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algan PIN紫外探测器的结构及性能分析

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电子器件 2005年第2期28卷 421-427页

作者：张春福郝跃周小伟李培咸邵波涛西安电子科技大学微电子所西安710071

algan基光电探测器在军事高科技和民品市场通讯和成像方面具有很高的价值。分析了alganp-i-n光电探测器的结构对性能的影响,深入阐述了alganp-i-n光电探测器制造与设计中所面临的深层次问题,并对其工艺和结构性能分析的基础上特别介绍了... 详细信息

algan基光电探测器在军事高科技和民品市场通讯和成像方面具有很高的价值。分析了alganp-i-n光电探测器的结构对性能的影响,深入阐述了alganp-i-n光电探测器制造与设计中所面临的深层次问题,并对其工艺和结构性能分析的基础上特别介绍了p-GaN-/ialgan/nGaN结构,并对其结构进行了改进,得到了改进的SLS/algan/GaN结构。

关键词： algan p-i-n 电探测器可见光盲区太阳盲区

283nm背照射p-i-n型algan日盲紫外探测器

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红外与激光工程 2013年第4期42卷 1011-1014页

作者：王晓勇种明赵德刚苏艳梅中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083

实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的algan基p-i-n结构材料,通过对工艺流程的优化设计,制作了背照射p-i-n型algan日盲紫外探测器,获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%,n区Al组分为65%。... 详细信息

实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的algan基p-i-n结构材料,通过对工艺流程的优化设计,制作了背照射p-i-n型algan日盲紫外探测器,获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%,n区Al组分为65%。探测器为直径500μm的圆形,光谱响应起止波长为260~310 nm,峰值响应波长283 nm。零偏压下,暗电流密度为2.7×10-10Acm-2,对应的R0A参数为3.8×108Ωcm2,峰值响应率为13 mA/W,对应的峰值探测率为1.97×1012cmHz1/2W-1。其在-7 V偏压下,峰值响应率达到148 mA/W,对应的外量子效率达到63%。

关键词：紫外探测器 algan 日盲量子效率

307-325nm波长algan基紫外光探测器

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半导体光电 2007年第6期28卷 789-792页

作者：岑龙斌桑立雯周绪荣秦志新张国义北京大学物理学院人工微结构与介观物理实验室北京100871

通过在GaN缓冲层上先生长一层20 nm厚的AlN插入层,成功地在此插入层上生长出了200 nm厚的AlxGa1-xN(0.220.20时,其上Ni基肖特基势垒高度几乎是不变的。在O2氛围中,300℃下,对AlxGa1-xN材料上10 nm厚的金属Ni层氧化90 s,得到了此Ni层在31... 详细信息

通过在GaN缓冲层上先生长一层20 nm厚的AlN插入层,成功地在此插入层上生长出了200 nm厚的AlxGa1-xN(0.220.20时,其上Ni基肖特基势垒高度几乎是不变的。在O2氛围中,300℃下,对AlxGa1-xN材料上10 nm厚的金属Ni层氧化90 s,得到了此Ni层在314 nm的透射率由57.5%提高到78.2%。在器件的光电流谱测量中,得到了器件最短的截止波长为307 nm,紫外/可见光达到103以上。

关键词： algan 紫外光探测器肖特基接触

背照式高量子效率algan日盲紫外探测器设计

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红外与激光工程 2013年第12期42卷 3358-3362页

作者：赵文伯周勋李艳炯申志辉罗木昌重庆光电技术研究所重庆400060

高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是algan紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子... 详细信息

高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是algan紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子效率algan日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程，并给出了设计结果，通过工艺实验，对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制，经测试试制器件，其峰值响应波长为270 nm，光谱响应范围为250～282 nm，峰值量子效率达到了57%（0 V），实验表明取得了比较理想的设计结果。

关键词：高量子效率 algan 日盲紫外探测器

低温GaN插入层对algan/GaN二维电子气特性的改善

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人工晶体学报 2013年第7期42卷 1406-1409页

作者：张东国李忠辉彭大青董逊李亮倪金玉南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了algan/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发... 详细信息

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了algan/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使algan/GaN 2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品在室温下2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V.s。

