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限定检索结果

文献类型

  • 5 篇 期刊文献

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  • 5 篇 电子文献
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学科分类号

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    • 2 篇 电气工程
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    • 1 篇 光学工程
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学
    • 1 篇 化学

主题

  • 5 篇 algan薄膜
  • 1 篇 ga表面活性剂
  • 1 篇 分子束外延(mbe)
  • 1 篇 al组分
  • 1 篇 椭圆偏振光谱
  • 1 篇 mg掺杂
  • 1 篇 热退火
  • 1 篇 阴极射线发光
  • 1 篇 陷阱效应
  • 1 篇 深紫外
  • 1 篇 喷淋头高度
  • 1 篇 晶界
  • 1 篇 光学常数
  • 1 篇 时间响应
  • 1 篇 光学特性
  • 1 篇 紫外探测器
  • 1 篇 光致发光(pl)
  • 1 篇 表面形貌
  • 1 篇 mocvd

机构

  • 1 篇 南京大学
  • 1 篇 兰州物理研究所表...
  • 1 篇 重庆邮电大学
  • 1 篇 沈阳工程学院
  • 1 篇 深圳大学
  • 1 篇 中国科学技术大学
  • 1 篇 中国科学院苏州纳...
  • 1 篇 重庆光电技术研究...

作者

  • 1 篇 聂超
  • 1 篇 陈鹏
  • 1 篇 郑有炓
  • 1 篇 张荣
  • 1 篇 陆书龙
  • 1 篇 陈学康
  • 1 篇 谢自力
  • 1 篇 吴超
  • 1 篇 刘毅
  • 1 篇 丁孙安
  • 1 篇 贾浩林
  • 1 篇 韩平
  • 1 篇 张曾
  • 1 篇 李秋俊
  • 1 篇 刘斌
  • 1 篇 赵文伯
  • 1 篇 王兰喜
  • 1 篇 王瑞
  • 1 篇 刘启佳
  • 1 篇 赵红

语言

  • 5 篇 中文
检索条件"主题词=AlGaN薄膜"
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排序:
algan外延薄膜材料的椭圆偏振光谱研究
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功能材料 2010年 第10期41卷 1691-1693页
作者: 李秋俊 冯世娟 刘毅 赵红 赵文伯 重庆邮电大学光纤通信技术重点实验室 重庆400065 深圳大学物理科学与技术学院 广东深圳518060 重庆光电技术研究所 重庆400060
对蓝宝石衬底上生长的一系列AlxGa1-xN薄膜进行了椭圆偏振光谱研究,得到了薄膜的厚度以及245~1000nm的光学常数;通过有效介质模型计算出Al组分;随着Al组分的增加,折射率n下降,吸收边蓝移,与透射光谱结果一致。
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晶界对algan薄膜紫外探测器时间响应特性的影响
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半导体光电 2010年 第1期31卷 55-59页
作者: 王兰喜 陈学康 王瑞 曹生珠 兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室 兰州730000
持续光电导(PPC)现象是影响AlxGa1-xN薄膜紫外探测器探测快速变化信号的一个不利因素,它的存在会大大延长探测器的响应时间。文章讨论了晶界对AlxGa1-xN薄膜紫外探测器时间响应性能的影响。实验结果表明,制作在高晶界密度薄膜上的紫外... 详细信息
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高Al组分algan的MBE生长及表面活性机理
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半导体技术 2020年 第9期45卷 701-706,736页
作者: 贾浩林 杨文献 陆书龙 丁孙安 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 江苏苏州215123 中国科学技术大学纳米科学技术学院 合肥230026
采用分子束外延(MBE)方法制备了高质量的高Al组分algan薄膜,在室温下获得了266 nm波长的深紫外发光。利用原位监控系统,结合原子力显微镜(AFM)和变温光致发光(PL)谱研究了生长前端的Ga原子的表面活性作用对algan薄膜的生长模式、表面形... 详细信息
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喷淋头高度对algan生长的影响
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沈阳工程学院学报(自然科学版) 2018年 第1期14卷 86-90页
作者: 宋世巍 柯昀洁 沈阳工程学院新能源学院 辽宁沈阳110136
采用GaN材料常用的生长设备金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统,以蓝宝石为衬底,在GaN上沉积Al GaN薄膜。通过调整MOCVD中喷淋头与基座间的距离,探讨喷淋头高度对algan薄膜生长的影响。选择4个喷淋头高度生长样品,利用金相显微镜、原子... 详细信息
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Mg掺杂algan的特性研究
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微纳电子技术 2008年 第9期45卷 512-515,541页
作者: 吴超 谢自力 张荣 张曾 刘斌 刘启佳 聂超 李弋 韩平 陈鹏 陆海 郑有炓 南京大学物理学系
采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射... 详细信息
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