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a study of multi-energy ion implantation

Journal of Electronics(China) 1987年第1期4卷 39-45页

作者：王德宁王渭源 Shanghai Institute of Metallurgy Academia Sinica Shanghai Institute of Metallurgy Academia Sinica

A new calculation method of multi-energy ion implantation, i.e 'equivalent area method', has beenstudied. An arbitrary density conceutration or energy profile can be achieved, according to requirements ofthe device, by this method. It providea the basis of fabricating thin-film flat impurity profile devices. By use of this method, the Si-RAPD device with rectangular impurity profile, the Si-RAPD device witha particular low-high-low structure and the GaAs MESFET or IMPATT device with 'horse head' typestructure are designed and calculated. All results are satisfactary and the design of the new type device can bepredicted by this method. The calculated results in this paper are well in agreement with the experimentalvalues in literature.

关键词： Pro a study of multi-energy ion implantation GaAs high RAPD exp ATT very

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