关键词： MOCVD 缓冲层 algan GaN 二维电子气

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日盲型algan PIN紫外探测器的研制

半导体光电 2007年第3期28卷 342-344页

作者：黄烈云吴琼瑶赵文伯叶嗣荣向勇军刘小芹黄绍春重庆光电技术研究所重庆400060

采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分algan材料,研制出日盲型algan PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿... 详细信息

采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分algan材料,研制出日盲型algan PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm。

关键词：紫外探测器 algan 日盲刻蚀欧姆接触

不规则H形量子势垒增强algan基深紫外发光二极管性能

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发光学报 2020年第6期41卷 714-718页

作者：鲁麟郎艺许福军郎婧 M SADDIQUE A K 吕琛裴瑞平王莉王永忠代广珍安徽工程大学高端装备先进感知与智能控制教育部重点实验室安徽芜湖241000 安徽工程大学电气工程学院安徽芜湖241000 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心北京100871 安徽工程大学外国语学院安徽芜湖241000

针对algan基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题,研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对algan基深紫外发光二极管(LED)器件性能的影响及载流子的输运行为。研究发现,与多量子阱中常用的单Al组分势垒相比,加入Al组... 详细信息

针对algan基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题,研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对algan基深紫外发光二极管(LED)器件性能的影响及载流子的输运行为。研究发现,与多量子阱中常用的单Al组分势垒相比,加入Al组分较高的双尖峰势垒可以有效地提高内量子效率和光输出功率。进一步研究表明,电子在有源区因凸起的尖峰势垒而得到了有效的阻挡,减少了电子的泄露,而空穴获得更多的动能从而穿过较高的势垒进入有源区。因此,采用非对称H形量子势垒的深紫外LED器件中载流子输运实现了较好的平衡,量子阱中的载流子复合速率远高于普通的深紫外发光二极管。

关键词： algan 深紫外发光二极管量子势垒

界面极化效应对algan/4H-SiC HBT器件性能影响研究

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真空科学与技术学报 2014年第1期34卷 49-52页

作者：周守利李伽梁显锋安军社浙江工业大学信息学院杭州310023 中科院国家空间中心北京100190

algan/4H-SiC异质结界面存在大的自发和压电极化效应,从而使界面出现较多数量的极化电荷,这导致器件电学性能的改变。利用热场发射-扩散模型,基于数值模拟方法研究了异质结界面极化效应产生的极化电荷对algan/4H-SiC HBT器件直流性能和... 详细信息

algan/4H-SiC异质结界面存在大的自发和压电极化效应,从而使界面出现较多数量的极化电荷,这导致器件电学性能的改变。利用热场发射-扩散模型,基于数值模拟方法研究了异质结界面极化效应产生的极化电荷对algan/4H-SiC HBT器件直流性能和高频性能的影响。得到了algan/4H-SiC异质结界面极化效应引诱的正极性极化界面电荷削弱了异质结的内建电场,加速了载流子的扩散运动,因而能促进载流子的输运,从而使器件的直流特性和高频特性得到改善。

关键词： algan 4H-SiC HBT 异质结界面极化效应热场发射-扩散

Review of encapsulation materials for algan-based deep-ultraviolet light-emitting diodes

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Photonics Research 2019年第8期7卷 812-822页

作者： YOSUKE NAGASAWA AKIRA HIRANO UV Craftory Co. Ltd.

This paper reviews and introduces the techniques for boosting the light-extraction efficiency(LEE) of alganbased deep-ultraviolet(DUV: λ < 300 nm) light-emitting diodes(LEDs) on the basis of the discussion of their molecular structures and optical characteristics, focusing on organoencapsulation materials. Comparisons of various fluororesins, silicone resin, and nonorgano materials are described. The only usable organomaterial for encapsulating DUV-LEDs is currently considered to be polymerized perfluoro(4-vinyloxy-1-butene)(p-BVE)terminated with a —CF3 end group. By forming hemispherical lenses on DUV-LED dies using p-BVE having a —CF3 end group with a refractive index of about 1.35, the LEE was improved by 1.5-fold, demonstrating a cost-feasible packaging technique.

关键词： CF PDD algan algan-based deep-ultraviolet light-emitting diodes