检索结果-南通市图书馆

物理学报 2015年第22期64卷 348-356页

作者：邓发明四川民族学院数学系康定626001 四川大学原子与分子物理研究所成都610065

使用基于密度泛函微扰理论的第一原理赝势法,计算了纤锌矿结构2h-sic晶体在强激光照射下的电子特性,分析了其能带结构和电子态分布.计算结果表明:2h-sic平衡晶格参数a和c随电子温度Te的升高逐渐增大;电子温度在0—2.25 eV范围内时,2h-Si... 详细信息

使用基于密度泛函微扰理论的第一原理赝势法,计算了纤锌矿结构2h-sic晶体在强激光照射下的电子特性,分析了其能带结构和电子态分布.计算结果表明:2h-sic平衡晶格参数a和c随电子温度Te的升高逐渐增大;电子温度在0—2.25 eV范围内时,2h-sic仍然是间接带隙的半导体晶体,当Te超过2.25 eV达到2.5 eV以上时,2h-sic变为直接带隙的半导体晶体;随着电子温度升高,导带底和价带顶向高能量或低能量方向发生了移动,当电子温度Te大于3.5 eV以后,价带顶穿越费米能级;电子温度Te在0—2.0 eV变化时,带隙随电子温度升高而增大;Te在2.0—3.5 eV范围变化时,带隙随电子温度升高而快速地减少,表明2h-sic晶体的金属性随电子温度Te的继续升高而增强.在Te=0,5.0 eV处,计算了2h-sic晶体总的电子态密度和分波态密度.电子结构表明Te=0 eV时,2h-sic是一个带隙为2.3 eV的半导体;在Te=5.0 eV时,带隙已经消失而呈现出金属特性,表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强,晶体经历了一个熔化过程,过渡到金属状态.

关键词： 2h-sic 电子特性激光照射密度泛函微扰理论

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

2h-sic体材料电子输运特性的EMC研究

引用

西北大学学报（自然科学版） 2004年第5期34卷 541-544,548页

作者：王平杨银堂崔占东杨燕付俊兴西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071 河北半导体研究所河北石家庄050051

目的　对2h sic体材料的电子输运特性进行研究。方法　在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果　计算表明:低场下,温度一定时,2h sic纵向电子迁移率比4h sic和6h sic都... 详细信息

目的　对2h sic体材料的电子输运特性进行研究。方法　在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果　计算表明:低场下,温度一定时,2h sic纵向电子迁移率比4h sic和6h sic都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2h sic同4h sic以及6h sic中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论　可以被用来设计sic器件和电路。

关键词： 2h-sic 多粒子蒙特卡罗研究迁移率漂移速度平均能量

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

2h-sic纳米线理论计算及其溶剂热法的制备

2H-SiC纳米线理论计算及其溶剂热法的制备

引用

作者：李晓妮西北大学

学位级别：硕士

碳化硅(sic)材料具有宽禁带、高电子迁移率、高击穿场强等特性,使其在高温、高频、大功率和光电子等器件中拥有广阔的应用前景。目前碳化硅的研究主要集中在六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构两类的合成和性能分析方而。本文的主要工作... 详细信息

碳化硅(sic)材料具有宽禁带、高电子迁移率、高击穿场强等特性,使其在高温、高频、大功率和光电子等器件中拥有广阔的应用前景。目前碳化硅的研究主要集中在六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构两类的合成和性能分析方而。本文的主要工作是在理论计算和实验室合成两个方面对六方纤锌矿结构的2h-sic晶体材料进行初步探究。一、理论计算基于密度泛函理论第一性原理的方法,采用Materials Studio5.0的CASTEP软件包对2h-sic体材料体系、2h-sic纳米线体系以及掺杂2h-sic纳米线体系进行建模和计算： 1、通过对2h-sic体材料的收敛性测试,优化出适合2h-sic材料的计算参数,如赝势方法为超软赝势、关联函数为Perdew Wang(1991),K点为7×7×4,截断能为340eV等,这些参数为2h-sic纳米线材料的研究奠定了基础。 2、通过对不同直径的本征2h-sic纳米线体系的计算研究,结果表明：在一定范围内,随着纳米线直径的增加,本征2h-sic纳米线体系发生蓝移现象,介电常数也略微增加,光吸收特性也随之略微增强。 3、通过对掺杂(掺杂元素为***.P)2h-sic纳米线体系的计算研究,结果表明：***三种元素的单一掺入,体系的导电性能均得到提高;P元素的掺入,对体系导电性能贞献较小;四种不同掺杂元素分别掺入后,掺杂体系禁带宽度均减小,吸收谱均发生红移现象,且静态介电常数均有所增加,起重Al贡献较大。二、实验采用溶剂热法以硅粉为硅源、无水乙醇为碳源、镁粉为催化剂、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为辅助催化剂低温制备2h-sic纳米线晶体材料。利用X射线衍射仪(XRD). X射线能量色散谱(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)等分析手段对所制备样品进行了表征。结果表明：PVP的引入有利于2h-sic晶体的生成,且在360℃处生长较好;样品元素主要为C元素和Si元素,形貌以片状为主，线状结构较少。优化后的工艺是：硅粉为0.8g,无水乙醇为15ml,镁粉为2.5g,PVP为0.5g,温度为360℃,反应时间为15.5小时。

