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学科分类号

  • 11 篇 理学
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    • 6 篇 材料科学与工程(可...
    • 3 篇 化学工程与技术
    • 1 篇 机械工程

主题

  • 14 篇 aln晶体
  • 3 篇 物理气相传输
  • 2 篇 温场
  • 2 篇 台阶流
  • 2 篇 pvt法
  • 2 篇 物理气相传输(pvt...
  • 2 篇 生长速率
  • 2 篇 表面形貌
  • 1 篇 耦合机制
  • 1 篇 aln和zr
  • 1 篇 高温
  • 1 篇 坩埚材料
  • 1 篇 杂质
  • 1 篇 c杂质
  • 1 篇 灵敏度
  • 1 篇 力学性质
  • 1 篇 第一性原理
  • 1 篇 高温退火技术
  • 1 篇 电子结构
  • 1 篇 密度泛函理论

机构

  • 5 篇 中国电子科技集团...
  • 4 篇 深圳大学
  • 2 篇 山东大学
  • 2 篇 哈尔滨工业大学
  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 武汉科技大学
  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 哈尔滨工程大学
  • 1 篇 湖南涉外经济学院
  • 1 篇 湖南人文科技学院

作者

  • 6 篇 张丽
  • 6 篇 金雷
  • 4 篇 程红娟
  • 4 篇 齐海涛
  • 3 篇 武红磊
  • 3 篇 史月增
  • 2 篇 宋波
  • 2 篇 王守志
  • 2 篇 张雷
  • 2 篇 王国栋
  • 2 篇 徐现刚
  • 2 篇 徐永宽
  • 2 篇 俞瑞仙
  • 2 篇 郑瑞生
  • 2 篇 赵超亮
  • 2 篇 胡小波
  • 1 篇 陈红梅
  • 1 篇 史月曾
  • 1 篇 雷亚辉
  • 1 篇 赵堃

