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ac back surface recombination velocity in n<sup>+</sup>-p-p<sup>+</sup>Silicon Solar Cell under Monochromatic Light and Temperature

引用

Journal of Electromagnetic Analysis and Applications 2021年第5期13卷 67-81页

作者： Mame Faty Mbaye Fall Idrissa Gaye Dianguina Diarisso Gora Diop Khady Loum Nafy Diop Khalidou Mamadou Sy Mor Ndiaye Gregoire Sissoko Ecole Polytechnique de Thiès Thiès Sénégal Institute of Technology University of Thiès Thiès Sénégal Laboratory of Semiconductors and Solar Energy Physics Department Faculty of Science and Technology University Cheikh Anta Diop Dakar Senegal

Excess minority carrier’s diffusion equation in the base of monofaciale silicon solar cell under frequency modulation of monochromatic illumination is resolved. Using conditions at the base limits involving recombination velocities Sf and Sb, respectively at the junction (n+/p) and back surface (p+/p), the ac expression of the excess minority carriers’ density δ (T, ω) is determined. The ac density of photocurrent Jph (T, ω) is represented versus recombination velocity at the junction for different values of the temperature. The expression of the ac back surface recombination velocity Sb of minority carriers is deduced depending on the frequency of modulation, temperature, the electronic parameters (D (ω)) and the thickness of the base. Bode and Nyquist diagrams are used to analyze it.

关键词： Silicon Solar Cell ac back surface recombination velocity Temperature Bode and Nyquist Diagrams

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