检索结果-南通市图书馆

微波学报 2024年

作者：张瑞浩万发雨徐儒徐佳闰李月华宋润陶南京信息工程大学电子与信息工程学院

高频GaN微波功率器件的短沟道效应是限制其射频（RF）性能的重要原因，通常采用背势垒结构来提高二维电子气的限域性，抑制短沟道效应。然而背势垒层的加入会增加寄生电阻与栅极电容，使电流增益截止频率ft与最大震荡频率fmax降低。因... 详细信息

高频GaN微波功率器件的短沟道效应是限制其射频（RF）性能的重要原因，通常采用背势垒结构来提高二维电子气的限域性，抑制短沟道效应。然而背势垒层的加入会增加寄生电阻与栅极电容，使电流增益截止频率ft与最大震荡频率fmax降低。因此，本文采用了一种Al组分渐变的AlGaN背势垒结构，在一定程度上提高了器件的ft和fmax。研究结果表明：与组分为0.05的固定组分背势垒相比，0～0.1渐变组分背势垒器件的最大震荡频率fmax最高提升了11.1 GHz，达到150.9 GHz。其射频功率特性也得到了明显改善，当工作频率为8 GHz时，最大输出功率密度达到5.2 W/mm，功率增益达到14.8 dB，功率附加效率达到了30.3%。

关键词： GaN基HEMT器件渐变组分背势垒结构短沟道效应 2deg限域性

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