关键词： 2h-sic 第一性原理溶剂热法

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

以石墨烯为碳源对sic纳米颗粒的制备和表征

引用

现代化工 2016年第4期36卷 121-124页

作者：唐侠侠姚宝殿郝惠莲上海工程技术大学材料工程学院上海201620

采用石墨烯和Si粉为原材料,利用气固法在无催化剂的条件下成功制备出耐高温、抗氧化、抗辐射的宽带隙半导体材料——Si C纳米颗粒,并研究不同的煅烧条件对实验样品的影响。实验样品经X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微... 详细信息

采用石墨烯和Si粉为原材料,利用气固法在无催化剂的条件下成功制备出耐高温、抗氧化、抗辐射的宽带隙半导体材料——Si C纳米颗粒,并研究不同的煅烧条件对实验样品的影响。实验样品经X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱(Raman)等手段进行分析表征测试。结果表明,在没有催化剂参与的情况下,将石墨烯和Si粉置于石墨坩埚中,并抽真空10^(-3)Pa条件下成功制备了3C-Si C和2h-Si C混合晶型的纳米颗粒。

关键词： 3C-sic 2h-sic 石墨烯气固法

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

石墨烯为碳源制备sic纳米材料的研究

石墨烯为碳源制备SiC纳米材料的研究

引用

作者：唐侠侠上海工程技术大学

学位级别：硕士

sic属于第三代宽带隙半导体材料,具有热稳定性高、化学稳定性好、临界击穿电场高、电子饱和迁移率大等优良特性。相比于sic体材料,其纳米材料不仅有拥有其体材料的本征特性,而且还兼具纳米材料的诸多优异性能,例如尺寸效应、界面效应和... 详细信息

sic属于第三代宽带隙半导体材料,具有热稳定性高、化学稳定性好、临界击穿电场高、电子饱和迁移率大等优良特性。相比于sic体材料,其纳米材料不仅有拥有其体材料的本征特性,而且还兼具纳米材料的诸多优异性能,例如尺寸效应、界面效应和宏观量子隧道效应等,因而sic纳米材料常常被应用于功能材料和电子器件中。sic纳米材料的制备方法有很多,如气固法、熔盐法、化学气相沉积法、激光烧蚀法等。在这些制备方法中气固法最简单并且成本低廉,而熔盐法的特点是降低反应温度,缩短反应时间,并且容易控制物体的形状和尺寸。近年来,有很多关于sic分解制备石墨烯和以石墨烯为碳源制备sic纳米材料的报道。目前以石墨烯为碳源所制备出的sic晶型单一,并且实验所需温度偏高,还需要催化剂的参与。针对上述情况,本论文利用气固法和熔盐法在无催化剂参与的情况下制备出不同晶型的sic纳米材料,并且探索了不同条件对实验的影响。主要研究成果如下:(1)以石墨烯为碳源通过气固法在无催化剂的参与下,制备出不同晶型的sic纳米材料,即3C-sic和2h-sic,同时探索了温度、保温时长、坩埚和保护气氛对实验的影响。研究结果表明,随着温度的升高,sic相衍射峰先增强后降低;随着保温时长的增加,sic衍射峰增强,结晶度提高;坩埚不同,所制备出样品主要晶型不同,刚玉坩埚中制备出得sic晶粒尺寸较大,进而导致结构得不同;氛围不同,对制备出样品晶型有影响,真空氛围1400℃时没有2h-sic相的生成,氩气氛围下,1400℃和1450℃仍然有2h-sic相生成。(2)以Si粉和石墨烯分别作为Si源和碳源,尝试在不同熔盐体系下(LiCl-KCl、NaCl-NaF和NaCl)制备sic纳米材料,并且研究了其实验机理。研究结果表明,NaCl为最佳熔盐,因为NaCl熔盐不仅对原料石墨烯和坩埚均无腐蚀作用,而且熔点高(801℃),在高温制备样品时不至于迅速蒸发完。此处NaCl熔盐中利用Si粉和石墨烯来制备sic纳米材料的机理是气-固机制,即熔盐中的Si粉蒸发,变成气态的Si,气态Si扩散至悬浮在熔盐最上方的石墨烯表面,进行吸附,并发生反应,生成sic纳米材料。(3)研究了镁热还原制备sic纳米材料,即以SBA-15(SiO2)和石墨烯分别作为Si源和碳源制备sic纳米材料,并且探索了不同熔盐和不同原料配比对实验的影响。研究结果表明,作为原料的SiO2、Mg、C的实验物质量最佳比例为nSiO2:nMg:nC=1:2:3,通过XRD和拉曼表征,证明所制备出sic晶型为2h-sic。由于所制备出的样品无需用hF酸等腐蚀性酸进行后处理的步骤,故制备方法操作安全简单,并且无污染,有利于大范围推广。

关键词：气固法 2h-sic 3C-sic 熔盐法

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：