语言

  • 14 篇 中文
检索条件"主题词=AlN晶体"
14 条 记 录,以下是1-10 订阅
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原料颗粒度对aln晶体生长的影响
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人工晶体学报 2024年 第1期53卷 58-64页
作者: 俞瑞仙 王国栋 王守志 曹文豪 胡小波 徐现刚 张雷 山东大学深圳研究院 深圳518000 山东大学新一代半导体材料研究院 晶体材料国家重点实验室济南250100
本文通过对氮化铝(aln)粉末进行烧结,制备了aln晶体生长用的多晶颗粒料,测试发现,与粉末原料相比,多晶颗粒料的杂质显著降低。利用数值模拟软件研究了不同原料孔隙率对晶体生长的影响,分析了相同晶体生长工艺条件下原料内部温场的分布... 详细信息
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高温退火对PVT法生长的aln晶体质量的影响
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无机材料学报 2023年 第3期38卷 343-349页
作者: 俞瑞仙 王国栋 王守志 胡小波 徐现刚 张雷 山东大学深圳研究院 新一代半导体材料研究院晶体材料国家重点实验室济南250100
在PVT法生长aln晶体的过程中,很难保持理想的热力学平衡状态,不可避免地会产生晶体缺陷。高温退火技术对提高晶体完整性十分有效,受到了广泛关注。本工作在N2气氛环境下对PVT法生长的aln晶片进行高温退火研究。为了评价退火前后aln晶体... 详细信息
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高压下三元层状氮化物Maln(M=Ti, Zr)的结构、力学、电子及光学性质的第一性原理研究
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人工晶体学报 2024年
作者: 吴礼海 于普良 钟敏 武汉科技大学精密制造研究院 武汉科技大学机械传动与制造工程湖北省重点实验室 武汉科技大学冶金装备及控制教育部重点实验室
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,优化了三元层状氮化物M2aln (M=Ti, Zr)的几何结构,研究了高压下三元层状氮化物M2aln (M=Ti, Zr)的结构、力学、电子以及光学性质。结构和力学性质研究表明,Ti2aln的压缩性优于Zr2Al... 详细信息
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aln晶体PVT法生长用坩埚材料技术
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材料导报 2021年 第S2期35卷 118-120,137页
作者: 王嘉彬 陈红梅 袁超 湖南人文科技学院 精细陶瓷与粉体材料湖南省重点实验室娄底417000 湖南涉外经济学院 长沙410205
宽禁带半导体材料氮化铝(aln)具有熔点高、临界击穿场强高、高温热稳定性好和耐腐蚀性优等特点,是极其重要的第三代半导体材料。物理气相传输(PVT)法作为被广泛采用的aln晶体生长技术,其工艺条件与环境要求极为苛刻。耐高温、抗腐蚀、... 详细信息
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基于耦合机制的aln晶体生长速率模型
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电子元件与材料 2021年 第6期40卷 553-558页
作者: 郭森 张丽 中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220
在耦合传热和物质传输两种机制的基础上建立了物理气相传输法aln晶体生长速率模型。当生长压力为30,60,90 kPa时,生长速率模型计算结果和实验结果的偏差值均在20μm/h以内。尤其是当压力为60 kPa时,偏差值为-8μm/h。在此基础上进一步... 详细信息
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升华法制备m面非极性aln晶体的研究
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人工晶体学报 2012年 第6期41卷 1534-1537页
作者: 武红磊 郑瑞生 李萌萌 闫征 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室 深圳518060
aln晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能。生长高质量的非极性面aln晶体材料是解决该问题的有效途径。本研究结合aln晶体沿c轴择优生长的特点,使用自行设计的双区电阻加热生长装置,升华制备出尺寸为厘米级m... 详细信息
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物理气相法制备aln晶体
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Journal of Semiconductors 2007年 第Z1期28卷 263-266页
作者: 武红磊 郑瑞生 孙秀明 深圳大学光电子学研究所 深圳518060 深圳大学光电子学研究所深圳518060 深圳大学光电子学研究所深圳518060
研究了物理气相法制备aln晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和盖的粘结问题.随着生长温度的升高,aln晶体的形态从晶须过渡到棱形晶粒.温度高于1950℃时,才能制备出颗粒... 详细信息
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新型氮化铝aln晶体高温压电振动传感器
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中国电子科学研究院学报 2020年 第12期15卷 1212-1218页
作者: 陈丽洁 徐兴烨 雷亚辉 杨月 朴胜春 张丽 中国电子科技集团公司第四十九研究所 黑龙江哈尔滨150028 哈尔滨工程大学水声技术重点实验室 黑龙江哈尔滨150001 中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220
aln的禁带宽度可达6.2 eV,并具有直接带隙,是重要的蓝光和紫外发光材料;同时aln具有热导率高,熔点高,电阻率高,击穿场强大,介电系数小等多种优异性能,是优异的高温、高频和大功率器件用电子材料;沿c轴取向的aln还具有非常好的压电性和... 详细信息
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衬底温度对PVT法生长aln晶体自发形核的影响
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微纳电子技术 2017年 第4期54卷 285-290页
作者: 史月增 金雷 齐海涛 张丽 程红娟 徐永宽 中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220
通过热力学理论对物理气相传输(PVT)法aln晶体生长过饱和度进行分析,分别从软件模拟和晶体生长实验对衬底表面的温度分布进行调控,进而控制衬底表面aln晶体生长的驱动力。理论上,采用Comsol模拟软件对坩埚结构的温度分布进行模拟仿真,... 详细信息
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一种新型的提高aln晶体生长率的加热体结构及其温场模拟
一种新型的提高AlN晶体生长率的加热体结构及其温场模拟
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第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)
作者: 赵超亮 金雷 宋波 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所 哈尔滨工业大学深圳研究生院 哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院
PVT法应用于宽禁带半导体材料SiC、aln晶体的生长[1]。本文设计了一种新型的PVT加热体,通过优化几何机构从而调节温场,结合VR aln有限元分析(FEA),研究了加热体结构对晶体生长速率的影响。根据反应动力学分析,气相传输的驱动力主要来... 详细信息
来源: cnki会议 评论