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Influence of double Aln buffer layers on the qualities of Gan films prepared by metal-organic chemical vapour deposition

引用

Chinese Physics B 2012年第12期21卷 403-407页

作者：林志宇张进成周昊李小刚孟凡娜张琳霞艾姗许晟瑞赵一郝跃 Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology School of MicroelectronicsXidian University

In this paper we report that the Gan thin film is grown by metal-organic chemical vapour deposition on a sapphire （0001） substrate with double a1n buffer layers. The buffer layer consists of a low-temperature （LT） a1n layer and a high-temperature （HT） a1n layer that are grown at 600 ℃ and 1000 ℃, respectively. It is observed that the thickness of the LT-a1n layer drastically influences the quality of Gan thin film, and that the optimized 4.25-min-LT-a1n layer minimizes the dislocation density of Gan thin film. The reason for the improved properties is discussed in this paper.

关键词： Gan a1n buffer layer metal-organic chemical vapour deposition threading dislocations

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