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文献类型

  • 3 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 3 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程（可...
    • 3 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 3 篇 3c—sic
  • 1 篇 传输线模型
  • 1 篇 比接触电阻率
  • 1 篇 掺氮
  • 1 篇 欧姆接触
  • 1 篇 si台面
  • 1 篇 sio2/si
  • 1 篇 电子结构
  • 1 篇 第一性原理计算
  • 1 篇 lpcvd生长

机构

  • 1 篇 中国科学院半导体...
  • 1 篇 中科院半导体所微...
  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 2 篇 孙国胜
  • 1 篇 王雷
  • 1 篇 刘忠立
  • 1 篇 高欣
  • 1 篇 刘红霞
  • 1 篇 杨银堂
  • 1 篇 李晋闽
  • 1 篇 宋久旭
  • 1 篇 刘兴日方
  • 1 篇 曾一平
  • 1 篇 柴常春
  • 1 篇 丁瑞雪
  • 1 篇 巩全成
  • 1 篇 尚也淳

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=3C—SiC"
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掺氮3c-sic电子结构的第一性原理研究
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西安电子科技大学学报 2008年 第1期35卷 87-91页
作者： 宋久旭 杨银堂 柴常春 刘红霞 丁瑞雪 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安710071
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3c-sic超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3c-sic超晶胞的能... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3c-sic的LPcVD生长(英文)
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人工晶体学报 2005年 第6期34卷 982-985,976页
作者： 孙国胜 王雷 巩全成 高欣 刘兴日方 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所 北京100083
本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3c-S ic薄膜的LPcVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和c2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3c-S ic材料进行了测... 详细信息
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Si上外延的n型3c-sic欧姆接触研究
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固体电子学研究与进展 2005年 第4期25卷 489-493页
作者： 尚也淳 刘忠立 孙国胜 中科院半导体所微电子研发中心 北京100083
用LPcVD在Si(111)上异质外延了n型3c-sic,并在所外延的3c-sic上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti/3c-sic欧姆接触的ρc(比接触电阻率)进行测量,在750°c退火后Ti/3c-sic的ρc达到了... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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