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文献类型

  • 2 篇 期刊文献
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  • 3 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程（可...
    • 3 篇 电子科学与技术（可...
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 3 篇 4h-sic单晶
  • 1 篇 摇摆曲线半高宽(f...
  • 1 篇 晶界
  • 1 篇 半导体材料
  • 1 篇 高分辨x射线衍射(...
  • 1 篇 延性域分子动力学...
  • 1 篇 晶体微裂纹缺陷
  • 1 篇 单晶生长
  • 1 篇 cu基体金刚石磨粒
  • 1 篇 高纯半绝缘
  • 1 篇 面扫描
  • 1 篇 超精密磨削加工

机构

  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 湖南大学
  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 深圳大学

作者

  • 1 篇 郝建民
  • 1 篇 金雷
  • 1 篇 范云
  • 1 篇 邱鸿晶
  • 1 篇 张胜男
  • 1 篇 孙科伟
  • 1 篇 王健
  • 1 篇 程红娟
  • 1 篇 杨丹丹

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=4H-SiC单晶"
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高纯半绝缘4h-sic单晶研究进展
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科技创新与生产力 2019年 第5期 69-72页
作者： 范云 中国电子科技集团第二研究所
阐述了高纯半绝缘4h-sic单晶的研究历史,展望了未来高纯半绝缘4h-sic衬底制备方法及sic市场的发展方向,分别讨论了籽晶、生长压强和温度场分布3种因素对于sic单晶生长的影响,并提出了改进方法。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
用高分辨X射线衍射面扫描评估4h-sic晶片结晶质量
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引用
半导体技术 2019年 第6期44卷 477-482页
作者： 杨丹丹 王健 孙科伟 张胜男 金雷 程红娟 郝建民 中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220 深圳大学 广东深圳518000
介绍了高分辨X射线衍射(hRXRD)面扫描技术在评估4h-sic抛光片整体结晶质量方面的应用。对4h-sic抛光片整片及局部特定位置进行hRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWhM)峰值得到的极图,观察4h-sic抛光片表面的FWhM分布范围、分... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
基于分子动力学的4h-sic延性域超精密磨削机理研究
基于分子动力学的4H-SiC延性域超精密磨削机理研究
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作者： 邱鸿晶 湖南大学
学位级别：硕士
sic单晶材料因其禁带宽度大、电子迁移率高等诸多优势成为第三代半导体材料的代表。超精密磨削正逐渐成为其主流加工工艺,对硬脆材料sic单晶具有良好加工效果,但仍不可避免地给晶片留下加工损伤。目前,基于实验手段对sic超精密磨削机理... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
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