检索结果-南通市图书馆

半导体技术 2018年第5期43卷 341-346页

作者：李倩安宁曾建平唐海林李志强石向阳谭为中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心成都610200 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900

基于GaN横向肖特基势垒二极管（SBD）的频率特性和应用的需要,设计了一种基于algan/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了algan势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结Al_xGaN_（1-x）/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD... 详细信息

基于GaN横向肖特基势垒二极管（SBD）的频率特性和应用的需要,设计了一种基于algan/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了algan势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结Al_xGaN_（1-x）/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD器件截止频率随Al摩尔组分的增加先增大再减小,当Al_xGaN_（1-x）层中Al摩尔组分为0.2~0.25,其厚度为20~30 nm时,algan/GaN SBD器件的频率特性最好。在仿真的基础上,设计制作出了肖特基接触直径为2μm的非凹槽和凹槽型algan/GaN横向空气桥SBD。通过直流I-V测试和射频S参数测试,提取了两种SBD器件的理想因子、串联电阻、结电容、截止频率和品质因子等关键参数,该平面SBD可应用于片上集成和混合集成的太赫兹电路的设计与制造。

关键词：横向肖特基势垒二极管(SBD) algan/GaN algan层厚度空气桥太赫兹

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