检索结果-南通市图书馆

第十九届计算机工程与工艺年会暨第五届微处理器技术论坛

作者：何运花吴家铸陈建军邵津津湖南省长沙市国防科学技术大学湖南省国防科学技术大学计算机学院

异步SRAM的结构和速度与同步SRAM有很大的差异,为了降低SRAM的维持功耗和提高工作速度,通常要针对异步SRAM特殊模块进行定制设计。本文针对异步抗辐射SRAM的特定要求,设计了一种地址转换监控电路(atd:address translate detector);该AT... 详细信息

异步SRAM的结构和速度与同步SRAM有很大的差异,为了降低SRAM的维持功耗和提高工作速度,通常要针对异步SRAM特殊模块进行定制设计。本文针对异步抗辐射SRAM的特定要求,设计了一种地址转换监控电路(atd:address translate detector);该atd电路能够自动检测片选使能信号、读写使能信号和地址信号的变化而产生一个脉冲信号,并在电路中设计一个能够有效屏蔽噪声干扰的反馈回路;针对集成电路在空间辐射环境下容易发生单粒子闩锁(SEL:single-event latchup)的特点,结合SEL失效原理,本文进一步在版图上对atd提出了相应的SEL加固技术。通过对加固后atd版图的模拟,证明了采用加固方法所设计的atd电路能够自动探测输入变化,并具有良好的抗噪声干扰能力。

关键词： atd电路 SEL加固静态随机存储器（SRAM）噪声干扰

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CMOS/SOI 4kb静态随机存储器

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功能材料与器件学报 2002年第2期8卷 165-169页

作者：刘新宇孙海峰刘洪民韩郑生海潮和中国科学院微电子中心北京100029

对一种CMOS/SOI4kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1k×4的并行结构体系。为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(atd)、两级字线Double-Word-Line(DWL)和新型的两级灵敏放大等技术,其地址取... 详细信息

对一种CMOS/SOI4kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1k×4的并行结构体系。为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(atd)、两级字线Double-Word-Line(DWL)和新型的两级灵敏放大等技术,其地址取数时间为30ns,最小动态工作电流为30mA(工作电压5V,工作频率2MHz),静态维持电流为1mA。CMOS/SOI4kb静态随机存储器采用1.2μm单层多晶、双层金属的SOICMOS抗辐照工艺技术,其六管存储单元尺寸较小:12.8μm×8.4μm,芯片尺寸为:3.6mm×3.84mm。

关键词： CMOS/SOI 静态随机存储器 atd电路 DWL技术抗辐照工艺

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UART波特率发生电路设计

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电子与封装 2010年第9期10卷 19-23页

作者：赵琳娜赵煌李红征江南大学信息工程学院江苏无锡214036 中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035

设计了一种基于"atd+迭代法"的UART波特率发生电路。波特率发生电路中的atd电路用于监测串行数据的变化,并在串行数据的边沿(上升沿或下降沿)输出低电平信号。波特率探测电路对atd电路的输出信号的低电平和高电平分别进行计数,该计数值... 详细信息

设计了一种基于"atd+迭代法"的UART波特率发生电路。波特率发生电路中的atd电路用于监测串行数据的变化,并在串行数据的边沿(上升沿或下降沿)输出低电平信号。波特率探测电路对atd电路的输出信号的低电平和高电平分别进行计数,该计数值和保持寄存器中存储的最小值比较,若前者小于后者,则保存寄存器中的最小值被该计数值取代,若前者大于后者,则保存寄存器中的最小值不变。经过一段时间比较迭代,最终得到设计需要的最小值,从而通过波特率发生器正确地输出串行数据的波特率。

关键词：通用异步收发器波特率发生电路 atd电路

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应用于抗辐照SRAM的地址转换监控电路的设计

应用于抗辐照SRAM的地址转换监控电路的设计

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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：田浩张正选刘张李俞文杰王茹张帅毕大炜陈明中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院研究生院

本文介绍了一种新型的抗噪声地址转换监控(atd)电路。在CMOS静态存储电路中,atd信号作为重要的触发信号加快了数据读出速度。对于应用于辐照环境下的SRAM来说,atd电路需满足极高的抗噪声干扰的要求。我们利用SR触发器构成的反馈回路来... 详细信息

本文介绍了一种新型的抗噪声地址转换监控(atd)电路。在CMOS静态存储电路中,atd信号作为重要的触发信号加快了数据读出速度。对于应用于辐照环境下的SRAM来说,atd电路需满足极高的抗噪声干扰的要求。我们利用SR触发器构成的反馈回路来稳定生成的片选(CS)信号并通过延时单元调整CS信号宽度。模拟结果表明该款电路非常适宜应用于工作在辐照环境下的SRAM中。

关键词：静态随机存取存储器（SRAM） atd电路抗辐照技术

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CMOS/SOI64Kb静态随机存储器

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Journal of Semiconductors 2001年第1期22卷 47-52页

作者：韩郑生周小茵海潮和刘忠立吴德馨中国科学院微电子研究和发展中心北京100029 中国科学院半导体研究所北京100083

对一种 CMOS/ SOI6 4Kb静态随机存储器进行了研究 ,其电路采用 8K× 8的并行结构体系 .为了提高电路的速度 ,采用地址转换监控 ( Address- Translate- Detector,atd)、两级字线 ( Double- Word- L ine,DWL)和新型的两级灵敏放大等技术 ... 详细信息

对一种 CMOS/ SOI6 4Kb静态随机存储器进行了研究 ,其电路采用 8K× 8的并行结构体系 .为了提高电路的速度 ,采用地址转换监控 ( Address- Translate- Detector,atd)、两级字线 ( Double- Word- L ine,DWL)和新型的两级灵敏放大等技术 ,电路存取时间仅 40 ns;同时 ,重点研究了 SOI静电泄放 ( Electrostatic- Discharge,ESD)保护电路和一种改进的灵敏放大器 ,设计出一套全新 ESD电路 ,其抗静电能力高达 42 0 0— 45 0 0 V.SOI6 4KbCMOS静态存储器采用 1.2 μm SOI CMOS抗辐照工艺技术 ,芯片尺寸为 7.8m m× 7.2

关键词： atd电路 DWL技术 CMOS SOI 静随机存储器

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