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Chinese Chemical Letters 2020年第2期31卷 423-426页

作者： Xinzhu Qi Jiabao Liu Jiabao Chen Qi Hou Shuai Li State Key Laboratory of Bioactive Substances and Functions of Natural Medicines Institute of Materia MedicaChinese Academy of Medical Sciences and Peking Union Medical CollegeBeijing 100050China

Four new seco-dibenzocyclooctadiene lignans,kadlongilignans a-d(1-4),consisting of a rare 6,7-seco-(1),two 15,16-seco-(2 and 3) and a 9,10-seco-dibenzocyclooctadiene(4) lignans,were isolated from the roots of Kadsura longipedunculata.Their structures were elucidated by spectroscopic analysis,including extensive NM R,MS and ECd(electronic circular dichroism) spectra.Compounds 3 and 4 exhibited potent inhibitory activities against NO(nitric oxide) production of LPS(lipopolysaccharide)-induced murine macrophages with the inhibition rates of 36.3% and 26.9%,respectively.

关键词： Kadsura longipedunculata Seco-dibenzocyclooctadiene lignans Kadlongilignans a-d Spectroscopic analysis NO production inhibition

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祖师麻中的双黄酮类成分研究

中草药 2002年第12期33卷 1061-1063页

作者：周光雄杨永春石建功胡文言中国医学科学院药物研究所北京100050

目的　分离并鉴定祖师麻 daphne giraldii中的黄酮类化合物。方法　利用硅胶柱色谱和 Sephadex L H- 2 0凝胶色谱分离双黄酮类成分 ,用核磁和质谱等谱学方法确定化合物的结构。结果　分离并鉴定了 4个双黄酮类化合物 daphnodorins A- d1... 详细信息

目的　分离并鉴定祖师麻 daphne giraldii中的黄酮类化合物。方法　利用硅胶柱色谱和 Sephadex L H- 2 0凝胶色谱分离双黄酮类成分 ,用核磁和质谱等谱学方法确定化合物的结构。结果　分离并鉴定了 4个双黄酮类化合物 daphnodorins A- d1 ( ～ )。结论　首次从祖师麻中得到化合物 daphnodorins A- d1 ,这类结构的双黄酮化合物目前仅发现于该属植物。

关键词：祖师麻双黄酮 daphnodorins a-d 硅胶柱色谱

积分型a-d变换器的积分误差及其最佳积分配置

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仪器仪表学报 1980年第4期1卷 60-66页

作者：富致超哈尔滨电工仪表研究所

本文从积分误差出发,提出一条用来衡量和估价积分型a-d变换器原理方案合理程度的直观判据,并在理论上确立变换器积分配置的最佳方式。揭示了目前流行的积分数字电压表在原理上的一个共同缺点,并指出今后发展高精度积分式数字电压表的新... 详细信息

本文从积分误差出发,提出一条用来衡量和估价积分型a-d变换器原理方案合理程度的直观判据,并在理论上确立变换器积分配置的最佳方式。揭示了目前流行的积分数字电压表在原理上的一个共同缺点,并指出今后发展高精度积分式数字电压表的新途径。

关键词： a-d 积分型积分时间数字电压表误差项原理方案积分式输出电压基准电压充放电电流

闪电-闪电式快速高精度4096道a-d变换器

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核电子学与探测技术 1983年第5期 1-4页

作者：梁效中曹敬溪中国科学院原子能研究所

本文叙述一种在高计数率下进行高分辨率能谱分析的AdC。微分非线性±1.05％;变换时间10.2μs;最高计数率>50kc;积分非线性≤±0.01％;连续工作8小时(室温变化2℃)增益及零点漂移均小于1/4道。

关键词：线性门减法器 a-d 中间寄存器求和放大器计数率闪电大气现象高精度

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基于单片机的智能防腐电源的设计和实现

电源世界 2004年第12期 68-70页

作者：袁佑新刘洋秦岭武汉理工大学自动化学院武汉430070

本文介绍了一种运用电力开关变换技术和高频开关技术并以单片机系统为控制核心的智能防腐电源。设计以VMOSFET作为功率开关器件,采用脉宽调制(PWM)技术。通过使用先进的传感器采样输出电压和输出电流,然后和给定的信号进行比较,经过a-d... 详细信息

本文介绍了一种运用电力开关变换技术和高频开关技术并以单片机系统为控制核心的智能防腐电源。设计以VMOSFET作为功率开关器件,采用脉宽调制(PWM)技术。通过使用先进的传感器采样输出电压和输出电流,然后和给定的信号进行比较,经过a-d转换,由单片机结合改进的PId控制算法,产生连续的脉冲控制信号,调节输出电压的变化。

关键词：防腐电源单片机 PId a-d