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一种针对3d芯片的BIST设计方法

电子测量与仪器学报 2012年第3期26卷 215-222页

作者：王伟高晶晶方芳陈田兰方勇李杨合肥工业大学计算机与信息学院合肥230009 合肥工业大学管理学院合肥230009

提出了一种基于分层结构的内建自测试(BIST)设计方法—3dC-BIST(3d Circuit-BIST)。根据3d芯片的绑定前测试和绑定后测试阶段,针对3d芯片除底层外的各层电路结构,采用传统方法,设计用于绑定前测试的相应BIST结构;针对3d芯片底层电路结... 详细信息

提出了一种基于分层结构的内建自测试(BIST)设计方法—3dC-BIST(3d Circuit-BIST)。根据3d芯片的绑定前测试和绑定后测试阶段,针对3d芯片除底层外的各层电路结构,采用传统方法,设计用于绑定前测试的相应BIST结构;针对3d芯片底层电路结构与整体结构,通过向量调整技术,设计既能用于底层电路绑定前测试又能用于整体3d芯片绑定后测试的BIST结构。给出了一种针对3d芯片的BIST设计方法,与传统方法相比减少了面积开销。实验结果表明该结构在实现与传统3d BIST方法同样故障覆盖率的条件下,3d平面面积开销相比传统设计方法减少了6.41%。

关键词： 3d芯片绑定前测试绑定后测试内建自测试

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晶圆级异构集成3d芯片互连技术研究

固体电子学研究与进展 2023年第3期43卷 F0003-F0003页

作者：田飞飞凌显宝张君直叶育红蔡传涛赵磊陶洪琪南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所基于芯片微凸点制备工艺和倒装互连工艺,进行了GaAs,GaN等晶圆级异构集成3d芯片互连工艺的研究,实现了芯片与芯片堆叠(die to die,d2d)到芯片与圆片堆叠(die to wafer,d2W)的技术性突破。芯粒间采用耐腐蚀、抗氧化、... 详细信息

南京电子器件研究所基于芯片微凸点制备工艺和倒装互连工艺,进行了GaAs,GaN等晶圆级异构集成3d芯片互连工艺的研究,实现了芯片与芯片堆叠(die to die,d2d)到芯片与圆片堆叠(die to wafer,d2W)的技术性突破。芯粒间采用耐腐蚀、抗氧化、有良好塑性变形的金凸点作为互连材料。

关键词：晶圆级金凸点芯片堆叠圆片异构集成倒装互连互连技术 3d芯片

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3d芯片热管理技术的专利分析

电视技术 2020年第5期44卷 51-54页

作者：白若鸽章放国家知识产权局北京102206

本文以专利为切入点,探索3d芯片热管理技术的竞争态势和研发方向。以经过遴选的中国专利文摘数据库中的3d芯片热管理相关技术专利为研究对象,从专利的申请状况、申请人的重要技术点、技术研发趋势等方面,研究中国3d芯片热管理技术的专... 详细信息

本文以专利为切入点,探索3d芯片热管理技术的竞争态势和研发方向。以经过遴选的中国专利文摘数据库中的3d芯片热管理相关技术专利为研究对象,从专利的申请状况、申请人的重要技术点、技术研发趋势等方面,研究中国3d芯片热管理技术的专利发展情况,希望通过对3d芯片热管理的专利技术分析,对业内人士有所启示和帮助。

关键词： 3d芯片热管理专利分布

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3d芯片引爆下一场电子革命

微电脑世界 2012年第1期 8-10页

作者：沈建苗

直通的电梯更高效——半导体行业注意到了这一点,改用3d芯片设计的潮流蔚然成风。晶片堆叠起来,数据从一层传送到下一层（相当于通过电梯）,而不是把晶片放入不同封装件中,焊到电路板上,通过输入/输出端口将数据传送到其他芯片上（相当... 详细信息

直通的电梯更高效——半导体行业注意到了这一点,改用3d芯片设计的潮流蔚然成风。晶片堆叠起来,数据从一层传送到下一层（相当于通过电梯）,而不是把晶片放入不同封装件中,焊到电路板上,通过输入/输出端口将数据传送到其他芯片上（相当于开车穿过郊区）。

关键词： 3d芯片输入/输出端口电子引爆数据传送半导体行业芯片设计电路板

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3d芯片设计与量产测试方法分析

集成电路应用 2015年第7期32卷 34-38页

作者：陈鑫王国兴上海交通大学微电子学院上海200240

随着半导体行业的发展,芯片设计的规则越来越完善,并且从2d设计向3d设计发展,设计空间利用率越来越高,芯片体积越来越小,如此精小的芯片,如何设计与量产测试并在生产中提高产品良率,成为3d芯片设计者与产线测试部门所关心的问题。

关键词： 3d芯片芯片测试量产产品良率 yield

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3d芯片:英特尔的绝地反击

上海信息化 2011年第6期 58-59页

作者：崔磊

2011年初,微软与诺基亚的"闪婚",使"原配"英特尔处境尴尬。正当移动电子产业界对"英特尔是否会继续坚持MeeGo系统"提出各种猜测之际,英特尔高调推出了已研发近十年的3d晶体管架构项目最新成果——3d Tri-Gate晶体管,并宣布将在年底前完... 详细信息

2011年初,微软与诺基亚的"闪婚",使"原配"英特尔处境尴尬。正当移动电子产业界对"英特尔是否会继续坚持MeeGo系统"提出各种猜测之际,英特尔高调推出了已研发近十年的3d晶体管架构项目最新成果——3d Tri-Gate晶体管,并宣布将在年底前完成大规模投产的准备工作。IT巨头终于开始了在新移动电子领域的绝地反击,但为什么是3d晶体管架构?这项发明与传统晶体管结构有何区别?它对未来的移动电子产业有何影响?又是否能够挽救英特尔的芯片帝国呢?

关键词： 3d芯片英特尔电子产业晶体管电子领域诺基亚移动管结构

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多层3d芯片中硅通孔分布优化的改进算法

上海师范大学学报（自然科学版） 2016年第2期45卷 180-185页

作者：李德隆郝聪吉村猛俞晖上海交通大学电子信息与电气工程学院上海200240 早稻田大学IPS研究所东京169-8050

3d芯片中硅通孔(TSV)的位置分布会对总线长造成很大影响,所以对于TSV位置分布的优化有许多算法,逐层进行TSV分配只能做到局部优化.提出用逆向重分配的方法对已有算法结果进一步优化以达到减少总线长的目的.同时提出了一种快速重分配以... 详细信息

3d芯片中硅通孔(TSV)的位置分布会对总线长造成很大影响,所以对于TSV位置分布的优化有许多算法,逐层进行TSV分配只能做到局部优化.提出用逆向重分配的方法对已有算法结果进一步优化以达到减少总线长的目的.同时提出了一种快速重分配以提高深度优化的运行时间.实验结果表明,对比逐层TSV分配方法,此逆向重分配方法可减少3.7%的总线长;此方法亦可对其他TSV分配算法(如逐网TSV分配、拉格朗日松弛算法等)所得结果作进一步线长优化;而快速重分配可将逆向重分配的运行时间降低为原来的10%.

关键词： 3d芯片硅通孔(TSV) 逆向重分配线长优化