometer scale void channel. A -45 nm void channel is obtained by etching out the SiO2 sacrificial dielectric layer between the semiconductor emitter and the metal collector. Under an atmospheric environment instead of vacuum conditions, the OaN- based field emission device shows a low turn-on voltage of 2.3 V, a high emission current of -40 μA （line current density 2.3mA/cm） at a collector bias Vc = 3 V, and a low reverse leakage of 3nA at Vc = -3 V. These characteristics are attributed to the nanometer scale void channel as well as the high density of two-dimensional electron gas in the alGaN/GaN heterojunction. This type of device may have potential applications in high frequency mieroelectronics or nanoelectronics.

关键词： Ga an al N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel

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