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Progress in efficient doping of Al-rich algan

Journal of Semiconductors 2024年第2期45卷 10-20页

作者： Jiaming Wang Fujun Xu Lisheng Zhang Jing Lang Xuzhou Fang Ziyao Zhang Xueqi Guo Chen Ji Chengzhi Ji Fuyun Tan Xuelin Yang Xiangning Kang Zhixin Qin Ning Tang Xinqiang Wang Weikun Ge Bo Shen State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics School of PhysicsPeking UniversityBeijing 100871China Beijing SinoGaN Semiconductor Technology Co. Ltd.Beijing 101399China Nano-optoelectronics Frontier Center of Ministry of Education Peking UniversityBeijing 100871China Collaborative Innovation Center of Quantum Matter Beijing 100871China

The development of semiconductors is always accompanied by the progress in controllable doping *** algan-based ultraviolet(uv)emitters as an example,despite a peak wall-plug efficiency of 15.3%at the wavelength of 275 nm,there is still a huge gap in comparison with GaN-based visible light-emitting diodes(leds),mainly attributed to the inefficient doping of algan with increase of the Al ***,p-doping of Al-rich algan is a long-standing challenge and the low hole concentration seriously restricts the carrier injection *** p-GaN cladding layers are widely adopted as a compromise,the high injection barrier of holes as well as the inevitable loss of light extraction cannot be *** in terms of n-doping the main issue is the degradation of the electrical property when the Al composition exceeds 80%,resulting in a low electrical efficiency in sub-250 nm *** review summarizes the recent advances and outlines the major challenges in the efficient doping of Al-rich algan,meanwhile the corresponding approaches pursued to overcome the doping issues are discussed in detail.

关键词： algan-based uv-leds Al-rich algan doping

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