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quantum tunneling in two-dimensional van der Waals heterostructures and devices

Science China Materials 2021年第10期64卷 2359-2387页

作者： Sidi Fan Rui Cao Lude Wang Shan Gao Yupeng Zhang Xiang Yu Han Zhang International Collaborative Laboratory of 2d Materials for Optoelectronics Science and Technology of Ministry of Education Institute of Microscale OptoelectronicsShenzhen UniversityShenzhen 518060China

quantum tunneling with band-structure engineering has been feasibly developed for many applications in electrical,optoelectrical,and magnetic *** relies on layer-by-layer design and fabrication,which is an interdisciplinary research field covering material science and *** since the discovery of two-dimensional(2 d)layered materials,tunneling devices based on 2d van der Waals(vd W)heterostructures have been extensively studied as potential next-generation devices.2 d materials are thin at the atomic scale and extremely flat without surface dangling *** of these unique characteristics,2 d vd W heterostructures offer superior tunneling performance that reaches the benchmark of traditional Si technology and possess additional ability to scale down device ***,we comprehensively review quantum tunneling in 2 d vd W heterostructures,in addition to their unique mechanisms and ***,we analyze the possibilities and challenges currently faced by 2 d tunneling devices and provide a perspective on their exploitation for advanced future *** investigation of technology-and performancecontrol of 2 d tunneling devices is at their beginning stages;however,these devices should emerge as competitive candidates for realizing low-power supply,fast-speed capability,and high-frequency operating devices.

关键词： quantum tunneling 2d materials van der Waals heterostructures 2d quantum devices

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